【課題】通常の紫外線露光により形成したゲート電極開口を厚肉化して開口寸法を縮小することにより、微細なゲート電極を効率的に製造可能な半導体装置の製造方法等の提供。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ゲート電極形成対象面上に、紫外線レジスト層２を少なくとも１層含むゲート電極開口形成用層を形成し、該ゲート電極開口形成用層にゲート電極開口１０ａを形成するゲート電極開口形成工程と、前記ゲート電極開口形成用層上に、ゲート電極におけるオーバーゲート部を形成するためのオーバーゲート形成用層３，４を形成するオーバーゲート形成用層形成工程と、前記ゲート電極開口の開口径を縮小させるゲート電極開口縮小工程と、前記ゲート電極開口にゲート電極３０を形成するゲート電極形成工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）