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Fターム[5F103AA04]の内容

半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | 析出方法 (899) | 蒸着 (423) | 分子ビーム(MBE)、原子ビーム (251)

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【課題】III族窒素化合物膜の平坦性及び成膜速度を有効に高めることができるとともに結晶性が良好である立方晶または六方晶窒素化合物半導体膜を安定して容易にかつ安価に製造することができる活性度制御式窒素化合物MBE成膜方法及び装置を提供すること。
【解決手段】第1分子線セルから第1シャッターを介して基板への第1(III族)分子線の照射量を制御するとともに、第1シャッターの閉期間T2、LB励起状態からHB励起状態に切替えられた窒素励起セルから上記基板に向けて照射される窒素活性種のうち、生成膜の窒素化合物の化学結合に直接的に関与する励起窒素原子および基底窒素原子の照射量を制御しながら上記基板に付与されたIII族分子と共有結合させる。 (もっと読む)



【課題】光度が高く、また演色性も高いIII族窒化物半導体白色系発光素子を、蛍光体の微妙な組成調整なども不要として簡単な構造で簡易に形成することができるようにする。
【解決手段】本発明は、基板1と、その基板の表面上に設けたIII族窒化物半導体材料からなる障壁層5a及び井戸層5bを備えた多重量子井戸構造の発光層5とを具備したIII族窒化物半導体発光素子において、井戸層5bの各々は、層厚が同一であり、バンド端発光とは別に、波長を相違する複数の光(多波長光)を同時に出射する、マグネシウムを添加したn形の窒化ガリウム・インジウム(組成式:GaXIn1-XN)からなる、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。 (もっと読む)


本発明は、(i)単結晶の基板を提供するステップと、(ii)上記基板上に、単結晶の酸化物の層をエピタキシャル成長するステップと、(iii)(a)単結晶の酸化物層の表面から不純物を除去するステップと、(b)遅いエピタキシャル成長によって、半導体のサブ層を蒸着するステップと、を有するステップを用いて、サブ層を形成するステップと、(iv)そのように形成されたサブ層上に、エピタキシャル成長によって、単結晶の半導体層を形成するステップと、を備える固体の半導体構造を製造する方法に関する。本発明は、また、そのように得られた固体の半導体ヘテロ構造に関する。 (もっと読む)


【課題】自己補償効果を緩和し、p型化を行いやすくしたZnO系半導体及びZnO系半導体素子を提供する。
【解決手段】
窒素がドープされたMgZn1−XO(0<X<1)結晶体で構成されたZnO系半導体を、絶対温度12ケルビンにおけるフォトルミネッセンス測定を行って、スペクトル分布曲線を形成し、3.3eV以上の前記分布曲線の積分強度A、2.7eV以上の前記分布曲線の積分強度Bとした場合、(A/B)≧0.3 を満たすようにZnO系半導体が形成されているので、自己補償効果が低減されてp型化しやすくなる。 (もっと読む)


【課題】高密度かつ複雑な三次元微細構造を基板の表面に形成可能な三次元微細加工方法を提供する。
【解決手段】第1工程では、真空中でIII−V族化合物半導体基板1の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板1の表面の自然酸化膜2を化学的に安定なIII族酸化物3に置換させ、改質マスク部3を周期的に形成する。第2工程では、真空中で前記基板1を昇温させることにより、前記改質マスク部3以外の部分の前記自然酸化膜2を脱離させて基板表面を露出させる。第3工程では、真空にV族原料を供給した環境下で前記基板1を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部3上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み4を形成する。第4工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み4の部分にIII−V族化合物半導体結晶5を選択成長させる。 (もっと読む)


