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Fターム[5F102GV03]の内容

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Fターム[5F102GV03]に分類される特許

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【課題】ボンディングワイヤの長さを長くすることなくインダクタンスの値を大きくできる高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体装置1は、マルチセル構成の半導体チップ24と、整合回路と、半導体チップ24と整合回路間に並列に接続された複数本のボンディングワイヤ12、14とを備え、複数本のボンディングワイヤ12、14は、半導体チップ24に対して平面上で90°以下の所定の角度を有する。 (もっと読む)


【課題】チャージアップに起因するリーク電流及び閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体層内に、活性領域30を含むFET34、活性領域30からなるスクライブライン36、FET34とスクライブライン36との間に位置する不活性領域32、及び不活性領域32を横断してFET34とスクライブライン36とを電気的に接続する接続領域38を設ける工程と、半導体層上に絶縁膜20を形成する工程と、ドライエッチング法により絶縁膜20に選択的に開口部21を形成する工程と、を有する半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを実装できる幅を増大し、実装基板上を有効に使用可能な高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】導体ベースプレートと、導体ベースプレート上に配置されたマルチセル構成の半導体チップと、導体ベースプレート上に配置され、半導体チップを内在する矩形のキャビティを形成する金属壁と、金属壁の入出力部に設けられた貫通孔とを備え、半導体チップを、金属壁に囲まれた矩形のキャビティ内において、半導体チップの長手方向が、貫通孔の設けられていない金属壁の延伸方向から0度より大で、90度より小の所定の角度に配置した半導体装置。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム(GaN)系のHEMTを保護するダイオード構造を備えた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10のうちGaN層13に2次元電子ガスが生成される領域が活性層領域40とされ、基板10のうち活性層領域40を除いた領域にイオン注入が施されていることにより活性層領域40とは電気的に分離された領域が素子分離領域50とされている。そして、ダイオード60は素子分離領域50の層間絶縁膜20の上に配置されている。このように、基板10のうちHEMTが動作する活性層領域40とは異なる素子分離領域50を設けているので、1つの基板10にGaN−HEMTとダイオード60の両方を備えた構造とすることができる。 (もっと読む)


【課題】VIAホールを高密度に形成したとしても半導体素子が割れやすくなるのを防止し、素子の形成歩留りを向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板110と、基板の第1表面に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲート電極124、ソース電極120およびドレイン電極122と、ソース電極120の下部に配置されたVIAホールSCと、基板の第1表面とは反対側の第2表面に配置され、VIAホールを介してソース電極に接続された接地電極とを備え、VIAホールSCは、基板110を形成する化合物半導体結晶のへき開方向とは異なる方向に沿って配置される。 (もっと読む)


【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。
【解決手段】
サファイア単結晶基板10の一方主面10A上に配置された第1素子機能部26と、一方主面上10Aに配置された第1アンテナ部23と、他方主面10Bに配置された第2素子機能部36と、他方主面10B上に配置された第2アンテナ部33とを備え、第1素子機能部26が第1アンテナ部23に送信用電気信号を送り、第1アンテナ部23が送信用電気信号に応じた電波を発信し、第2アンテナ部33がサファイア単結晶基板10を透過した電波を受信することで、高い周波数の信号を基板の上下面で高精度に処理することができる。 (もっと読む)


【課題】複数のチャネルを有する窒化物半導体装置において、ノーマリオフかつ低オン抵抗を実現する技術を提供する。
【解決手段】第1の窒化物半導体層3,5,7と、第1の窒化物半導体層よりも禁制帯幅が大きい第2の窒化物半導体層5,6,8とが積層されたヘテロ接合体を少なくとも2つ以上有する窒化物半導体積層体10を備え、窒化物半導体積層体10に設けられたドレイン電極14と、ソース電極13と、ドレイン電極14とソース電極13の両者に対向して設けられたゲート電極15,16とを有し、ドレイン電極14とソース電極13は、窒化物半導体積層体10の表面または側面に配置され、ゲート電極15,16は、窒化物半導体積層体10の深さ方向に設けられた第1ゲート電極15と、該第1ゲート電極15と窒化物半導体積層体10の深さ方向の配置深さが異なる第2ゲート電極16とを有する。 (もっと読む)


【課題】櫛型形状のソース電極とドレイン電極が交差指状に配置された電極構造を有し、各櫛形電極の先端部での電界集中が緩和された窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極5と電気的に接続され、ゲート電極5とドレイン電極4間で絶縁膜7上に配置されたゲートフィールドプレート50と、ソース電極3と電気的に接続され、絶縁膜8を介して窒化物半導体層と対向するようにゲートフィールドプレート50とドレイン電極4間の上方に配置されたソースフィールドプレート30とを備え、ゲート電極5とドレイン電極4間の距離、ゲートフィールドプレート50のドレイン側端部とゲート電極5のドレイン側端部間の距離、及びソースフィールドプレート30のドレイン側端部とゲートフィールドプレート50のドレイン側端部間の距離の少なくともいずれかが、ソース電極3とドレイン電極4の、歯部分の直線領域よりも歯部分の先端領域において長い。 (もっと読む)


