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Fターム[5F102GL01]の内容

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Fターム[5F102GL01]に分類される特許

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【課題】II族酸化物半導体を用いた半導体素子における新規な絶縁層形成技術を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、(a)基板上方に、II族酸化物半導体層を成長させる工程と、(b)II族酸化物半導体層上に、窒素をドープしつつOリッチ条件での成長を行い抵抗率が10Ωcm以上のII族酸化物絶縁層を成長させる工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】開放端電圧が高い有機光電変換素子を製造しうる高分子化合物を提供することを目的とする。
【解決手段】式(1)で表される構成単位を有する高分子化合物。


(1)
〔式中、X及びXは、それぞれ独立に、窒素原子又は=CH−を表す。Yは、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、−N(R)−又は−CR=CR−を表す。R、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Wは、シアノ基、ニトロ基、フッ素原子を有する1価の有機基又はフッ素原子を表す。Wは、Wとは異なる基を表す。〕 (もっと読む)


【課題】安価に、デバイスの効率および長期間安定性が改善された薄膜半導体デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜半導体デバイスは、セルロースを含む材料、より具体的には、紙シート材料の基材および基材上の層に蒸着された無機材料の多数の薄膜層を含み、無機材料の多数の薄膜層のうち少なくとも一つは、該基材または基礎をなす無機材料の薄膜層の一方に印刷され、無機材料の多数の薄膜層のうちの少なくとも一つはナノ結晶シリコン粉末を含む活性半導体層およびポリマーを含む担体を含む。 (もっと読む)


【課題】Al原子を有するコンタクト電極が用いられる場合に、絶縁膜の絶縁信頼性を向上させることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板面12Bを有する炭化珪素基板10が準備される。基板面12Bの一部を覆うように絶縁膜15が形成される。絶縁膜15に接触するように基板面上にコンタクト電極16が形成される。コンタクト電極16はAl、TiおよびSi原子を含有する。コンタクト電極16は、Si原子およびTi原子の少なくともいずれかと、Al原子とを含有する合金から作られた合金膜50を含む。炭化珪素基板10とコンタクト電極16とがオーミックに接続されるようにコンタクト電極16がアニールされる。 (もっと読む)


【課題】高い電荷の移動度が得られる高分子化合物を提供すること。
【解決手段】式(1)及び(2)で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位を有する高分子化合物。


[式(1)におけるX11及びX12並びに式(2)におけるX21及びX22は、酸素又はカルコゲン原子を示す。] (もっと読む)


【課題】優れた電子輸送性を有する有機n型半導体として利用可能な新規化合物及び新規重合体の提供。
【解決手段】式(1−1)及び式(1−2)で表される構造単位からなる群より選択される、含窒素縮合環化合物。


[式中、Arは、芳香環を示し、Y及びYのうちいずれか一方は、−C(=X)−で表される基を示し、他方は、単結合を示し、Y及びYのうちいずれか一方は、−C(=X)−で表される基を示し、他方は、単結合を示し、X及びXは、酸素原子等を示し、Z及びZは、酸素原子等を示す。] (もっと読む)


【課題】より信頼性の高い有機半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】連続的な第一の電極と、多数の孔が形成された絶縁層及び第二の電極と、連続的な有機半導体層と、連続的な第三の電極と、を有する有機半導体素子とする。また、基板に連続的な第一の電極を形成する工程、第一の電極上に荷電微粒子を分散付着させる工程、第一の電極及び前記分散付着した荷電微粒子上に絶縁層及び第二の電極を形成する工程、荷電微粒子を除去する工程、連続した有機半導体層を形成する工程、有機半導体層上に第三の電極を形成する工程、を有する有機半導体素子の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】比較的簡素な構成で、シート抵抗及びゲートリーク電流の増加、出力の低下等の不都合を生ぜしめることなく、所期のノーマリ・オフを実現する。
【解決手段】化合物半導体層が電子走行層2、中間層3、電子供給層4、及びキャップ層5を有して構成され、キャップ層5上にゲート絶縁膜9を介してゲート電極15が形成されており、ゲート絶縁膜9は、キャップ層5の表面に酸素プラズマが照射されて形成されたGa23を含む極性反転層6と、極性反転層6の存在でO極性のZnOとなった逆極性層7とが積層されてなる。 (もっと読む)


