【課題】ソース／ドレイン電極の下側のポテンシャル障壁を低くして、ソース／ドレイン電極下側の寄生抵抗を低減することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るヘテロ接合電界効果型トランジスタは、窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果型トランジスタであって、チャネル層３０と、チャネル層３０上にスペーサ層４０を介して形成されたバリア層５０とを備える。バリア層５０上に形成されたゲート電極８０と、バリア層５０上に、ゲート電極８０を挟んで形成されるソース／ドレイン電極７０とを備える。そして、ソース／ドレイン電極７０下側の少なくとも一部の領域、例えば、バリア層５０、スペーサ層４０、チャネル層３０のに形成されるｎ型不純物領域９０を備える。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶膜を有する化合物半導体デバイスにおいて、高耐圧かつ低損失であり、ＨＥＭＴ等に好適に用いられる化合物半導体デバイス用基板およびそれを用いた化合物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】導電性ＳｉＣ単結晶２上に、厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶層（０＜ｘ≦１）３ａおよび厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_yＧａ_1-yＮ単結晶層（０≦ｙ＜１、ｘ≠ｙ）３ｂが交互に５〜５００組繰り返し積層されている多層単結晶層３と、厚さ０．５〜５μｍのＧａＮ単結晶層４と、デバイス活性層５とを順次積層した化合物半導体デバイス用基板に、ショットキー電極およびオーミック電極６を形成する。 （もっと読む）