説明

Fターム[5F102GR07]の内容

Fターム[5F102GR07]の下位に属するFターム

Fターム[5F102GR07]に分類される特許

1 - 20 / 275



【課題】 寄生ダイオードを介したリーク電流を抑えること。
【解決手段】 半導体装置1は、c面を表面とする窒化物半導体の半導体層13と、厚みが減少する厚み減少部14aを有する窒化物半導体のp型の埋込み層14と、を備える。埋込み層14では、厚み減少部14aの内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と厚み減少部14aの傾斜面の間のp型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する。 (もっと読む)


【課題】比較的簡素な構成で電流コラプスの発生を抑制し、デバイス特性の劣化を抑えた信頼性の高い高耐圧のAlGaN/GaN・HEMTを実現する。
【解決手段】SiC基板1上に化合物半導体積層構造2を備えたAlGaN/GaN・HEMTにおいて、3層のキャップ層2eを用いることに加え、キャップ層2eのドレイン電極5の近傍(ゲート電極6とドレイン電極5との間で、ドレイン電極5の隣接箇所)に高濃度n型部位2eAを形成し、高濃度n型部位2eAでは、そのキャリア濃度が電子供給層2dのキャリア濃度よりも高く、そのエネルギー準位がフェルミエネルギーよりも低い。 (もっと読む)


【課題】耐圧を高めた窒化物半導体素子及び製造方法を提供する。
【解決手段】第1の窒化物層31と該第1の窒化物層31の材料より広いエネルギバンドギャップを有する材料を含む第2の窒化物層33とが異種接合され、該接合界面寄りに2次元電子ガス(2DEG)チャネルが形成された窒化物半導体層30と、窒化物半導体層30上にオーミック接触されるソース電極50とドレイン電極60と、ソース電極50とドレイン電極60との間の窒化物半導体層30上に形成され、ソース電極50から所定距離だけ離間された第1の側壁からドレイン側へ長く形成された多数のP型窒化物半導体セグメント80と、ソース電極50とドレイン電極60との間でソース電極50に近く形成され、多数のP型窒化物半導体セグメント80間の窒化物半導体層30上及びP型窒化物半導体セグメント80上に接触されるゲート電極70とを含む。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧のばらつきを低減できる炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置10は、基板11と、基板11上に設けられ、主表面13Aと、主表面13Aと交差する厚さ方向とを有する炭化珪素層4とを含む。炭化珪素層4は、チャネル層7と、ソース領域15と、ドレイン領域17と、ソース領域15とドレイン領域17との間において、ゲート領域16Rとを含む。ゲート領域16Rはチャネル層7に対して、第1の導電型と異なる第2の導電型を有するようにエピタキシャル成長されている。 (もっと読む)


【課題】ノーマリーオフ特性を具現すると共にゲートリーク電流を抑制する窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第1の窒化物層31とその材料より広いエネルギバンドギャップを有する材料を含む第2の窒化物層33とが異種接合され、接合界面寄りに2次元電子ガス(2DEG)チャネルが形成された窒化物半導体層30と、その上にオミック接触されたソース電極50と、これから離間して窒化物半導体30層上にオミック接触されたドレイン電極60と、ソース電極50とドレイン電極60との間の窒化物半導体層30上に、これらから離間して形成されたP型窒化物層40と、この上に形成されたN型窒化物層140と、ソース側の側壁が、P型窒化物層40及びN型窒化物層140のソース側の側壁と整列するようにN型窒化物層140上に接触させたゲート電極70とを含む。 (もっと読む)


【課題】ゲート領域近傍のチャネル部分の抵抗を低減することにより、従来よりも特性オン抵抗が低い炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置は、基板11と、基板11上に設けられ、主表面13Aと、主表面13Aと交差する厚さ方向とを有する炭化珪素層4とを有している。炭化珪素層4は、チャネル層13と、ソース領域15と、ドレイン領域17と、ソース領域15とドレイン領域17との間において、厚さ方向に沿って主表面13Aからチャネル層13中に突き出るように延びるゲート領域16とを含んでいる。ゲート領域16の対向方向に沿った寸法は、主表面13Aから離れるにつれて小さくなっている。 (もっと読む)


