【課題】温度変化に伴うチャネル抵抗の変化が小さいトランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】トランジスタは、トランジスタ本体１００と、トランジスタ本体に応力を印加する応力印加部２００とを備えている。トランジスタ本体１００は、形成基板１０１と、形成基板１０１の上に順次積層された第１の半導体層１０５及び第１の半導体層１０５と比べてバンドギャップが大きい第２の半導体層１０７とを有している。応力印加部２００は、第２の半導体層１０７に印加される引っ張り応力が温度の上昇に従って大きくなるように、トランジスタ本体１００に応力を印加する。 （もっと読む）