【課題】容量増加による高周波特性の劣化及び裏面電極に起因する絶縁破壊を抑止し、チップ面積を増加させることなく、インパクトイオン化により生成したホールを容易且つ確実に引き抜いて排出することを可能として、高耐圧性及び高信頼性を実現する化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性又は半絶縁性の基板1の表面に電子走行層3、電子供給層4が形成され、電子供給層4内には局所的なp型領域7が形成されており、基板1の裏面にp型領域7の一部を露出させる開口1aが形成され、開口1aを導電材料で埋め込みp型領域7とオーミック接続された裏面電極8を備え、AlGaN/GaN・HEMTが構成される。 (もっと読む)


【課題】高い有機溶媒溶解性を有し、低いエネルギー付与で有機半導体化合物に変換可能な置換基脱離化合物と、これを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】一般式(I)で表され、エネルギー付与により一般式(Ia)で表される化合物と一般式(II)で表される化合物に変換可能なことを特徴とする置換基脱離化合物。


[式(I)、(Ia)、(II)中、XおよびYは水素原子もしくは脱離性置換基を表し、該XおよびYのうち一方は脱離性置換基であり、他方は水素原子である。Q乃至Qは水素原子、ハロゲン原子または、一価の有機基である。] (もっと読む)


【課題】印刷等の簡便なプロセスで成膜できる溶解性を有し、成膜後は簡単な処理により不溶化し、後工程でのダメージを軽減できると共に、不溶化処理後は良好な半導体特性を示すジチエノベンゾジチオフェン誘導体からなる有機半導体材料前駆体、該前駆体を含有するインク、該インクを用いて作製された絶縁部材、電荷輸送性部材、有機電子デバイスの提供。
【解決手段】下記一般式(I)で表されるジチエノベンゾジチオフェン誘導体からなることを特徴とする有機半導体材料前駆体。


〔上記式中、X及びYは、外部刺激によりXとYが結合してX−Yとして一般式(I)の化合物から脱離する基を表し、R及びRはそれぞれ独立に、アルキル基、又はアリール基を表し、R〜R10はそれぞれ独立に、水素、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、又はアリール基を表す。〕 (もっと読む)


【課題】電荷輸送性、安定性に優れた有機半導体材料として有用な芳香族化合物の提供。
【解決手段】式(1)


[式中、Ar11は、芳香環を含む基を示し、X11及びX12は、式(1a)又は式(1b)で表される基を示す。]で表される芳香族化合物。 (もっと読む)


【課題】グラフェン層を備えた電子デバイスの高性能化を図る。
【解決手段】電子デバイス100は、結晶性材料からなる下層108と、結晶性材料からなる上層110と、下層108と上層110との間に位置するn−グラフェン層102とを含み、下層108及び/又は上層110が4以上の比誘電率を有する高比誘電率材料からなる電子デバイスである。n−グラフェン層102は、グラフェンの単層構造、又は複数のグラフェン単層の積層構造である。 (もっと読む)


【課題】無機半導体で導入されているHEMT構造素子で用いられているキャリア誘起の機能を電界効果型有機トランジスタに適用して、半導体層に無機材料を用いること無く、簡易にトランジスタ性能を向上させる。
【解決手段】有機半導体層の上面、下面、又はその両面に有機系材質層を形成し、或いは前記有機半導体層の内部に有機系材質部材を混合する。有機系材質層或いは有機系材質部材の材質は、有機半導体層と接合するだけでは自発的には電荷移動を生じないが、ソース電極、ドレイン電極、或いはゲート電極に電圧がかけられた時に、有機半導体層との間で、電荷移動を生じさせることにより、有機半導体層中にキャリアを注入し或いは誘起する材質から選択される。 (もっと読む)