【課題】高電圧動作時においても電流コラプス現象を十分に抑制し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】HEMTは、化合物半導体層2と、開口を有し、化合物半導体層2上を覆う保護膜と、開口を埋め込み、化合物半導体層2上に乗り上げる形状のゲート電極7とを有しており、保護膜は、酸素非含有の下層絶縁膜5と、酸素含有の上層絶縁膜6との積層構造を有しており、開口は、下層絶縁膜5に形成された第1の開口5aと、上層絶縁膜6に形成された第1の開口5aよりも幅広の第2の開口6aとが連通してなる。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体積層構造上の絶縁膜に所期の微細な開口を形成するも、リーク電流を抑止した信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体積層構造2上にパッシベーション膜6を形成し、パッシベーション膜6の電極形成予定位置をドライエッチングにより薄化し、パッシベーション膜6の薄化された部位6aをウェットエッチングにより貫通して開口6bを形成し、この開口6bを電極材料で埋め込むように、パッシベーション膜6上にゲート電極7を形成する。 (もっと読む)


【課題】長期にわたって安定した動作が可能な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された電子走行層3及び電子供給層5と、電子供給層5上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11daと、電子供給層5とゲート電極11gとの間に形成された第1のp型半導体層7aと、ソース電極11sと電子供給層5との間に形成されたp型半導体層7と、が設けられている。第2のp型半導体層7上のソース電極11sには、第1の金属膜11saと、第1の金属膜11saにゲート電極11g側で接し、第1の金属膜11saよりも抵抗が大きい第2の金属膜11sbと、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】ドレイン−ソース間のリーク電流が少なく、かつ、ノーマリーオフの半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11の上に形成された不純物元素を含む第1の半導体層13と、第1の半導体層13の上に形成された第2の半導体層16と、第2の半導体層16の上に形成された第3の半導体層17と、第3の半導体層17の上に形成されたゲート電極21、ソース電極22及びドレイン電極23と、を有し、第2の半導体層16において、ゲート電極21の直下には、第1の半導体層13と接し、第1の半導体層13に含まれる不純物元素が拡散している不純物拡散領域15が形成されており、不純物元素は、不純物拡散領域がp型となる元素であることを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】逆ピエゾ効果が効果的に抑制され、オフ時の高電界状態であっても、ゲート電極近傍でクラックの発生が抑止されたスイッチング素子を提供する。
【解決手段】スイッチング素子1は、電子走行層13と、電子走行層13の上面に形成され、バンドギャップが電子走行層13より大きく電子走行層13とヘテロ接合する電子供給層14と、ソース電極15とドレイン電極16と、ソース電極15とドレイン電極16の間に配置されたゲート電極17とを備え、ゲート電極の下方に、電子供給層14に替えて、逆ピエゾ抑制層20を配置してなる。逆ピエゾ抑制層20は、ヘテロ接合よりも格子不整合が緩和された状態で電子走行層13と接合するように、その組成等が調整されており、ゲート電極17との接触領域A2のドレイン電極16側境界B4を跨ぐように配置される。 (もっと読む)


【課題】特性の低下を抑制しながらノーマリオフ動作を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された電子走行層3及び電子供給層5と、電子供給層5上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11dと、電子供給層5とゲート電極11gとの間に形成されたp型半導体層8と、が含まれている。p型半導体層8に含まれるp型不純物として、少なくとも電子走行層3及び電子供給層5のいずれかを構成する元素と同種の元素が用いられている。 (もっと読む)


