【課題】ゲート電極に臨む領域の半導体層へのダメージ層の形成を抑制して、ノーマリオフ動作を実現することができるヘテロ接合電界効果型トランジスタを備える半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】チャネル層２３とヘテロ接合を形成するバリア層２４のうち、ゲート電極２９に臨む領域を除く他の領域に、バリア層２４の伝導帯から、チャネル層２３とバリア層２４とのヘテロ界面のバンド不連続量ΔＥｃと、バリア層２４に発生する分極によるバリア層２４のゲート電極２９側とヘテロ界面側とのエネルギー差ΔＥｐとを足し合わせたエネルギー（ΔＥｃ＋ΔＥｐ）までのエネルギー深さのバンドギャップ中に準位を形成する不純物をドーピングして、不純物ドーピング領域２６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯトランジスタ又はＨＥＭＴのようなＺｎＯデバイスにおいて、ソース・ドレインのコンタクト抵抗を減少させることを課題とする。
【解決手段】 Ｚｎ極性面を有するアンドープＺｎＯ層をチャンネル層とし、該Ｚｎ極性面を有するＺｎＯ層上には、極性面反転層を介して、ソース・ドレインに接続されたＯ極性高濃度ｎ型ＺｎＯ層が、選択的に形成されていることを特徴とするＺｎＯデバイスである。 （もっと読む）

【課題】バッファリーク電流を十分に抑制可能なIII−Ｖ族化合物半導体装置及びその製
造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板(11)とチャネル層(13)との間に無添加バッファ層(12)を含むIII
−Ｖ族化合物半導体装置(1)において、前記単結晶基板(11)と前記無添加バッファ層(12)
の界面に、前記無添加バッファ層(12)の前記単結晶基板(11)側の界面に、又は前記無添加バッファ層(12)中に、酸素δドーピング層(12a)を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体層とＳｉＣ基板との接触抵抗を小さくすること、および高耐圧化すること。
【解決手段】本発明は、３Ｃ−ＳｉＣからなる基板（１０）と、基板（１０）上に設けられたＧａＮ系半導体層（１８）と、ＧａＮ系半導体層（１８）上に設けられた第１電極（２４）と、基板（１０）に設けられた第２電極（２８）と、第１電極（２４）と第２電極（２８）との間に流れる電流を制御する制御電極（２６）と、を具備することを特徴とする半導体装置半導体装置およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを悪化させることなくバッファ層を高抵抗化し、バッファ層中に発生するリーク電流を低減させること。
【解決手段】ＨＥＭＴ１は、基板２上に、それぞれＧａＮ系化合物半導体からなる低温バッファ層３、バッファ層４、電子走行層５および電子供給層６を、この順に積層して備える。バッファ層４は、炭素が添加され、この添加される炭素濃度は、この炭素濃度に対して電流コラプスが急激に変化する濃度以下であり、かつこの炭素濃度に対してＨＥＭＴ１の耐圧が急激に変化する濃度以上とされる。また、電子走行層５の層厚は、この層厚に対して電流コラプスが急激に変化する厚さ以上であり、かつこの層厚に対してＨＥＭＴ１の耐圧が急激に変化する厚さ以下とされる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系レーザダイオードの低閾値化、窒化物系半導体発光ダイオードの高効率化、エンハンスメント型窒化物系半導体電界効果トランジスタの実現のためには、Ｒ面サファイア基板上に成長すれば可能であるが、従来技術では、表面平坦性や多数の欠陥が入る問題があり、また、その結晶性を向上させる方法として、選択横方向成長という方法があるが、コスト、量産性の面で大きな問題があった。
【解決手段】Ｒ面サファイア基板上に作製した窒化物系半導体に、歪を導入することおよび成長条件を最適化することによって、結晶成長中に自発的に周期１０ｎｍから１０μm、高さ１０ｎｍから１０μmの凹凸を形成し、その後平坦化することにより貫通転位密度、積層欠陥密度の低減が可能であり、且つ、表面平坦性の良好な半導体基板の作製が低コストかつ簡便に作製可能であり、また、この基板を用いること。 （もっと読む）