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Fターム[5F102GA00]の内容

接合型電界効果トランジスタ (42,929) | 集積化 (1,005)

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本開示の実施形態により、例えば横型電界効果トランジスタなどの集積回路デバイスに歪みを与える技術及び構成が提供される。集積回路デバイスは、半導体基板と、該半導体基板と結合された第1のバリア層と、第1のバリア層に結合された、第1の格子定数を持つ第1の材料を有する量子井戸チャネルと、量子井戸チャネルに結合されたソース構造とを含む。ソース構造は、第1の格子定数とは異なる第2の格子定数を持つ第2の材料を有し、量子井戸チャネルに歪みを与える。その他の実施形態も開示される。
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【課題】従来よりも高感度かつ小面積の半導体磁気センサーを低コストで提供すること。
【解決手段】半導体基板上に化合物半導体から構成されたエピタキシャル成長層を分割することにより形成された3つのメサ領域が形成されている。メサ10Cはホール素子部100として使用される。メサ10A及びメサ10Bは、それぞれホール素子部100からの出力を増幅するための電界効果トランジスタ部200A、200Bとして使用される。メサ10Cとメサ10B、メサ10Cとメサ10Aはそれぞれ隣接して設けられているが、これらのメサ同士はエッチングにより分断されることによって絶縁されている。電圧検出用電極20A及び20Bは、それぞれ電界効果トランジスタ部200A及び200Bのゲート電極40A、40Bに直接接続されている。 (もっと読む)


【課題】GaAs電界効果トランジスタのごとき半導体装置の製造方法で、配線の形成予定箇所でのウェットエッチングによってリークパスが生じるのを防止する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、GaAs基板21上にGaAs電界効果トランジスタを製造する際に電極とこの電極に繋がる配線とを同じ成膜工程で形成する方法であり、GaAs基板の上にSiOx膜25Aを形成し、SiOx膜上にSiN膜を形成し、電極形成予定箇所に第1の開口を有する第1レジスト31を形成し、第1の開口でRIEによりSiN膜を除去すると共にSiOx膜を所定膜厚まで除去し、第1のレジストを除去し、電極の形成予定箇所と配線の形成予定箇所を含む領域に第2の開口を有する第2のレジスト34を形成し、ウェットエッチングにより所定膜厚のSiOx膜を除去し、電極の形成予定箇所と配線の形成予定箇所に金属膜を形成する。 (もっと読む)


垂直方向の半導体装置は、電気装置そして/または相互接続を含む分離して作られた基板に付加される。多くの垂直方向の半導体装置は物理的に互いに分離され、そして同一半導体本体又は半導体基板内には配置されない。多くの垂直方向の半導体装置は取り付けられた後に個別のドープされたスタック構造を生成するため、エッチングされた数個のドーピングされた半導体領域を含む薄い層として分離して作られた基板へ付加される。あるいは多くの垂直方向の半導体装置が分離して作られた基板に取り付けるのに先立ち製作される。ドープされたスタック構造は、ダイオードキャパシタ、n‐MOSFET、p‐MOSFET、バイポーラトランジスタ、及び浮遊ゲートトランジスタのベースを形成する。強誘電体メモリー装置、強磁性体メモリー装置、カルコゲニド位相変更装置が分離して作られた基板と連結して使用するために、堆積可能なアッド‐オン層に形成される。堆積可能なアッド‐オン層は相互接続ラインを含む。

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