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Fターム[5F103AA04]の内容

半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | 析出方法 (899) | 蒸着 (423) | 分子ビーム(MBE)、原子ビーム (251)

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【課題】 坩堝の側面に原料融液が這い上がった状態で成膜を行うと、形成された薄膜の厚さの均一性が低下してしまう。
【解決手段】 チャンバ内に基板ホルダが配置されている。坩堝の内部に蒸発源が収容される。坩堝の開口部が、基板ホルダに保持された基板に向けられている。第1の加熱装置が坩堝を加熱する。測定装置が、坩堝の深さの1/2の深さよりも浅い位置の、坩堝の温度に依存する物理量を測定する。回転機構が坩堝を回転させる。制御装置が、測定装置による測定結果に基づいて、回転機構を制御する。 (もっと読む)


【課題】分子線源セルを破損させることなく、かつ均一な空間強度分布を維持できるAl用分子線源セルを提供する。
【解決手段】蒸発させる原料を収容するルツボ10と、ルツボ10の側面を囲んで該ルツボ10を加熱する分子線源ヒータ部12と、を備え、ルツボ10は、上端において環状の開口部16が設けられた有底円筒状の容器と、該容器の開口部16の全周に渡って外向きに配置され、分子線源ヒータ部12の外側まで張り出したツバ11と、を有することを特徴とする分子線源セル1。 (もっと読む)


【課題】MBEによりInP基板上に等方的な形状の量子ドットを形成することのできる量子ドットの製造方法を提供する。
【解決手段】MBE法により量子ドットを形成する量子ドットの製造方法において、InP基板上にIII−V族化合物半導体をエピタキシャル成長させ下地結晶層を形成する下地結晶層形成工程と、前記下地結晶層上にIII−V族化合物半導体からなる量子ドットを形成する量子ドット形成工程と、前記量子ドット上にIII−V族化合物半導体をエピタキシャル成長させ埋込結晶層を形成する埋込結晶層形成工程と、を有し、前記下地結晶層及び前記埋込結晶層を形成する材料と、前記量子ドットを形成する材料とは異なる組成または異なる組成比の材料であって、前記量子ドットは、砒素を含む材料により形成されるものであって、前記量子ドット形成工程において、前記砒素は砒素分子線発生装置よりAs分子を含む状態で供給されることを特徴とする量子ドットの製造方法により上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】バンドギャップがより大きく、紫外領域で発光する可能性があるβ−Ga単結晶において、所定の抵抗率及びキャリア濃度を有するβ−Ga単結晶を提供する。
【解決手段】β−Ga単結晶において、Si濃度を1×10−5〜1mol%に変化させることにより、抵抗率が2.0×10−3〜8×10Ωcm、キャリア濃度が5.5×1015〜2.0×1019/cmの範囲に制御するドーパントの添加濃度に応じて抵抗率を可変することができる。 (もっと読む)


【課題】機械的にパターン形成されたIII族窒化物の層を製造する方法を提供する。
【解決手段】本方法は結晶質基板を提供すること、および基板の平坦な表面上にIII族窒化物の第1の層を形成することを含む。第1の層は単一極性であり、また基板の一部を露出する孔または溝のパターンを有する。次いで、本方法は、第1の層と基板の露出部の上に第2のIII族窒化物の第2の層をエピタキシャル成長することを含む。第1および第2のIII族窒化物は異なる合金組成物を有する。また、本方法は第2の層を塩基の水性溶液に曝し、第2層を機械的にパターン形成することも含む。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率を向上させることが可能な光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】低温で成長させることにより作製した第1窒化ガリウム層と、該第1窒化ガリウム層の表面に形成された窒化インジウム量子ドットと、を有する光電変換素子、及び、低温で成長させることにより窒化ガリウム層を形成する第1工程と、該第1工程によって形成された窒化ガリウム層の表面に窒化インジウム量子ドットを形成する第2工程と、を有する、光電変換素子の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】発光効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、結晶成長面を有する単結晶基板12であって、結晶成長面12は複数の凸部12aと、複数の凸部12a同士の間にそれぞれ設けられ、かつ複数の凸部12aから離隔する位置に設けられる凹部12bと、を備える単結晶基板12と、単結晶基板12上に設けられ、複数の凸部12aのうち、一対の互いに隣接する凸部12aと、当該一対の凸部12a同士の間に位置する凹部12bにおいて、凹部12bと一対の凸部12aとの間に位置する両結晶成長面から一対の凸部12a同士の間に向かって延びる複数の転位16を、一対の凸部12a同士の間で結合させた光半導体層13と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 真性に近い単結晶GaN膜を有し、かつこの膜をn形又はp形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 次の要素を有する半導体デバイス:基板であって、この基板は、(100)シリコン、(111)シリコン、(0001)サファイア、(11−20)サファイア、(1−102)サファイア、(111)ヒ化ガリウム、(100)ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる;約200Å〜約500Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む;および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタ用半導体層の材料として、高い正孔移動度を示すp形半導体多結晶薄膜を、かつ、低い成膜温度でのプラスチック基板上への成膜をも行うことのできるp形半導体多結晶薄膜を、提供する。
【解決手段】ガラスまたはプラスチックまたはステンレス基板のような非結晶質または多結晶基板1上に、該基板の温度を300℃以下とし、成長膜へのガリウム(Ga)、アンチモン(Sb)、及びヒ素(As)原子のそれぞれの供給量JGa,JSb,及びJAsを、JSb<JGa<JAs+JSbを満たすような値として、Ga,Sb,及びAs原子を同時供給して真空蒸着により成膜してなる、Sb組成yが0.5<y<1を満たすp形GaSbyAs1-y多結晶薄膜6を形成する製造方法による。 (もっと読む)


