【課題】高い電荷の移動度が得られる高分子化合物を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物。


［Ａｒ^１及びＡｒ^２は、芳香族炭化水素環、複素環、又は芳香族炭化水素環と複素環との縮合環である。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換シリル基、非置換若しくは置換のカルボキシル基、１価の複素環基、シアノ基又はフッ素原子を示す。］ （もっと読む）

【課題】塗工や印刷あるいは蒸着等の簡便なプロセスで、二次元的に結晶成長することにより連続膜が成膜できる、特性の優れた有機半導体材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表わされることを特徴とする有機半導体材料。


（一般式（Ｉ）中、Ｒ^１からＲ^１０はそれぞれ独立に、水素、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基又は置換若しくは無置換のアルキルチオ基、置換若しくは無置換のアリール基を表わし、Ｒ^１からＲ^１０は互いに結合して環を形成してよく、Ｘは炭素又は窒素を表す） （もっと読む）

【課題】電荷移動度の経時安定性に優れた有機半導体層を備える有機半導体トランジスタを提供すること。
【解決手段】複数の電極と下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有する有機半導体層とを備える有機半導体トランジスタ。一般式（Ｉ）中、Ｒ^１はそれぞれ独立に炭素数３以上２０以下の直鎖状アルキル基、炭素数３以上２０以下の直鎖状アルコキシ基、炭素数３以上２０以下の分岐状アルキル基又は炭素数３以上２０以下の分岐状アルコキシ基を表し、Ｒ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下の直鎖状アルキル基、炭素数１以上２０以下の直鎖状アルコキシ基、炭素数３以上２０以下の分岐状アルキル基又は炭素数３以上２０以下の分岐状アルコキシ基を表す。
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【課題】高いキャリア移動度と安定性を有し、容易なプロセスで作製可能な有機半導体材料及び有機デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式で表されるポルフィリン２量体を含む有機半導体材料、及び、ビシクロ構造を有する前駆体としてのポルフィリン２量体を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布し、加熱することにより、上記ポルフィリン２量体に変換する有機半導体材料の製造方法、並びに、半導体層と２以上の電極とを有する有機電子デバイスにおいて、該半導体層が上記有機半導体材料を含む有機電子デバイス。
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【課題】電気伝導性が良く、バンドギャップもＩｎＡｓより大きいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｇａ組成ｘが０＜ｘ＜０．５を満たすＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ多結晶薄膜を、分子線蒸着法によってガラス基板又はプラスチック基板上に形成することで、バンドギャップがＩｎＡｓより大きく、十分な電気伝導性を持ったｎ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を得る。このようにして形成したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を半導体装置のｎ型層に用いる。 （もっと読む）