【課題】ＧａＮ電子走行層、ＡｌＧａＮ電子供給層、およびＧａＮキャップ層が順次積層された半導体装置において、高周波数動作および高出力動作を実現することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に順次積層されたＧａＮ電子走行層１２、ＡｌＧａＮ電子供給層１４、およびＧａＮキャップ層１６と、ＧａＮキャップ層１６上に形成されたゲート電極１８と、ゲート電極１８の両側であって、ＡｌＧａＮ電子供給層１４上に形成されたソース電極２０およびドレイン電極２２と、ゲート電極１８とソース電極２０との間のＧａＮキャップ層１６に形成された第１の凹部３０と、を具備し、第１の凹部３０が有する底面３２下におけるＧａＮキャップ層１６の厚さは、ゲート電極１８下におけるＧａＮキャップ層１６の厚さに比べて薄い半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】、ショットキ接合のリーク電流を抑制すること。
【解決手段】本発明は、チャネル層を含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層に接して設けられ不活性ガス雰囲気中で熱処理されたＧＺＯ層２２を含むショットキ電極２０と、チャネル層に接続して設けられたオーミック電極１６、１８と、を具備する電界効果トランジスタおよびその製造方法である。本発明によれば、窒化物半導体層とＧＺＯ層２２とのショットキ接合を形成することにより、ショットキ接合の逆方向電流のリーク電流を抑制し、順方向電流の理想係数を１に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯトランジスタ又はＨＥＭＴのようなＺｎＯデバイスにおいて、ソース・ドレインのコンタクト抵抗を減少させることを課題とする。
【解決手段】 Ｚｎ極性面を有するアンドープＺｎＯ層をチャンネル層とし、該Ｚｎ極性面を有するＺｎＯ層上には、極性面反転層を介して、ソース・ドレインに接続されたＯ極性高濃度ｎ型ＺｎＯ層が、選択的に形成されていることを特徴とするＺｎＯデバイスである。 （もっと読む）