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Fターム[5F103AA04]の内容

半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | 析出方法 (899) | 蒸着 (423) | 分子ビーム(MBE)、原子ビーム (251)

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【課題】 基板の表面に形成する薄膜に混入する還元作用を有するガスの量を抑制するとともに、基板の表面または基板の表面に形成する薄膜に与える損傷を抑制して基板の表面に結晶性の高い薄膜を形成することができる分子線エピタキシャル成長装置および分子線エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】 成長室13の収容空間12には、ウエハ18を保持するマニピュレータ21、分子線を発生する分子線源22および液体窒素によって冷却されるシュラウド23が設けられる。収容空間12には、ウエハ18が直接見込めない位置から、分子状態の水素ガスが導入される。収容空間12に導入された水素ガスの分子は、シュラウド23の表面に衝突しながら拡散する。収容空間12に拡散された水素ガスを含む雰囲気において、分子線エピタキシャル成長を行い、ウエハ18の表面に高品質な薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】同一の分子線材料を有する分子線セルを複数有する分子線エピタキシャル装置の稼動率を向上させ、かつ、成膜において高い再現性を実現する、分子線エピタキシャル装置の制御装置を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル装置100の制御装置118は、同一の分子線材料105を有する複数の分子線セル107について、各分子線セル107内の分子線材料105の残量を求める残量算出部405と、次回の成膜における各層での同一の分子線材料105の合計の消費量を等しくしたまま、上記各分子線セル107における設定を変更したものについて、次回の成膜後の当該各分子線セル107に残存する分子線材料105の予測消費時間を算出する予測消費時間算出部406と、上記予測消費時間の差が小さくなるように、次回の成膜での上記各分子線セル107における設定を決定するセル設定決定部407とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 不純物を低減して、リン分子を分子線として照射することができる分子線源および分子線源使用方法を提供する
【解決手段】 充填空間11に赤リン材料を充填し、充填空間11と精製空間12とを連通させた状態で、充填部21を第1気化温度t1gに加熱して充填空間11に存在する赤リンを昇華して、精製空間12に白リンを凝縮する。次に精製空間12と貯留空間13とを連通させた状態で、精製部22を第1気化温度t1gよりも低い第2気化温度t2gに加熱して精製空間12に存在する白リンを気化して、貯留空間13に白リンを凝縮する。このようにして貯留空間13に生成した白リンを分子線の照射材料として用いて、リン分子線を照射する。 (もっと読む)


電源電極を受け入れる部分の上に保護本体を設ける間に、ゲート構造を形成する工程を有する、III族窒化物電力半導体素子を製造する方法。 (もっと読む)




【課題】 珪素単結晶を基板としてIII族窒化物半導体層を設けるのに際し、そのIII族窒化物半導体層を良質な結晶層とすることができ、素子特性を優れたものとすることができるようにする。
【解決手段】 本発明は、珪素単結晶からなる基板101上にIII族窒化物半導体からなる層を備えた半導体素子10において、上記基板101の一表面に、立方晶の炭化珪素ゲルマニウム(組成式Si1-XGeXC:0<X<1)からなるIV族元素膜102が設けられ、そのIV族元素膜102に接合させて上記III族窒化物半導体からなる接合層103が設けられているものである。 (もっと読む)



【課題】炭化珪素層等のイオン結合度が小さく共有結合性の強い材料からなる半導体層上に、欠陥密度が小さく良質な、GaN等のイオン結合性の大きな半導体層を形成する方法を提供する。
【解決手段】第1のイオン結合度を有する第1の半導体層102の表面に、第1のイオン結合度よりも大きな第2のイオン結合度を有する第2の半導体層103を形成する半導体層形成方法において、第2の半導体層103を形成する側に在る第1の半導体層102の表面に、真空中で電子を照射しながら、第2の半導体層103を形成する。第1の半導体層102は炭化珪素半導体から構成され、第2の半導体層103はIII族窒化物半導体から構成されている。 (もっと読む)



