【課題】能動素子とＭＩＭキャパシタを備え、製造工程の短縮を可能とする構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する
【解決手段】ＭＭＩＣ１００は、ＧａＡｓ基板１０上に設けられたＦＥＴと、下側電極１８ｂと上側電極２２ｂとの間に誘電体層２０ｂが介在しているＭＩＭキャパシタとを備えている。製造工程において、ＦＥＴのソース・ドレイン電極１６ａ・１６ｂを形成した後に、リフトオフ法によりＦＥＴのゲート電極１８ａとＭＩＭキャパシタの下側電極１８ｂとを同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】能動素子とＭＩＭキャパシタとを備え、その製造工程の短縮を可能とする構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板上に、オーミック電極を備えた能動素子と、下側電極と上側電極との間に誘電体層が介在するＭＩＭキャパシタとが設けられた構造を有し、下側電極とオーミック電極とが同じ構造を有する。例えば、ＧａＡｓ基板１０上に、能動素子としてのＦＥＴと、ＭＩＭキャパシタとが設けられたＭＭＩＣ１００では、ＦＥＴのオーミック電極たるソース・ドレイン電極１６ａ・１６ｂと、ＭＩＭキャパシタの下側電極１６ｃとを同時に形成することにより、これらを同じ金属からなる構造とする。 （もっと読む）

【課題】安定してノーマリオフ特性を有するリセスゲート型ＨＦＥＴを製造することができるリセスゲート型ＨＦＥＴの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合部を有し、ＡｌＧａＮ層上にゲート電極が形成されているリセスゲート型ＨＦＥＴを製造する方法であって、基板上にＧａＮ層を形成する第１工程と、ＧａＮ層上に第１のＡｌＧａＮ層を１ｎｍ以上３ｎｍ以下の厚さに形成する第２工程と、第１のＡｌＧａＮ層の表面のうちゲート電極形成領域以外の領域の少なくとも一部の表面上に第２のＡｌＧａＮ層を再成長により形成する第３工程と、第１のＡｌＧａＮ層の表面のゲート電極形成領域にゲート電極を形成する第４工程と、を含む、リセスゲート型ＨＦＥＴの製造方法である。 （もっと読む）