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Fターム[5F102GK01]の内容

接合型電界効果トランジスタ (42,929) | バッファ層(中間層) (2,318) | 単一半導体層 (1,628)

Fターム[5F102GK01]の下位に属するFターム

4族 (58)
3−5族 (1,562)

Fターム[5F102GK01]に分類される特許

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【課題】II族酸化物半導体を用いた半導体素子における新規な絶縁層形成技術を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、(a)基板上方に、II族酸化物半導体層を成長させる工程と、(b)II族酸化物半導体層上に、窒素をドープしつつOリッチ条件での成長を行い抵抗率が10Ωcm以上のII族酸化物絶縁層を成長させる工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛系酸化物半導体層とゲート絶縁膜層界面に存在する酸素欠損を原因とした通電によるしきい電位シフトやリーク電流の存在によりディスプレイデバイス向けの薄膜トランジスタとしての信頼性が得られなかった。
【解決手段】酸化亜鉛系酸化物半導体とゲート絶縁膜の界面に発生する酸素欠陥を物性値変化のほとんど起こらない酸素族元素である硫黄やセレンおよびこれらの化合物を用いた表面処理により終端する。製造プロセスに大きな変更を伴わず、酸化物半導体上もしくはゲート絶縁膜上を気相または液相処理を行うだけで、酸素欠損を硫黄やセレン原子が効果的に置換し、電子補足サイトの発生を防止する。その結果、薄膜トランジスタ特性におけるしきい電位シフトやリーク電流の抑制が実現される。 (もっと読む)


【課題】積層側の主面がC面を有するMgZnO基板上に平坦なZnO系半導体層を成長させることができるZnO系半導体素子を提供する。
【解決手段】主面がC面を有するMgxZn1−xO(0≦x<1)基板を用い、前記主面の法線を基板結晶軸のm軸c軸平面に射影した射影軸がc軸となす角Φmを、0<Φm≦3となるように形成した主面上に、ZnO系半導体層2〜5がエピタキシャル成長されている。そして、ZnO系半導体層5上にはp電極8が、MgxZn1−xO基板1の下側にはn電極9が形成されている。このようにして、MgxZn1−xO基板1の表面に、m軸方向に並ぶ規則的なステップを形成することで、ステップバンチングと呼ばれる現象を防ぎ、基板1上に積層される半導体層の膜の平坦性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】高耐圧電子デバイスおよび耐環境電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明においては、ダイオードやトランジスタ等の電子デバイス中で電子が走行する領域に、高純度の酸化モリブデンであって、その禁制帯幅が3.45eV以上であるような酸化モリブデンが用いられる。本発明によれば、高耐圧特性および高耐環境特性を有する電子デバイスが実現できる。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】積層ヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)は、基板と、基板上に成長する第1の酸化物半導体層と、第1の半導体層上に成長し、第1の半導体層とエネルギー・バンドギャップが異なる第2の酸化物半導体層と、を備え、また、前記第2の層は、ゲート領域と、ドレイン領域と、ソース領域と、を有し、ゲート領域、ドレイン領域、及びソース領域に対しては、HFETを形成するのに十分な電気的接触がもたらされる。基板は、単結晶材料を含む材料とすることができ、また、第1の半導体層がその上に成長するバッファ層材料を含有することができる。第1及び第2の半導体層の導電型ならびに各酸化物半導体層の組成は、HFETの所望の動作性能特性が改善されるように選択することができる。この積層構造は、半導体HFETデバイスの機能ならびに高周波及び高電力性能の改善に応用することができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、HEMT構造に適した“大きなバンドギャップの半導体/小さなバンドギャップの半導体/基板”構造で、2次元電子ガス層をチャンネル層として利用する構造の高電子移動度ZnOデバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 Zn極性(0001)面を有するアンドープZnO層及びZn極性(0001)面を有するアンドープZn1−xMgO(0.15≦x≦0.45)層のヘテロ接合を有し、Zn極性(0001)面を有するアンドープZnO層の2次元電子ガス層をチャンネル層とすることを特徴とする高電子移動度ZnOデバイスである。 (もっと読む)


【課題】III−V族窒化物系半導体やII−VI族系半導体材料のエピタキシャル成長において、高品質化と安定化を実現する半導体基板及びその半導体基板を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】基板部材11と、基板部材11上に形成された酸化ハフニウム層21、酸化ジルコニウム層22、HfZrO層50から選ばれる1種又は2種を含む層から形成されるバッファ層(3a〜3n)と、バッファ層(3a〜3n)上に配置されるIII族窒化物系半導体層30若しくはII―VI族化合物半導体層40とを備える半導体基板(2a〜2n)及びその半導体基板(2a〜2n)を備える半導体装置。
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【課題】IV族元素半導体、III−V族化合物半導体、II−V族化合物半導体、IV族化合物半導体、有機半導体、金属結晶もしくはそれらの誘導体又はガラスから成る基板上に作製された高耐圧電子デバイスおよび耐環境電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明においては、ダイオードやトランジスタ等の電子デバイス中で電子又は正孔が走行する領域に、既存の半導体デバイスに用いられている材料から成る基板上に必要に応じて酸化モリブデンから成るバッファ層を介して形成された高純度の酸化モリブデンが用いられる。これにより、高耐圧特性及び高耐環境特性を有する安価な電子デバイスが実現できる。 (もっと読む)


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