【課題】低電圧で作動するとともに大きなベース電圧を印加した場合でも耐電圧が高く、各種の回路素子への応用が容易で、製造コストを抑えた有機トランジスタ及び回路素子を提供する。
【解決手段】コレクタ電極1とエミッタ電極2と両電極間に設けられた有機半導体層3と有機半導体層3内に設けられたベース電極4とを有する縦型トランジスタ部、及び、ベース電極4とベース電圧電源端子7との間に設けられた抵抗部6、を有する。抵抗部6は、コレクタ電極1と同じ材料からなりベース電圧電源端子7に接続する第1電極21と、エミッタ電極2と同じ材料からなりベース電極4に接続する第2電極22と、有機半導体層3と同じ材料からなり第1電極21及び第2電極22間に挟まれた抵抗層24とを有する。 (もっと読む)


【課題】汎用溶媒に対する溶解性が非常に高く、湿式成膜が可能な低コストプロセスに適応可能であり、さらに、容易に均質性の高い薄膜を得ることが可能な有機エレクトロニクス用材料として有用なオリゴチオフェン類からなる有機半導体材料およびこれを用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記一般式(I)で表わされることを特徴とする有機半導体材料。


(式中、RおよびRは、互いに異なるアルキル基を表わし、xおよびyは、それぞれ独立に1または2の整数を表わす。) (もっと読む)


本発明は、特に光電子工学、太陽光技術、およびセンサ技術の電子部品において使用するための透明な整流性接触構造ならびにその製造方法に関する。本発明による透明な整流性接触構造は、下記の構成要素:a)透明な半導体、b)金属酸化物、金属硫化物、および/または金属窒化物から成り、透明で絶縁性でなく伝導性でなく、固有抵抗が好ましくは10Ωcm〜10Ωcmの範囲内である層、およびc)透明な導電体から成る層を有し、層b)は半導体a)と層c)の間に形成されており、この層b)の組成は特許明細書の中で詳しく定義されている。 (もっと読む)


【課題】雰囲気安定性、高ON/OFF比、高電流密度等の優れた特性を有する実用的な縦型有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】一般式(1)で表される化合物を半導体材料として含む、縦型有機半導体デバイス。


(R及びRはそれぞれ独立に置換基を有してもよい芳香族基を表す) (もっと読む)


【課題】塗工や印刷等の簡便なプロセスで製造でき、再現性のよい特性が得られる有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を具備する有機薄膜トランジスタであって、前記有機半導体層が下記一般式(I)で示される繰り返し単位を有する重合体を主成分とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。


(式中、ArおよびArは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基の2価基であり、Arは置換もしくは無置換の1価の芳香族炭化水素基を表す。R、RおよびRは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、または置換もしくは無置換のアルキルチオ基から選択された基を表し、同一でも別異でもよく、x、yおよびzは、それぞれ0から2までの整数を表し、同一でも別異でもよく、nは1以上の整数を表わす。) (もっと読む)


【課題】チャネル抵抗を大幅に低減した電界効果トランジスタ実装体を実現できるようにする。
【解決手段】トランジスタ実装体の製造方法は、トランジスタ100を形成する工程(a)と、形成基板101を研磨する工程(b)と、形成基板101を研磨したトランジスタ100を保持基板200に固定する工程(c)とを備えている。工程(a)は、形成基板101の主面上に第1の半導体層及び該第1の半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の半導体層を順次形成する。工程(b)は、形成基板101における主面と反対側の面を研磨する。工程(c)は、形成基板101の反りが小さくなる方向の応力を形成基板101に印加した状態でトランジスタ100を保持基板200の上に固定する。 (もっと読む)


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