【課題】耐圧が高く、かつ、リーク電流が効果的に低減された窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板210と、ベース基板の上方に形成されたバッファ層280と、バッファ層280上に形成された活性層290と、活性層の上方に形成された少なくとも2つの電極292および294とを備え、バッファ層280は格子定数の異なる複数の窒化物半導体層を含む複合層を1層以上有し、複合層の少なくとも1層は、複数の窒化物半導体層のうち格子定数が最も大きい窒化物半導体層のキャリア領域に予め定められた濃度の炭素原子及び予め定められた濃度の酸素原子が意図的にドープされている窒化物半導体素子。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高いヘテロ接合を有するノーマリオフ型の半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置1は金属膜22を備えている。金属膜22は、ゲート部30とドレイン電極24及び/又はソース電極26の間の半導体積層体10の表面の少なくとも一部に設けられている。金属膜22は、半導体積層体10の表面部に窒素空孔を形成することが可能な材料である。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体層をチャネルとして用いたトランジスタにおいて、オン抵抗を低くしつつ、閾値電圧を高くする。
【解決手段】キャップ層400と障壁層300の界面、及びチャネル層200とバッファ層100の界面には圧縮歪が生じており、障壁層300とチャネル層200の界面には引張り歪が生じている。このため、キャップ層400と障壁層300の界面、並びにチャネル層200とバッファ層100の界面において、負の電荷が正の電荷よりも多くなっており、障壁層300とチャネル層200の界面において、正の電荷が負の電荷よりも多くなっている。チャネル層200は、第1層、第2層、及び第3層の積層構造を有している。第2層は、第1層及び第3層よりも電子親和力が大きい。 (もっと読む)


【課題】多様な構造を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1の上方に形成された化合物半導体層2と、が設けられている。化合物半導体層2には、第1の不純物の活性化により発生した第1導電型のキャリアを含む第1の領域2aと、第1の不純物と同一種類の第2の不純物の活性化により発生したキャリアを、第1の領域2aよりも低濃度で含有する第2の領域2bと、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極に臨む領域の半導体層へのダメージ層の形成を抑制して、ノーマリオフ動作を実現することができるヘテロ接合電界効果型トランジスタを備える半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】チャネル層23とヘテロ接合を形成するバリア層24のうち、ゲート電極29に臨む領域を除く他の領域に、バリア層24の伝導帯から、チャネル層23とバリア層24とのヘテロ界面のバンド不連続量ΔEcと、バリア層24に発生する分極によるバリア層24のゲート電極29側とヘテロ界面側とのエネルギー差ΔEpとを足し合わせたエネルギー(ΔEc+ΔEp)までのエネルギー深さのバンドギャップ中に準位を形成する不純物をドーピングして、不純物ドーピング領域26を形成する。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極とチャネル層との間の障壁層に低抵抗領域を備えた構成において、ゲートリーク電流を防止することによりドレイン電流の最大値の向上を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体で構成されたチャネル層14と、チャネル層14上に設けられた上部障壁層15とを備え、上部障壁層15における表面層には、不純物を含有することにより周囲よりも低抵抗に保たれた低抵抗領域15gが設けられている。また、この低抵抗領域15gを挟んだ位置において上部障壁層15に接続されたソース電極17sおよびドレイン電極17dを備えている。さらに、低抵抗領域15g上に設けられたゲート絶縁膜18と、このゲート絶縁膜18を介して低抵抗領域15g上に設けられたゲート電極19とを備えている。 (もっと読む)


【課題】高濃度接合リークが発生することを抑制する。
【解決手段】第2ゲート領域8が備えられるトレンチ6の先端部においてJFET構造が形成されないように凹部13を形成する構造において、凹部13の底面と側面との境界部となるコーナ部にp型層16を形成するようにする。これにより、p型層16とp+型の第1ゲート領域3もしくは第2ゲート領域8とが同じ導電型となり、これらの間において高濃度接合が構成されないようにできる。したがって、ドレイン電位が第1ゲート領域3上に表出して、ゲート−ドレイン間耐圧を低下させてしまうことを防止でき、高濃度接合リーク(ゲートリークやドレインリーク)が発生することを防止することができる。 (もっと読む)


1 - 20 / 275