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Fターム[5F102GM01]の内容

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4族 (57)
3−5族 (2,057)

Fターム[5F102GM01]に分類される特許

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【課題】II族酸化物半導体を用いた半導体素子における新規な絶縁層形成技術を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、(a)基板上方に、II族酸化物半導体層を成長させる工程と、(b)II族酸化物半導体層上に、窒素をドープしつつOリッチ条件での成長を行い抵抗率が10Ωcm以上のII族酸化物絶縁層を成長させる工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】比較的簡素な構成で、シート抵抗及びゲートリーク電流の増加、出力の低下等の不都合を生ぜしめることなく、所期のノーマリ・オフを実現する。
【解決手段】化合物半導体層が電子走行層2、中間層3、電子供給層4、及びキャップ層5を有して構成され、キャップ層5上にゲート絶縁膜9を介してゲート電極15が形成されており、ゲート絶縁膜9は、キャップ層5の表面に酸素プラズマが照射されて形成されたGa23を含む極性反転層6と、極性反転層6の存在でO極性のZnOとなった逆極性層7とが積層されてなる。 (もっと読む)


【課題】容量増加による高周波特性の劣化及び裏面電極に起因する絶縁破壊を抑止し、チップ面積を増加させることなく、インパクトイオン化により生成したホールを容易且つ確実に引き抜いて排出することを可能として、高耐圧性及び高信頼性を実現する化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性又は半絶縁性の基板1の表面に電子走行層3、電子供給層4が形成され、電子供給層4内には局所的なp型領域7が形成されており、基板1の裏面にp型領域7の一部を露出させる開口1aが形成され、開口1aを導電材料で埋め込みp型領域7とオーミック接続された裏面電極8を備え、AlGaN/GaN・HEMTが構成される。 (もっと読む)


【課題】大きな電流密度あるいは大きな利得での駆動と低いオン抵抗とを両立したHFETを得る。
【解決手段】InAlGa1−x−yAs1−z(ただしx、yおよびzは、0≦x<1、0≦y<1、0<x+y≦1および0≦z≦1を満たす)からなる半導体層を有し、前記半導体層が、トランジスタのソースとして機能するソース領域の全部または一部と、前記トランジスタのドレインとして機能するドレイン領域の全部または一部と、前記ソース領域および前記ドレイン領域の間に配置され、前記トランジスタのゲートとして機能するゲート領域の全部または一部とを含み、前記ゲート領域の全部または一部における前記半導体層の最大電子親和力が、前記ソース領域の全部または一部における前記半導体層の最小電子親和力または前記ドレイン領域の全部または一部における前記半導体層の最小電子親和力より小さい半導体基板を提供する。 (もっと読む)


【課題】無機半導体で導入されているHEMT構造素子で用いられているキャリア誘起の機能を電界効果型有機トランジスタに適用して、半導体層に無機材料を用いること無く、簡易にトランジスタ性能を向上させる。
【解決手段】有機半導体層の上面、下面、又はその両面に有機系材質層を形成し、或いは前記有機半導体層の内部に有機系材質部材を混合する。有機系材質層或いは有機系材質部材の材質は、有機半導体層と接合するだけでは自発的には電荷移動を生じないが、ソース電極、ドレイン電極、或いはゲート電極に電圧がかけられた時に、有機半導体層との間で、電荷移動を生じさせることにより、有機半導体層中にキャリアを注入し或いは誘起する材質から選択される。 (もっと読む)


【課題】チャネル抵抗を大幅に低減した電界効果トランジスタ実装体を実現できるようにする。
【解決手段】トランジスタ実装体の製造方法は、トランジスタ100を形成する工程(a)と、形成基板101を研磨する工程(b)と、形成基板101を研磨したトランジスタ100を保持基板200に固定する工程(c)とを備えている。工程(a)は、形成基板101の主面上に第1の半導体層及び該第1の半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の半導体層を順次形成する。工程(b)は、形成基板101における主面と反対側の面を研磨する。工程(c)は、形成基板101の反りが小さくなる方向の応力を形成基板101に印加した状態でトランジスタ100を保持基板200の上に固定する。 (もっと読む)


【課題】製造工程を簡略化しながらも、特性のばらつきがなく、信頼性に優れたノーマリオフ特性を有する窒化物半導体からなる半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、窒化物半導体からなるチャネル層103と、チャネル層103の上に形成され、該チャネル層103よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体からなる電子供給層104と、電子供給層104の上に選択的に形成されたp型半導体層105と、p型半導体層105の上に形成されたゲート電極106と、ゲート電極106の両側方の領域に、それぞれ少なくとも電子供給層104と接するように形成されたソース電極107及びドレイン電極108とを有している。p型半導体層105は、六方晶のII−VI族化合物半導体、例えばp型ZnOにより構成されている。 (もっと読む)