本発明は、電子工学、光学、光電子工学または光起電力工学用の、基板(10)と前記基板(10)の一方の面上に材料を堆積させることにより形成された層(20)とを含む構造体(1)の製造方法に関し、この方法は、前記基板(10)の面(1B)が堆積した材料の層(20)により覆われ、前記基板の他の面(1A)が露出している前記構造体(1)を形成するように、−一方で前記基板(10)を、他方で残りの部分を画定する脆化区域を含む脆化された基板を形成する工程、−前記脆化された基板の2つの面のそれぞれの上に前記材料の層を堆積させる工程、−前記脆化された基板をへき開する工程を含むことを特徴とする。
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【課題】分子線エピタキシ装置のための粒子線供給装置を提供する。
【解決手段】粒子線供給装置17では、粒子線生成器31は、分子線エピタキシ成長のための原料を提供する開口31aを有する。シャッタ装置33では、シャッタ35は粒子線生成器31の開口31aの前方に位置し、回転軸37は、シャッタ35を支持しており所定の軸Axに沿って延び、駆動機構39は、回転軸37を所定の軸Axの回りに回転駆動する。シャッタ35は、開口31aの位置に合わせて設けられた窓35aを有する。粒子線生成器31からの粒子線は、窓35aを通して進み、或いは、シャッタ35の遮蔽部35bによって遮断される。矢印Arrowの一方向のみにシャッタ35を等角速度で回転させたとき、シャッタ35の移動と停止を成長中に繰り返すことなく、一定の周期で、粒子線が窓35aを介して軸Bxに沿って供給される。 (もっと読む)


【課題】p型化が容易で、且つ発光特性を損なわないZnO系の半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】MgxZn1-xO(0≦x<1)を主成分とする半導体層2を備え、半導体層2に含まれる不純物としてのマンガン(Mn)の濃度が1×1016cm-3以下である。 (もっと読む)


【課題】平坦性向上が図られたZnO系化合物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】ZnO系化合物半導体層の製造方法は、(a)基板を準備する工程と、(b)前記基板の上方に、少なくともソースガスとしてZn、O、及びサーファクタントとしてSを同時に供給してZnO系化合物半導体層を形成する工程とを有する。 (もっと読む)



【課題】アルミニウム化合物半導体層及び窒素化合物半導体層の両方の形成に際してAlの混入を低減可能な、化合物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】MBE用の原料供給装置51では、Nラジカルガン53は原料チャンバ55に保持されており、原料チャンバ55はNラジカルガン53のためのプラズマ生成用の空間を提供する。原料チャンバ55は排気システム59にゲートバルブ61を介して接続されている。原料チャンバ55は、ゲートバルブ57を介して成長用チャンバ13cに接続され、原料供給装置51はゲートバルブ57を通して窒素原料を成長用チャンバ13cに供給できる。ゲートバルブ65の開閉は、窒素以外の原料源の動作と独立している。化合物半導体を成長する方法において、窒素ラジカルビームを提供するための期間に、ゲートバルブ57を開きまた窒素ラジカルビームを提供しない期間に、ゲートバルブ57を閉じる。 (もっと読む)


【課題】意図しない不純物のドーピングが抑制されたZnO系薄膜及び半導体素子を提供する。
【解決手段】p型不純物を含むMgxZn1-xO(0≦x<1)からなり、原子間力顕微鏡による観測において、観測される六角形状のピットの密度が5×106個/cm2以下、又は底部に複数の微結晶の突起が形成された凹部が観測されない、の少なくともいずれかを満たす主面を備える。 (もっと読む)


【課題】量子ドット等に利用しうる微細なエピタキシャル層を成長させるのに適した基板表面を実現できるZnTe系化合物半導体基板の表面処理方法、および該基板を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ZnTe系化合物半導体の表面処理において、ZnTe系化合物半導体基板に、少なくとも、Zn分子線、および1×10−6Torr以上1×10−4Torr以下の原子状水素を照射しながら150℃から300℃の温度範囲でアニールする第1の表面処理工程(工程B)を少なくとも有するようにした。さらに、前記第1の表面処理工程の前に、前記ZnTe系化合物半導体基板に1×10−6Torr以上1×10−4Torr以下の原子状水素を照射しながら80℃から150℃の温度範囲でアニールする第2の表面処理工程(工程A)を有するようにした。 (もっと読む)


