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Fターム[5F102GD10]の内容

接合型電界効果トランジスタ (42,929) | ゲート接合のタイプ (3,160) | その他(MOS、擬似MIS) (744)

Fターム[5F102GD10]に分類される特許

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【課題】耐圧および電流コラプス抑制性能をさらに向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタによれば、ゲート絶縁膜20を、ストイキオメトリなシリコン窒化膜よりもシリコンの比率が高いシリコン窒化膜で作製されたコラプス抑制膜18と上記コラプス抑制膜18上に形成されたSiO絶縁膜17とを有する複層構造とすることにより、耐圧を向上できるだけでなく、電流コラプスも抑制できる。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体層を形成する前の基板の状態で非接触のスクリーニングを行うことで、事前に化合物半導体層の不良発生を認識してこれを防止することができ、歩留まりの向上及び製造コストの削減を可能とする信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】偏光レーザ12によりSiC基板1の基板面に偏光レーザ光を照射し、検出部13によりSiC基板1からの発光を検出し、表示部14によりSiC基板1の発光強度の面内分布を得て、SiC基板1の窒素混入量を評価した後、SiC基板1の上方に化合物半導体積層構造2を形成する。 (もっと読む)


【課題】 半導体ナノデバイスに関し、基板上における臨界膜厚を超えた厚さの歪のある半導体薄膜を形成してデバイス領域とする。
【解決手段】 長径が1μm未満の半導体ナノワイヤコアと、前記半導体ナノワイヤコアの側壁に形成され、前記半導体ナノワイヤコアの構成材料との歪εが1%以上異なる半導体材料からなり、且つ、膜厚t〔nm〕と歪ε〔%〕とが、
−0.720+0.0988ε−1.2<t≦−0.705+0.227ε−1.2
の関係を満たす少なくとも一層の半導体薄膜との接合界面或いは前記半導体薄膜同士の接合界面を機能領域とする。 (もっと読む)


【課題】特性ばらつきの少ない絶縁ゲートを備えた窒化物半導体の半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置が備える絶縁ゲートは、窒化物半導体層1上に設けられているアモルファスの酸化シリコン膜2と、酸化シリコン膜2上に設けられているゲート電極8を有している。ゲート電極8に対向する窒化物半導体層1が酸化されている。 (もっと読む)


【課題】チャージアップに起因するリーク電流及び閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体層内に、活性領域30を含むFET34、活性領域30からなるスクライブライン36、FET34とスクライブライン36との間に位置する不活性領域32、及び不活性領域32を横断してFET34とスクライブライン36とを電気的に接続する接続領域38を設ける工程と、半導体層上に絶縁膜20を形成する工程と、ドライエッチング法により絶縁膜20に選択的に開口部21を形成する工程と、を有する半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】 寄生ダイオードを介したリーク電流を抑えること。
【解決手段】 半導体装置1は、c面を表面とする窒化物半導体の半導体層13と、厚みが減少する厚み減少部14aを有する窒化物半導体のp型の埋込み層14と、を備える。埋込み層14では、厚み減少部14aの内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と厚み減少部14aの傾斜面の間のp型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する。 (もっと読む)


【課題】ノーマリオフで動作するとともに、高い耐圧と低いオン抵抗を具備した半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置1では、ドレイン電極21が第1ヘテロ接合面32に形成される2次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ソース電極29が第1ヘテロ接合面32に形成される2次元電子ガス層から電気的に絶縁可能に構成されているとともに第2ヘテロ接合面34に形成される2次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ゲート部28が第2ヘテロ接合面34に対向しており、導通電極25が第1ヘテロ接合面32及び第2ヘテロ接合面34に形成される2次元電子ガス層の双方に対して電気的に接続可能に構成されている。第1ヘテロ接合面32に形成される2次元電子ガス層の電子濃度は、第2ヘテロ接合面34に形成される2次元電子ガス層の電子濃度よりも濃い。 (もっと読む)


【課題】耐圧を向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】GaN系HFETは、ゲート絶縁膜17をなす半絶縁膜の抵抗率ρが、電流密度が6.25×10−4(A/cm)であるとき、3.9×10Ωcmであった。抵抗率ρ=3.9×10Ωcmの半絶縁膜によるゲート絶縁膜15を備えたことで、1000Vの耐圧が得られた。ゲート絶縁膜の抵抗率が、1×1011Ωcmを超えると耐圧が急減し、ゲート絶縁膜の抵抗率が、1×10Ωcmを下回るとゲートリーク電流が増大する。 (もっと読む)


【課題】II族酸化物半導体を用いた半導体素子における新規な絶縁層形成技術を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、(a)基板上方に、II族酸化物半導体層を成長させる工程と、(b)II族酸化物半導体層上に、窒素をドープしつつOリッチ条件での成長を行い抵抗率が10Ωcm以上のII族酸化物絶縁層を成長させる工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】VIAホールを高密度に形成したとしても半導体素子が割れやすくなるのを防止し、素子の形成歩留りを向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板110と、基板の第1表面に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲート電極124、ソース電極120およびドレイン電極122と、ソース電極120の下部に配置されたVIAホールSCと、基板の第1表面とは反対側の第2表面に配置され、VIAホールを介してソース電極に接続された接地電極とを備え、VIAホールSCは、基板110を形成する化合物半導体結晶のへき開方向とは異なる方向に沿って配置される。 (もっと読む)


【課題】比較的簡素な構成で電流コラプスの発生を抑制し、デバイス特性の劣化を抑えた信頼性の高い高耐圧のAlGaN/GaN・HEMTを実現する。
【解決手段】SiC基板1上に化合物半導体積層構造2を備えたAlGaN/GaN・HEMTにおいて、3層のキャップ層2eを用いることに加え、キャップ層2eのドレイン電極5の近傍(ゲート電極6とドレイン電極5との間で、ドレイン電極5の隣接箇所)に高濃度n型部位2eAを形成し、高濃度n型部位2eAでは、そのキャリア濃度が電子供給層2dのキャリア濃度よりも高く、そのエネルギー準位がフェルミエネルギーよりも低い。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム(GaN)系のHEMTを保護するダイオード構造を備えた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10のうちGaN層13に2次元電子ガスが生成される領域が活性層領域40とされ、基板10のうち活性層領域40を除いた領域にイオン注入が施されていることにより活性層領域40とは電気的に分離された領域が素子分離領域50とされている。そして、ダイオード60は素子分離領域50の層間絶縁膜20の上に配置されている。このように、基板10のうちHEMTが動作する活性層領域40とは異なる素子分離領域50を設けているので、1つの基板10にGaN−HEMTとダイオード60の両方を備えた構造とすることができる。 (もっと読む)


【課題】ヘテロ接合を利用した新規な保護素子を提供すること。
【解決手段】 半導体装置10の保護部36は、配線下層11Bと、配線下層11Bとは異なるバンドギャップを有する配線上層13を有している。配線上層13は、第1部位41と中間部位43と第2部位45を含んでいる。配線上層13と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガス層が、第1部位41と中間部位43の間で分離されており、第2部位45と中間部位43の間で分離されている。第1部位41と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガスが、ドレイン電極21に電気的に接続されている。第2部位45と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガスが、ソース電極28に電気的に接続されている。中間部位43と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガスが、ゲート電極25に電気的に接続されている。 (もっと読む)


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