【課題】アクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタドープ層におけるアクセプタ濃度の増大を図らなくても、ホール濃度を十分な濃度とし、p型化を容易に実現できる半導体素子を提供する。
【解決手段】ZnO基板1上に、アンドープZnO層2、共ドープMgZnO層3、透明導電膜4が順に積層されている。ここで、共ドープMgZnO層3は、アクセプタ元素とドナー元素とが共に含まれている共ドープ層である。共ドープMgZnO層3のバンドギャップは、共ドープ層以外の半導体層中で最も小さいバンドギャップとなるアンドープZnO層2のバンドギャップよりも大きくなるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】界面に発生するキャリアを有効に活用することができ、高速応答性が確保できる新しいタイプの半導体素子を提供する。
【解決手段】n型シリコン(Si)基板11に、p型不純物ドープ領域11aが形成されている。n型シリコン基板11上及びp型不純物ドープ領域11aを覆うように、TCNQ層12が形成されている。TCNQ層12上にはMgZnO層13が形成されている。他の例では、p型シリコン基板111に、n型不純物ドープ領域111aが形成されている。p型シリコン基板111上及びn型不純物ドープ領域111aを覆うように、TTF層16が形成され、TTF層16上にはMgZnO層13が形成されている。無機半導体のシリコンと有機分子層であるTCNQ層12又はTTF層16との間でホール蓄積層又は電子蓄積層が形成される。 (もっと読む)


【課題】ドナー元素を含む半導体層を備えた半導体素子を形成する場合に、このドナー元素が上層に拡散することを抑制することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】ZnO基板上にGaドープMgZnO層、アンドープMgZnO層、窒素ドープMgZnO層、アンドープ活性層、窒素ドープMgZnO層と積層した積層体でGaの拡散を分析した。アンドープMgZnO層の次の窒素ドープMgZnO層で、拡散してきたGaの濃度が表面側になるにつれて、急激に減少しており、この窒素ドープMgZnO層の上層にGaは拡散していない。このように、ドナー元素を含む同一組成のドナー含有半導体層の一部に、アクセプタ元素を含み前記ドナー含有半導体層と同一組成のアクセプタ含有半導体層を形成することで、ドナー元素の拡散を防止できる。 (もっと読む)


【課題】高性能、高品質のチャ領域を構成することができるZnO系トランジスタを提供する。
【解決手段】MgZnO基板1上に、MgZnO層2、MgZnO層3が積層されている。MgZnO層2とMgZnO層3の界面で2次元電子ガスが発生する。4はゲート絶縁膜又は有機物電極であり、MgZnO層3に接して形成されている。ゲート絶縁膜又は有機物電極4上にはゲート電極5が、ドナードープ部3a上には各々ソース電極6、ドレイン電極7が形成されている。このように、トランジスタのチャネル領域をMgZnO層で形成する。 (もっと読む)


【課題】基板上に積層された薄膜に影響を与えない絶縁性ZnO系基板を用いたZnO系トランジスタを提供する。
【解決手段】MgZnO基板1上に、MgZnO層2、MgZnO層3が積層されている。MgZnO層2とMgZnO層3の界面で2次元電子ガスが発生する。4はゲート絶縁膜又は有機物電極であり、MgZnO層3に接して形成されている。ゲート絶縁膜又は有機物電極4上にはゲート電極5が、ドナードープ部3a上には各々ソース電極6、ドレイン電極7が形成されている。MgZnO基板1は、遷移金属を含み、かつ抵抗率が1×10Ωcm以上に絶縁化されている。 (もっと読む)