【課題】MBE法又はMOCVD法により半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、半導体薄膜の特性を変えることなく、残留キャリアを低濃度に制御する技術を提供する。
【解決手段】半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際、同時にアルミニウム(Al)をドープする。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ中の電子移動度を向上させる上、デバイスの性能を向上させる高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタは、基板110と、基板110上に形成したバッファ層120と、複数のInGaAs薄膜と複数のInAs薄膜とを交互に積層して形成した超格子構造を含み、バッファ層120上に形成したチャネル層130と、チャネル層130上に形成したスペーサ層140と、スペーサ層140上に形成したショットキー層160と、ショットキー層160上に形成したキャップ層170とを備える。 (もっと読む)


【課題】ZnO系半導体の新規なn型ドーピング技術に係るZnO系半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Zn、O、及びNを供給するとともに、必要に応じて、ZnOに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Nをドープすることにより、Nをドープしない場合に比べてn型キャリア濃度が増したn型伝導性を示すZnO系半導体層を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】 従来よりも発光波長が広い波長領域で均一に分布している量子ドット構造を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明では、量子ドット構造を以下の手順で製造する。
まず、基板11を用意する。次に、基板11上に、量子ドット13を設ける。次に、量子ドット13よりも低く、かつ表面拡散が抑制されるように基板11上に薄膜14を堆積する。
最後に、量子ドット13のうち、薄膜14から露出した部分を除去する。 (もっと読む)


【課題】 安定したp型ZnO系半導体結晶を得ることが可能なZnO系化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ZnO系化合物半導体の製造方法は、単結晶表面を有する基板を準備する工程と、亜鉛ビームと、酸素を含むガスをラジカル化した酸素ラジカルビームと、NガスとOガスとを混合したガスをラジカル化した窒素ラジカルビームとを、前記基板上に同時に照射して、窒素添加p型ZnO系化合物半導体を結晶成長する工程とを有し、前記NガスとOガスとを混合したガスの混合比O/Nが、0より大きく1以下である。 (もっと読む)


【課題】 ZnO系化合物半導体素子の活性層の結晶品質をn型ドーパントの拡散によって落とさない。
【解決手段】 ZnO系化合物半導体素子は、III族元素とともに窒素(N)がドープされたn型半導体層と、前記n型半導体層の上方に形成されたp型半導体層と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に形成された活性層とを含む。III属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、n型半導体層以外の他の層に対するIII属元素の拡散が抑制される。 (もっと読む)


【課題】SiCを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第1および第2の裏面B1、B2の各々が一の方向を向き、かつ第1および第2の側面S1、S2が互いに対向するように、第1および第2の炭化珪素基板11、12が配置される。この配置する工程の後に、第1および第2の裏面B1、B2を互いにつなぎ、かつ第1および第2の側面S1、S2が互いに対向する空間を埋めるように、第1および第2の炭化珪素基板11、12上に炭化珪素層30が分子線エピタキシ法によって形成される。 (もっと読む)


【課題】 高品質のGa系化合物半導体からなる薄膜を形成することができるpn型Ga膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 真空層52内を減圧し、酸素ラジカルを注入しながらセル55aを加熱し、Gaの分子線90、およびセル55bを加熱し、Mgの分子線90をGa系化合物からなる基板25上に照射して、基板25上にp型β−Gaからなるp型β−Ga層を成長させる。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い半導体層を有する半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器を提供する。
【解決手段】芳香族系テトラカルボン酸と芳香族系テトラアミンを縮合して得られる複素環状高分子からなるグラファイト層2と、当該グラファイト層2の表面上に設けられ、当該グラファイト層2の表面を成長面とする半導体層4とを備えた半導体基板1。前記グラファイト層は結晶性に優れているため、グラファイト層の表面を成長面とする半導体層についても、結晶性に優れたものが得られる。これにより、結晶性に優れた半導体層を有する半導体基板1を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】基板上に単結晶材料の層を成長させる方法を提供する。
【解決手段】第1単結晶材料から形成された露出領域を有する基板を、プロセスチャンバ中に配置する工程と、拡散制限ガスの存在下で、基板に向かって、第2材料の中性種のビームを供給し、プロセスチャンバ中の圧力を1×10−6torrから1×10−4torrの間にし、第2材料の中性種を露出領域上に吸着され、これにより第1単結晶材料の上にこれと接触して第2材料の単結晶層を成長させる工程とを含み、拡散制限ガスは、非反応性ガスからなる。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスとして問題なく動作させるために、少なくとも機能的な働きを行うZnO系半導体層にアルカリ金属が達するのを防止することができるZnO系基板及びZnO系半導体素子を提供する。
【解決手段】
ZnO系基板中に存在するアルカリ金属の濃度が1×1014cm−3以下に形成されているので、このZnO系基板上に結晶成長されるZnO系半導体に対してアルカリ金属の偏析を防止することができる。また、基板中のリチウム濃度が1×1014cm−3を越えるZnO系基板であっても、その上に形成するZnO膜の膜厚を50nm以上にすることで、このZnO膜よりも後に形成されるZnO系半導体層へのアルカリ金属の偏析を防止することができる。 (もっと読む)


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