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Fターム[5F102GS09]の内容

接合型電界効果トランジスタ (42,929) | ゲート電極構造 (2,097) | 平面形状 (492) | 櫛歯状、蛇行状 (270)

Fターム[5F102GS09]に分類される特許

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【課題】チャージアップに起因するリーク電流及び閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体層内に、活性領域30を含むFET34、活性領域30からなるスクライブライン36、FET34とスクライブライン36との間に位置する不活性領域32、及び不活性領域32を横断してFET34とスクライブライン36とを電気的に接続する接続領域38を設ける工程と、半導体層上に絶縁膜20を形成する工程と、ドライエッチング法により絶縁膜20に選択的に開口部21を形成する工程と、を有する半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを実装できる幅を増大し、実装基板上を有効に使用可能な高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】導体ベースプレートと、導体ベースプレート上に配置されたマルチセル構成の半導体チップと、導体ベースプレート上に配置され、半導体チップを内在する矩形のキャビティを形成する金属壁と、金属壁の入出力部に設けられた貫通孔とを備え、半導体チップを、金属壁に囲まれた矩形のキャビティ内において、半導体チップの長手方向が、貫通孔の設けられていない金属壁の延伸方向から0度より大で、90度より小の所定の角度に配置した半導体装置。 (もっと読む)


【課題】ボンディングワイヤの長さを長くすることなくインダクタンスの値を大きくできる高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体装置1は、マルチセル構成の半導体チップ24と、整合回路と、半導体チップ24と整合回路間に並列に接続された複数本のボンディングワイヤ12、14とを備え、複数本のボンディングワイヤ12、14は、半導体チップ24に対して平面上で90°以下の所定の角度を有する。 (もっと読む)


【課題】VIAホールを高密度に形成したとしても半導体素子が割れやすくなるのを防止し、素子の形成歩留りを向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板110と、基板の第1表面に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲート電極124、ソース電極120およびドレイン電極122と、ソース電極120の下部に配置されたVIAホールSCと、基板の第1表面とは反対側の第2表面に配置され、VIAホールを介してソース電極に接続された接地電極とを備え、VIAホールSCは、基板110を形成する化合物半導体結晶のへき開方向とは異なる方向に沿って配置される。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム(GaN)系のHEMTを保護するダイオード構造を備えた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10のうちGaN層13に2次元電子ガスが生成される領域が活性層領域40とされ、基板10のうち活性層領域40を除いた領域にイオン注入が施されていることにより活性層領域40とは電気的に分離された領域が素子分離領域50とされている。そして、ダイオード60は素子分離領域50の層間絶縁膜20の上に配置されている。このように、基板10のうちHEMTが動作する活性層領域40とは異なる素子分離領域50を設けているので、1つの基板10にGaN−HEMTとダイオード60の両方を備えた構造とすることができる。 (もっと読む)


【課題】櫛型形状のソース電極とドレイン電極が交差指状に配置された電極構造を有し、各櫛形電極の先端部での電界集中が緩和された窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極5と電気的に接続され、ゲート電極5とドレイン電極4間で絶縁膜7上に配置されたゲートフィールドプレート50と、ソース電極3と電気的に接続され、絶縁膜8を介して窒化物半導体層と対向するようにゲートフィールドプレート50とドレイン電極4間の上方に配置されたソースフィールドプレート30とを備え、ゲート電極5とドレイン電極4間の距離、ゲートフィールドプレート50のドレイン側端部とゲート電極5のドレイン側端部間の距離、及びソースフィールドプレート30のドレイン側端部とゲートフィールドプレート50のドレイン側端部間の距離の少なくともいずれかが、ソース電極3とドレイン電極4の、歯部分の直線領域よりも歯部分の先端領域において長い。 (もっと読む)


【課題】エピ抵抗や抵抗チップを用いることなく、奇モードのループ発振を抑えること。
【解決手段】本発明は、金属層60を形成する工程と、複数のFETそれぞれのゲートフィンガー14を共通に接続するゲートバスライン26のパターンのうち一部分を除いたパターンを有するめっき層64と、一部分の領域を被覆する第2マスク層66と、をマスクにして金属層60をパターニングすることで、ゲートバスライン26を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置10は、ソース領域12a、複数の帯状のドレイン領域12b、チャネル領域、ソース電極16、ドレイン電極15、およびゲート電極17を具備する。ソース領域12aは、化合物半導体層11上に形成された平面状の領域である。複数の帯状のドレイン領域12bは、化合物半導体層11上に、互いに電気的に分離されるように形成される。チャネル領域は、ソース領域12aの一辺に接し、かつソース領域12aと複数のドレイン領域12bとの間に、互いに電気的に分離されるように形成される。ソース電極16は、ソース領域12a上の少なくとも一部に形成される。ドレイン電極15は、複数のドレイン領域12bに電気的に接続されるように形成される。ゲート電極17は、複数のチャネル領域に電気的に接続されるように形成される。 (もっと読む)


【課題】裏面電極と導通したパッドを破ることなく、複数のバイアホールの検査を短時間で実施できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、該基板の裏面に形成された裏面電極と、該基板を貫通するN個(Nは2以上の整数)のバイアホール16のそれぞれを経由して該裏面電極と電気的に接続されるように該基板の表面に形成されたN個のパッドと、該N個のパッドのそれぞれに電気的に接続されたN個のエピ抵抗30とを有する。そして、該N個のエピ抵抗を介して該N個のパッドと接続された配線34と、該配線と接続された検査用パッド36と、該N個のパッド、及び該N個のバイアホールを経由して該裏面電極に電流を流すように該基板の表面に形成された電流印加用パターンと、を備える。 (もっと読む)