【課題】ゲートに絶縁体を用いるZnO系トランジスタで、ゲート制御動作を迅速に行うことができるZnO系トランジスタを提供する。
【解決手段】MgZnO基板1上に、MgZnO層2、MgZnO層3が積層されている。MgZnO層2とMgZnO層3の界面で2次元電子ガスが発生する。4はゲート絶縁膜であり、MgZnO層3に接して形成されている。ゲート絶縁膜は、立方晶の結晶構造を有し、Mg及びCa成分を含んだ酸化物であるMgCaO膜4で構成されている。MgCaO膜4上にはゲート電極5が形成される。このようにして、ゲート絶縁膜とZnO系半導体との格子不整合を緩和する。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛系酸化物半導体層とゲート絶縁膜層界面に存在する酸素欠損を原因とした通電によるしきい電位シフトやリーク電流の存在によりディスプレイデバイス向けの薄膜トランジスタとしての信頼性が得られなかった。
【解決手段】酸化亜鉛系酸化物半導体とゲート絶縁膜の界面に発生する酸素欠陥を物性値変化のほとんど起こらない酸素族元素である硫黄やセレンおよびこれらの化合物を用いた表面処理により終端する。製造プロセスに大きな変更を伴わず、酸化物半導体上もしくはゲート絶縁膜上を気相または液相処理を行うだけで、酸素欠損を硫黄やセレン原子が効果的に置換し、電子補足サイトの発生を防止する。その結果、薄膜トランジスタ特性におけるしきい電位シフトやリーク電流の抑制が実現される。 (もっと読む)


【課題】積層側の主面がC面を有するMgZnO基板上に平坦なZnO系半導体層を成長させることができるZnO系半導体素子を提供する。
【解決手段】主面がC面を有するMgxZn1−xO(0≦x<1)基板を用い、前記主面の法線を基板結晶軸のm軸c軸平面に射影した射影軸がc軸となす角Φmを、0<Φm≦3となるように形成した主面上に、ZnO系半導体層2〜5がエピタキシャル成長されている。そして、ZnO系半導体層5上にはp電極8が、MgxZn1−xO基板1の下側にはn電極9が形成されている。このようにして、MgxZn1−xO基板1の表面に、m軸方向に並ぶ規則的なステップを形成することで、ステップバンチングと呼ばれる現象を防ぎ、基板1上に積層される半導体層の膜の平坦性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】ゲートリーク電流の増大、及び電流コラプス現象によるオン抵抗の増大を抑制できる窒化物系化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体からなる半導体層2と、半導体層2上に配置されたソース電極3及びドレイン電極4と、半導体層2上にソース電極3とドレイン電極4との間に配置された絶縁膜6と、絶縁膜6に設けられた開口部で半導体層2に接する有機半導体層7と、開口部の有機半導体層7上に配置されたゲート電極5とを備える。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】積層ヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)は、基板と、基板上に成長する第1の酸化物半導体層と、第1の半導体層上に成長し、第1の半導体層とエネルギー・バンドギャップが異なる第2の酸化物半導体層と、を備え、また、前記第2の層は、ゲート領域と、ドレイン領域と、ソース領域と、を有し、ゲート領域、ドレイン領域、及びソース領域に対しては、HFETを形成するのに十分な電気的接触がもたらされる。基板は、単結晶材料を含む材料とすることができ、また、第1の半導体層がその上に成長するバッファ層材料を含有することができる。第1及び第2の半導体層の導電型ならびに各酸化物半導体層の組成は、HFETの所望の動作性能特性が改善されるように選択することができる。この積層構造は、半導体HFETデバイスの機能ならびに高周波及び高電力性能の改善に応用することができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、HEMT構造に適した“大きなバンドギャップの半導体/小さなバンドギャップの半導体/基板”構造で、2次元電子ガス層をチャンネル層として利用する構造の高電子移動度ZnOデバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 Zn極性(0001)面を有するアンドープZnO層及びZn極性(0001)面を有するアンドープZn1−xMgO(0.15≦x≦0.45)層のヘテロ接合を有し、Zn極性(0001)面を有するアンドープZnO層の2次元電子ガス層をチャンネル層とすることを特徴とする高電子移動度ZnOデバイスである。 (もっと読む)


【課題】上述した課題を解決するために創案されたものであり、ZnO系半導体と有機物とを能動的な役割に用い、従来とは異なる全く新規な機能を有するZnO系半導体素子を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体1上に有機物電極2が形成されており、有機物電極2の上にはAu膜3が形成されている。ZnO系半導体1の裏面には有機物電極2に対向するように、Ti膜4とAu膜5の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極2とZnO系半導体1との接合界面は、pn接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、複数の縦型有機トランジスタを用いた、インバータ特性を示す半導体デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】第一の電極21と、第一の電極上21の第一の半導体層22、24と、第一の半導体層22、24上の第三の電極25と、第一の半導体層22、24の導電型と導電型が同一である第三の電極25上の第二の半導体層26、28と、第二の半導体層26、28に挿入された第五の電極29と、第一の半導体層22、24に挿入された第二の電極23と、第二の半導体層26、28中に挿入された第四の電極27とを有することを特徴とする半導体デバイス。 (もっと読む)


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