【課題】 電気的特性を向上させた高周波回路装置を提供する。
【解決手段】 高周波回路装置は、一端同士1331,1341が互いに離間して対向した2つの伝送線路133,134と、2つの伝送線路の一方の一端に実装され、該実装面となる下面電極30と、該実装時に下面電極の上方に位置する上面電極32を備えるキャパシタCと、2つの伝送線路の対向する一端同士の間の領域に配置され、一端同士を電気的に接続する抵抗素子Rと、キャパシタの上面電極と2つの伝送線路の他方との間を電気的に接続する接続導体135とを備える。 (もっと読む)


【課題】エピ抵抗や抵抗チップを用いることなく、奇モードのループ発振を抑えること。
【解決手段】本発明は、金属層60を形成する工程と、複数のFETそれぞれのゲートフィンガー14を共通に接続するゲートバスライン26のパターンのうち一部分を除いたパターンを有するめっき層64と、一部分の領域を被覆する第2マスク層66と、をマスクにして金属層60をパターニングすることで、ゲートバスライン26を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体を用いたFETを樹脂封止パッケージに搭載した半導体装置の耐湿性を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体を用いたFETが形成されたチップ30と、前記チップがAgペースト22を用い搭載されたベース12と、前記チップ30を封止するガラス転移温度が190℃以上の樹脂20と、を具備する半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置10は、ソース領域12a、複数の帯状のドレイン領域12b、チャネル領域、ソース電極16、ドレイン電極15、およびゲート電極17を具備する。ソース領域12aは、化合物半導体層11上に形成された平面状の領域である。複数の帯状のドレイン領域12bは、化合物半導体層11上に、互いに電気的に分離されるように形成される。チャネル領域は、ソース領域12aの一辺に接し、かつソース領域12aと複数のドレイン領域12bとの間に、互いに電気的に分離されるように形成される。ソース電極16は、ソース領域12a上の少なくとも一部に形成される。ドレイン電極15は、複数のドレイン領域12bに電気的に接続されるように形成される。ゲート電極17は、複数のチャネル領域に電気的に接続されるように形成される。 (もっと読む)


【課題】裏面電極と導通したパッドを破ることなく、複数のバイアホールの検査を短時間で実施できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、該基板の裏面に形成された裏面電極と、該基板を貫通するN個(Nは2以上の整数)のバイアホール16のそれぞれを経由して該裏面電極と電気的に接続されるように該基板の表面に形成されたN個のパッドと、該N個のパッドのそれぞれに電気的に接続されたN個のエピ抵抗30とを有する。そして、該N個のエピ抵抗を介して該N個のパッドと接続された配線34と、該配線と接続された検査用パッド36と、該N個のパッド、及び該N個のバイアホールを経由して該裏面電極に電流を流すように該基板の表面に形成された電流印加用パターンと、を備える。 (もっと読む)


【課題】電極と化合物半導体層との界面に電極材料が到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造2と、化合物半導体積層構造2上に形成され、貫通口6aを有するパッシベーション膜6と、貫通口6aを埋め込むようにパッシベーション膜6上に形成されたゲート電極7とを有しており、ゲート電極7は、相異なる結晶配列の結晶粒界101が形成されており、結晶粒界101の起点が貫通口6aから離間したパッシベーション膜6の平坦面上に位置する。 (もっと読む)


【課題】オン時における電流の迅速な立ち上がりを実現し、複雑な工程を経ることなく、n型HEMTとモノリシックにインバータを構成可能な半導体装置を得る。
【解決手段】第1の極性の電荷(ホール)供給層22aと、電荷供給層22aの上方に形成されており、凹部22baを有する第2の極性の電荷(ホール)走行層22bと、電荷走行層22bの上方で凹部22baに形成されたゲート電極29とを含むp型GaNトランジスタを備える。 (もっと読む)


【課題】ゲートリーク電流が低減され、かつ、ノーマリーオフ動作する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11の上に形成された第1の半導体層12と、第1の半導体層12の上に形成された第2の半導体層13と、第2の半導体層13の上に形成された下部絶縁膜31と、下部絶縁膜31の上に、p型の導電性を有する酸化物により形成された酸化物膜33と、酸化物膜33の上に形成された上部絶縁膜34と、上部絶縁膜34の上に形成されたゲート電極41と、を有し、ゲート電極41の直下において、下部絶縁膜31の表面には凹部が形成されている半導体装置。 (もっと読む)


【課題】耐圧をより向上することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1の上方に形成された化合物半導体積層構造8と、基板1と化合物半導体積層構造8との間に形成された非晶質性絶縁膜2と、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】電子走行層にFeが入り込むことを抑制し、半導体層等にクラックの発生が抑制される電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】基板11の上に形成された半導体材料に高抵抗となる不純物元素がドープされた高抵抗層14と、高抵抗層14の上に形成された多層中間層15と、多層中間層15の上に半導体材料により形成された電子走行層16と、電子走行層の上に半導体材料により形成された電子供給層17と、を有し、多層中間層15は、GaN層とAlN層とが交互に積層された多層膜により形成されていることを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


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