【課題】珪素結晶基板上のIII族窒化物半導体層を用いて半導体素子を構成するに際し、結晶性及び表面の平坦性に優れるIII族窒化物半導体層から半導体素子を構成できるようにする。
【解決手段】珪素単結晶基板と、その基板の表面に設けた炭化珪素層と、その炭化珪素層に接して設けたIII族窒化物半導体接合層と、そのIII族窒化物半導体接合層上にIII族窒化物半導体からなる超格子構造層を備えた半導体素子において、炭化珪素層は立方晶で格子定数が0.436nmを超え、0.460nm以下の、組成的に珪素を富裕に含む非化学量論的な組成の層とし、III族窒化物半導体接合層は、組成がAlGaIn1−αα(0≦X、Y、Z≦1、X+Y+Z=1、0≦α<1、Mは窒素以外の第V族元素である。)とする。 (もっと読む)



【課題】Gaを供給してAlN(窒化アルミニウム)を成長させることにより、AlNの貫通転位を少なくし、結晶性の良いAlNを得る方法を提供する。
【解決手段】AlN層4の成長は、SiC基板2の基板温度が850℃、Gaの供給量が、0〜1.4×10−4Pa、Alの供給量が4.5×10−5Pa、Nの供給量が電力180ワットで、Nの流量が0.19sccmとされる。この条件において、AlN層4は、500nmの厚さ成長させられる。AlおよびGaの供給には、クヌードセンセルを用いた金属AlおよびGaの昇華、Nの供給には、RFプラズマ銃による窒素プラズマを用いた。また、N/Al比は、1よりわずかに小さい条件とした。なお、Gaの照射は、AlN層4の最初の10nmのみであり、AlN層4が10nm成長した時点で、Gaの供給量はゼロとされる。AlN層4が成長する間、AlおよびNの供給量は一定である。 (もっと読む)


【課題】 基板のクリーニング効果、および、結晶成長の高品質化を実現する。
【解決手段】 本発明の分子線エピタキシャル成長装置は、水素ラジカル発生装置10および分子線セル23が、それぞれ独立して設けられている。そして、水素ラジカル発生装置10から水素ラジカルが、分子線セル23から成膜材料の分子線または原子線が、それぞれ別々に、基板処理室20に供給されるようになっている。さらに、水素ラジカルは光励起により発生させる。これにより、水素ラジカルを放出ガスの発生なしに効率的に発生させることができ、基板21のクリーニング効果、および、成膜材料中の不純物を除去する効果を顕著に高めることができる。 (もっと読む)



基板;基板表面に堆積されアルミニウム/反応性窒化物(Al/N)流束の比1未満を有する第1の窒化アルミニウム(AlN)層;及び第1のAlN層表面に堆積され1より大きいAl/反応性N流束の比を有する第2のAlN層を含む半導体構造。基板はシリコンの化合物であり、ここで、第1のAlN層は、シリコンを実質的に含まない。
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a)分子線エピタキシ法(molecular beam epitaxy:MBE)を用いて、立方晶III-V族基板上にエピタキシャルIII族窒化物材料を成長させるステップと、b)前記III族窒化物基板が立方晶III族窒化物自立基板として残るように、前記III-V族基板を除去するステップと、を含む立方晶III族窒化物自立バルク基板の製造方法。III族窒化物デバイスの製造のための立方晶III族窒化物自立バルク基板。 (もっと読む)


【課題】 燐化硼素系半導体層上にIII族窒化物半導体層を接合させる際に、双方間の結合性の差異に起因して発生すると思われる不安定な接合を解消し、燐化硼素系半導体層上にIII族窒化物半導体層を安定して形成することができるようにする。
【解決手段】 本発明の積層構造体10は、結晶からなる基板100と、その基板100上に設けられた燐化硼素系III−V族化合物半導体層101と、燐化硼素系III−V族化合物半導体層101の表面に接合されたIII族窒化物半導体層102とを備え、III族窒化物半導体層102は、表面の原子配列構造を(2×2)とする燐化硼素系III−V族化合物半導体層101に接合して設けられる、ことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】 1.1μmよりも短波長な発光波長を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、活性層6を備える。活性層6は、6個の量子ドット層61と、5個の間隙層62とを含む。6個の量子ドット層61および5個の間隙層62は、交互に積層される。5個の間隙層62の各々は、ノンドープのGaAsからなる。そして、5個の間隙層62の各々は、30〜50nmの膜厚を有する。6個の量子ドット層61の各々は、量子ドット611とキャップ層612とからなる。量子ドット611は、InAsからなり、キャップ層612は、AlGa1−yAs(y=0.05〜0.5)からなる。量子ドット611は、1.8〜2.4モノレイヤーのInAsをMBEにより結晶成長することにより形成される。 (もっと読む)



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