【課題】意図しない不純物の混入を抑制し、p型不純物イオン濃度の制御性を良くしたZnO系薄膜を提供する。
【解決手段】
p型不純物を含むMgZn1−XO薄膜(0≦X<1)の結晶成長方向表面が、二乗平均粗さ(RMS)≦10nm、又は、粗さの最大幅(PV)≦100nmのいずれか一方を満たしているように作製する。このように形成することで、放電管内壁の元素等の意図しない不純物、例えばシリコン(Si)等の不純物の薄膜への混入は防ぐことができる。 (もっと読む)


【課題】複数の領域で異なる特性を有している量子ドットをもつ半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第1の(平均表面格子)パラメータ値を有する少なくとも1つの第1の領域2と、上記第1のパラメータ値とは異なる第2のパラメータ値を有する少なくとも1つの第2の領域3とを含む半導体表面1上に、半導体層を堆積する工程を含んでいる。上記半導体層は、自己組織化アイランド6および7が形成される厚さまで堆積される。アイランド6および7上には、キャップ層8が堆積される。キャップ層の禁制バンドギャップは上記アイランドよりも大きいため、上記アイランドが量子ドットを形成する。これらの量子ドットは、上記第1の領域アイランドと第2の領域アイランドとの(複数の)差により、上記第1の領域および第2の領域とは異なる特性を有している。 (もっと読む)


【課題】極めて安価な部材を追加するだけで低コストに、基板上に形成する薄膜の膜厚の均一性を向上させることができ、しかも有機材料の蒸着のためだけでなく高温工程が必要な無機材料の蒸着のためにも使用できる分子線源セルを提供する。
【解決手段】被蒸着基板に対向する開口部1aを有する坩堝1と、坩堝1内に充填される分子線材料を加熱し蒸発させて開口部1aから分子線を放出させるためのヒータとを備えており、坩堝1の開口部1aにはキャップ2が配置されており、キャップ2は、その全体が開口部1aの中心軸A方向に約6mm以上の厚みを有するように形成されており、且つ、その内部には、キャップの底部2cの略中心から坩堝1の開口部1aの外周又はその近傍へ延びる複数の絞り穴2aであって、開口部1aの中心軸Aに対して約15〜60度の範囲内で傾斜する複数の絞り穴2aが、略放射状に形成されている。 (もっと読む)


【課題】衛星放送用の送受信用増幅素子や高速データ転送用素子としての高電子移動度トランジスタや磁気センサなどの半導体デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板1と、この基板1上に設けられた第1のAlyGa1-yAszSb1-z層(0≦y≦1、0≦z<1)2と、この第1のAlyGa1-yAszSb1-z層2の上に設けられた電子走行層としてのInxGa1-xAs層(0≦x≦1)3と、このInxGa1-xAs層3の上に設けられた第2のAlyGa1-yAszSb1-z層(0≦y≦1、0≦z<1)4とを備えている。第1のAlyGa1-yAszSb1-z層2、第2のAlyGa1-yAszSb1-z層4のいずれか一方、若しくは両方にはSnがドープされており、InxGa1-xAs電子走行層3への電子供給層となっている。 (もっと読む)


【課題】 ZnO系化合物半導体層のn型層とn側電極とのオーミックコンタクトを改良し、動作電圧を下げる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板1上に設けられ、少なくともn型層4を有するZnO系化合物半導体の積層により発光層を形成する発光層形成部11を有するZnO系化合物半導体素子であって、ZnO系化合物半導体のn型層4に接触して設けられるn側電極9は、n型層4に接する部分がAlを含まないTiまたはCrにより形成されている。 (もっと読む)



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