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Fターム[5F102GL12]の内容

Fターム[5F102GL12]に分類される特許

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【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。
【解決手段】電子キャリア濃度が1015/cm以上、1018/cm未満である、In―Zn―Ga酸化物、In―Zn―Ga―Mg酸化物、In―Zn酸化物、In―Sn酸化物、Sn−In−Zn酸化物、In酸化物、Zn―Ga酸化物、及びIn―Ga酸化物のうちのいずれかである非晶質酸化物を、N型半導体として用いたN型TFTを含む回路を構成要素としており、前記N型TFTは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が10マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が1cm/(V・秒)超であることを特徴とする集積回路。 (もっと読む)


【課題】 電界緩和を図り高耐圧化を実現することに加え、デバイスサイズの更なる減少化、正孔の引き抜きを容易にして、信頼性の高い優れた化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体装置は、GaAs等の第1の化合物半導体層上に、電子に対する障壁が伝導帯にあり、且つ正孔に対する障壁が価電子帯にない、即ちタイプII構造のバンド構造を有する属元素と6属元素の化合物からなるアモルファス層、例えばアモルファスGaS層(a−GaS層)を有するものである。 (もっと読む)


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