【課題】閾値電圧を制度良く制御することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、窒化物半導体からなるチャネル層１４と、チャネル層１４よりもバンドギャップエネルギーの大きい第１窒化物半導体層１６と、を順次形成する工程と、第１窒化物半導体層１６上であって、ゲート電極２６を形成すべき領域にダミーゲートを形成する工程と、ダミーゲートを形成した後、第１窒化物半導体層１６上のダミーゲート以外の領域に、チャネル層１４のバンドギャップエネルギー以上の大きさのバンドギャップエネルギーを有する第２窒化物半導体層１８を再成長する工程と、ダミーゲートを除去した後、ダミーゲートを除去した領域の第１窒化物半導体層１６上にゲート電極２６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体から構成されるＨＥＭＴに於いて、電流コラプスの低減化と、ゲート−ドレイン間等の寄生容量の低減化とを両立化させて、利得向上による高周波化を可能にする。
【解決手段】半導体装置は、Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≦x<1, 0≦y<1)のチャネル層２上に、Al_zGa_1-zN(Al組成zは0≦z≦1)の電子供給層３から成るヘテロ接合を形成したIII族窒化物半導体ヘテロ接合電界効果型トランジスタである。ゲート電極５の側面５Ｓ１，５Ｓ２から、ドレイン電極4b及びソース電極4a側に向かって、それぞれ誘電率がε₁、ε₂、…、ε_n（n≧2）（ε₁＞ε₂＞…＞ε_n）を有するｎ個の絶縁膜7a,7b, …,7nが、当該順序で、ゲート電極５とドレイン電極4b間及びゲート電極５とソース電極4a間に位置する電子供給層３の表面領域上に形成されている。 （もっと読む）