【課題】化合物半導体層を形成する前の基板の状態で非接触のスクリーニングを行うことで、事前に化合物半導体層の不良発生を認識してこれを防止することができ、歩留まりの向上及び製造コストの削減を可能とする信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】偏光レーザ１２によりＳｉＣ基板１の基板面に偏光レーザ光を照射し、検出部１３によりＳｉＣ基板１からの発光を検出し、表示部１４によりＳｉＣ基板１の発光強度の面内分布を得て、ＳｉＣ基板１の窒素混入量を評価した後、ＳｉＣ基板１の上方に化合物半導体積層構造２を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装できる幅を増大し、実装基板上を有効に使用可能な高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】導体ベースプレートと、導体ベースプレート上に配置されたマルチセル構成の半導体チップと、導体ベースプレート上に配置され、半導体チップを内在する矩形のキャビティを形成する金属壁と、金属壁の入出力部に設けられた貫通孔とを備え、半導体チップを、金属壁に囲まれた矩形のキャビティ内において、半導体チップの長手方向が、貫通孔の設けられていない金属壁の延伸方向から０度より大で、９０度より小の所定の角度に配置した半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 寄生ダイオードを介したリーク電流を抑えること。
【解決手段】 半導体装置１は、ｃ面を表面とする窒化物半導体の半導体層１３と、厚みが減少する厚み減少部１４ａを有する窒化物半導体のｐ型の埋込み層１４と、を備える。埋込み層１４では、厚み減少部１４ａの内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と厚み減少部１４ａの傾斜面の間のｐ型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤの長さを長くすることなくインダクタンスの値を大きくできる高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体装置１は、マルチセル構成の半導体チップ２４と、整合回路と、半導体チップ２４と整合回路間に並列に接続された複数本のボンディングワイヤ１２、１４とを備え、複数本のボンディングワイヤ１２、１４は、半導体チップ２４に対して平面上で９０°以下の所定の角度を有する。 （もっと読む）

【課題】チャージアップに起因するリーク電流及び閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体層内に、活性領域３０を含むＦＥＴ３４、活性領域３０からなるスクライブライン３６、ＦＥＴ３４とスクライブライン３６との間に位置する不活性領域３２、及び不活性領域３２を横断してＦＥＴ３４とスクライブライン３６とを電気的に接続する接続領域３８を設ける工程と、半導体層上に絶縁膜２０を形成する工程と、ドライエッチング法により絶縁膜２０に選択的に開口部２１を形成する工程と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】通過損失を低減するためにオン状態時の抵抗を小さくしても、十分なアイソレーション量を確保する高周波スイッチを得る。
【解決手段】トランジスタ５ａ，５ｂのオフ容量Ｃｏｆｆと同一の容量Ｃｃを有するクロスカップルキャパシタ８ａ，８ｂを設ける。
クロスカップルキャパシタ８ａ，８ｂにより、トランジスタ５ａ，５ｂのオフ容量Ｃｏｆｆをキャンセルすることができるので、アイソレーションを大きく改善することができる。したがって、通過損失を低減するためにトランジスタ５ａ，５ｂのオン抵抗Ｒｏｎを小さくしても、十分なアイソレーション量を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフで動作するとともに、高い耐圧と低いオン抵抗を具備した半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１では、ドレイン電極２１が第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ソース電極２９が第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層から電気的に絶縁可能に構成されているとともに第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ゲート部２８が第２ヘテロ接合面３４に対向しており、導通電極２５が第１ヘテロ接合面３２及び第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層の双方に対して電気的に接続可能に構成されている。第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層の電子濃度は、第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層の電子濃度よりも濃い。 （もっと読む）

【課題】櫛型形状のソース電極とドレイン電極が交差指状に配置された電極構造を有し、各櫛形電極の先端部での電界集中が緩和された窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極５と電気的に接続され、ゲート電極５とドレイン電極４間で絶縁膜７上に配置されたゲートフィールドプレート５０と、ソース電極３と電気的に接続され、絶縁膜８を介して窒化物半導体層と対向するようにゲートフィールドプレート５０とドレイン電極４間の上方に配置されたソースフィールドプレート３０とを備え、ゲート電極５とドレイン電極４間の距離、ゲートフィールドプレート５０のドレイン側端部とゲート電極５のドレイン側端部間の距離、及びソースフィールドプレート３０のドレイン側端部とゲートフィールドプレート５０のドレイン側端部間の距離の少なくともいずれかが、ソース電極３とドレイン電極４の、歯部分の直線領域よりも歯部分の先端領域において長い。 （もっと読む）

【課題】開放端電圧が高い有機光電変換素子を製造しうる高分子化合物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（１）で表される構成単位を有する高分子化合物。


（１）
〔式中、Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、窒素原子又は＝ＣＨ−を表す。Ｙ^１は、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、−Ｎ（Ｒ^１）−又は−ＣＲ^２＝ＣＲ^３−を表す。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｗ^１は、シアノ基、ニトロ基、フッ素原子を有する１価の有機基又はフッ素原子を表す。Ｗ^２は、Ｗ^１とは異なる基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成で電流コラプスの発生を抑制し、デバイス特性の劣化を抑えた信頼性の高い高耐圧のＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴを実現する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１上に化合物半導体積層構造２を備えたＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴにおいて、３層のキャップ層２ｅを用いることに加え、キャップ層２ｅのドレイン電極５の近傍（ゲート電極６とドレイン電極５との間で、ドレイン電極５の隣接箇所）に高濃度ｎ型部位２ｅＡを形成し、高濃度ｎ型部位２ｅＡでは、そのキャリア濃度が電子供給層２ｄのキャリア濃度よりも高く、そのエネルギー準位がフェルミエネルギーよりも低い。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性を向上させた高周波回路装置を提供する。
【解決手段】 高周波回路装置は、一端同士１３３１，１３４１が互いに離間して対向した２つの伝送線路１３３，１３４と、２つの伝送線路の一方の一端に実装され、該実装面となる下面電極３０と、該実装時に下面電極の上方に位置する上面電極３２を備えるキャパシタＣと、２つの伝送線路の対向する一端同士の間の領域に配置され、一端同士を電気的に接続する抵抗素子Ｒと、キャパシタの上面電極と２つの伝送線路の他方との間を電気的に接続する接続導体１３５とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＶＩＡホールを高密度に形成したとしても半導体素子が割れやすくなるのを防止し、素子の形成歩留りを向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１１０と、基板の第１表面に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲート電極１２４、ソース電極１２０およびドレイン電極１２２と、ソース電極１２０の下部に配置されたＶＩＡホールＳＣと、基板の第１表面とは反対側の第２表面に配置され、ＶＩＡホールを介してソース電極に接続された接地電極とを備え、ＶＩＡホールＳＣは、基板１１０を形成する化合物半導体結晶のへき開方向とは異なる方向に沿って配置される。 （もっと読む）

【課題】１本の棒状素子が破壊しても、他の棒状素子が正常に動作し、正常動作を続けるトランジスタ装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ装置は、基板５と、この基板５上に配置された２本の棒状素子１とを有する。このため、一方の棒状素子１が破壊しても、他方の棒状素子１が正常に動作し、トランジスタ装置は、正常動作を続ける。 （もっと読む）

【課題】基板の自由度があり、待機時（光非照射時）の電力消費が小さく、また光照射時のＳ／Ｎが大きい受光素子を提供することである。
【解決手段】紫外線が透過する材料をＦＥＴの電極として用い、また、電子走行領域をＡｌＧａＮとＧａＮとのヘテロ界面等のＧａＮ系膜同士のヘテロ界面とする。 （もっと読む）