【課題】オン時における電流の迅速な立ち上がりを実現し、複雑な工程を経ることなく、n型HEMTとモノリシックにインバータを構成可能な半導体装置を得る。
【解決手段】第1の極性の電荷(ホール)供給層22aと、電荷供給層22aの上方に形成されており、凹部22baを有する第2の極性の電荷(ホール)走行層22bと、電荷走行層22bの上方で凹部22baに形成されたゲート電極29とを含むp型GaNトランジスタを備える。 (もっと読む)


【課題】第1の極性を有する第1の化合物半導体層と共にこれと逆極性(第2の極性)の第2の化合物半導体層を用い、化合物半導体層の再成長をすることなく、第2の極性に対応した導電型の含有量が実効的に、容易且つ確実に所期に制御された、複雑な動作を可能とする信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を得る。
【解決手段】第1の極性を有する電子走行層2bと、電子走行層2bの上方に形成された第2の極性を有するp型キャップ層2eと、p型キャップ層2e上に形成された第1の極性を有するn型キャップ層2fとを有しており、n型キャップ層2fは、厚みの異なる部位2fa,2fbを有する。 (もっと読む)


【課題】ガン発振に伴う負性抵抗を抑制し、安定的かつ高効率の電力増幅を得るための安定化回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】基板10と、基板上に配置され、ガン発振である高周波負性抵抗発振の発振周波数において負性抵抗を生ずる能動素子140と、基板上に配置され、能動素子のドレイン端子電極と出力端子との間に接続され、負性抵抗の絶対値に等しい抵抗値を有する抵抗Rと、抵抗Rに並列に接続され、高周波負性抵抗発振の発振周波数に同調するインダクタンスLとキャパシタンスCからなるタンク回路とからなる安定化回路120とを備え、安定化回路120は、発振周波数に、インダクタンスLとキャパシタンスCからなる共振周波数を同調することによって、発振周波数において、抵抗Rによって負性抵抗をキャンセルする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】 本実施形態は、面積効率に優れた半導体装置を実現することを目的としている。
【解決手段】 本実施形態の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成された電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタの形成領域に隣接するダイオード形成領域とを備え、前記ダイオード形成領域は前記トランジスタの形成領域と前記半導体基板上で絶縁され、前記ダイオード形成領域内は櫛状に並んだアノード電極とカソード電極から形成され、前記アノード電極とカソード電極は、電界効果トランジスタを構成する櫛状にならんだゲート電極、ソース電極およびドレイン電極とは電極方向とは異なる方向となるように形成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム系半導体で形成された半導体層を有する半導体素子において、消費電力を増大させず、かつ、大型化することなく、半導体素子の電極に電圧をかけたときに発生する電流コラプス現象を抑制する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体が積層されて形成された半導体素子と、半導体素子に対して積層方向に形成され、外部からのエネルギーの入力なしで半導体素子に光を照射する自己発光体とを備える半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極とソース電極との間に印加される電圧がソース電極パッドの電気抵抗による電圧降下で低下することを防止でき、安定した動作を実現できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】このGaN HFETによれば、ボンディング部16Bの第2のパッド部16B‐2は、電極接続部16Aが含有する複数の接続部分19のうちの第2の方向(ソース電極12とドレイン電極11が対向している方向)の一端に配置された接続部分19の上記第2の方向の外端を電極延在方向へ延長した仮想延長線L1に関して第1のパッド部16B‐1とは反対側に位置している。第2のパッド部16B‐2に接続された第2のソース配線24のボンディング箇所の第2の方向の位置を電極接続部16Aのソース電極12との接続部分19の第2の方向の位置と重ならないようにして、ソース電極12からの電流が第2のソース配線24に流れにくくできる。 (もっと読む)


【課題】製造が容易であり、デバイス特性の変動を抑制できるワイドバンドギャップ半導体デバイスを得る。
【解決手段】SiC基板1上にAlN格子緩和層2、GaNチャネル層3、及びAlGaN電子供給層4が順に設けられている。これらは、1.42eVより広いバンドギャップを持つ半導体材料からなる。AlGaN電子供給層4に、トランジスタを含む活性領域9が設けられている。SiC基板1は、光学的な不純物又は格子欠陥により着色され、可視光領域の光を吸収する。従って、このデバイスは波長360nm〜830nmの可視光領域の光に対して不透明である。 (もっと読む)


【課題】材料の熱膨張係数の差に起因するクラック等を抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板1と、基板1上方に形成されたGaN系化合物半導体積層構造3と、基板1とGaN系化合物半導体積層構造3との間に設けられたAlN系の応力緩和層2と、が設けられている。応力緩和層2のGaN系化合物半導体積層構造3と接する面に、深さが5nm以上の窪み2aが2×1010cm-2以上の個数密度で形成されている。 (もっと読む)


【課題】GaNトランジスタを理想的な還流ダイオードとして動作させ、低損失のスイッチ装置を実現できるようにする。
【解決手段】スイッチ装置は、窒化物半導体素子301と、窒化物半導体素子301を駆動する駆動部302とを備えている。窒化物半導体素子301は、第1のオーミック電極、第2のオーミック電極及び第1のゲート電極を有している。駆動部302は、第1のゲート電極にバイアス電圧を印加するゲート回路311と、第1のゲート電極と第1のオーミック電極との間に接続され、双方向に電流を流すスイッチ素子312とを有している。駆動部302は、第1のオーミック電極から第2のオーミック電極への電流を通電し且つ第2のオーミック電極から第1のオーミック電極への電流を遮断する動作を行う場合には、スイッチ素子312をオン状態とする。 (もっと読む)


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