【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】従来にはないナローな発光をする量子ドットを用いて、安定したレーザ発振を可能としたレーザ発振素子を提供する。
【解決手段】レーザ発振素子において、その活性層は、２×１０^１０／ｃｍ^２〜１×１０^１１／ｃｍ^２の密度でＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上に量子ドットが形成されている。 （もっと読む）

【課題】金属元素や金属元素の化合物を基板上に形成する場合に、パーティクルが発生しないような薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
金属元素を供給する供給源に対向して配置されている部材表面を粗面化するようにした。図１に示されるように、ウエハ２５を保持する基板ホルダ１１の金属元素供給源と対向する面に凹凸を形成した。このように凹凸を形成すると、金属元素が堆積した場合、平坦な面と比べて、付着性が向上し、粗面化された面からは簡単には剥がれ落ちない。 （もっと読む）

【課題】窒素フラックスの調整が可能な、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を作製する方法と、量子井戸構造を作製する方法と、窒素源装置とを提供すること。
【解決手段】アパーチャ２６ａ等のうち開口されたアパーチャを介して窒素フラックスを供給し他の原料フラックスを供給して、第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体層を基板上に堆積する第１の工程と、開口されるアパーチャの数を変更する第２の工程と、第２の工程後に開口されているアパーチャを介して窒素フラックスを供給し他の原料フラックスを供給して、第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体層を第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体層上に堆積する第３の工程とを備え、第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体層の窒素組成は第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体層の窒素組成と異なる。 （もっと読む）

【課題】 動作時のオン抵抗を充分に小さくすることが可能な高耐圧のＦＥＴ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｐ型ＧａＮチャネル層１６がその上下をｎ型ＧａＮソース層１８及びｎ型ＧａＮドレイン層１４によって挟まれた積層構造をメサ形状に加工してその側面に傾斜面を形成し、この傾斜面におけるｐ型ＧａＮチャネル層１６の傾斜した側面上にＳｉＯ_２ ゲート絶縁膜２４を介してゲート電極４０Ｇａ、４０Ｇｂを設けている。即ち、ｐ型ＧａＮチャネル層１６の傾斜した側面をチャネル領域としている。このため、そのチャネル長をｐ型ＧａＮチャネル層１６の厚さによって制御することが可能となり、容易かつ高精度に短チャネル長化を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウム錫混晶層の歪緩和を促進し、より大きな面内伸張歪を持つ伸張歪ゲルマニウム層を形成することができる多層膜構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置に好適な多層膜構造体１０の形成方法として、シリコン基板１１の上方にゲルマニウム層１２を形成する工程と、その上方にゲルマニウム錫混晶層１３を形成する工程と、その上方に伸張歪ゲルマニウム層１４を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】様々なデバイスに適用できるｐ型不純物がドーピングされたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ膜（０≦Ｘ＜０．５）で、ｐ型ドーパントのアクセプタ濃度を、５×１０^２０ｃｍ^−３以下になるように形成する。アクセプタ濃度が、５×１０^２０ｃｍ^−３を超えてくると、ｐ型不純物と母体となるＺｎＯ結晶との混晶化が発生し、ｐ型にドーピングされた良質のＺｎＯ系薄膜とならない。これは、ＺｎＯ２次イオン強度に変化が見られることでわかる。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＰ基板上のＧａＩｎＮＡｓＳｂの表面平滑性が良好で、結晶欠陥密度の低い半導体積層構造の半導体ウエハ、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１をＭＢＥ装置の基板取付部に取り付ける工程と、ＩｎＰ基板上に該ＩｎＰ基板との格子定数差が−０．５％以上＋０．５％以下の範囲のＧａ_１−ｘＩｎ_ｘＮ_ｙＳｂ_zＡｓ_１−ｙ（０．４≦ｘ≦０．８、０＜ｙ≦０．２、０≦ｚ≦０．１）を、パイロメータで測定の基板表面温度４９０℃超え５３０℃以下の状態で膜厚０．５μｍ以上に成長させる工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 完全なノーマリーオフ型動作を実現することができる、窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と、
III−Ｖ族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第２の窒化物半導体層と、
III−Ｖ族窒化物半導体層からなり、第１及び第２のIII−Ｖ族窒化物半導体層より成膜温度の低い膜からなるアルミニウムを含まない第３の窒化物半導体層が順に積層され、第３の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極を備えている。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物がドーピングされるとともに、平坦な膜を形成することができる酸化物薄膜及び酸化物薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】
酸化物薄膜２は、図１（ｂ）に示されるように、ｎ型（電子伝導型）不純物をドーピングしたドープ酸化物層２ａと、ｎ型不純物をドーピングしないアンドープ酸化物層２ｂとが交互に繰り返し積層されている。ｎ型不純物を高濃度にドーピングした酸化物層は、その表面の荒れが大きくなるので、ドープ酸化物層２ａによる表面荒れが非常に大きくなる前に、表面平坦を確保できるアンドープ酸化物層２ｂで覆うことにより平坦な酸化物薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】材料元素の供給温度を上げることができ、材料元素の安定供給を行うことができる材料供給装置を提供する。
【解決手段】
材料供給装置の容器１０は、坩堝１とオリフィス３とで構成されている。坩堝１は、円筒型や角柱型等の形状で、かつ中空の形状に構成されている。坩堝１の周囲にヒータ等の熱源２が配置されており、坩堝１の材料元素供給方向には、開口部３ａを有するオリフィス３が設けられている。オリフィス３は材料元素供給側に向かって伸びている管部３ｃを備えており、管部３ｃの先端には開口部３ａが形成されている。また、管部３ｃの開口面積は、材料元素供給側、すなわち開口部３ａの方向に向かって、次第に小さくなって行くように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系基板中に含まれるＬｉの、基板上方に形成された半導体層中への拡散が抑制されたＺｎＯ系半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、Ｌｉを含むＺｎＯ系基板１と、その上方に形成されＬｉの拡散を抑制するジンクシリケート層３とを有する。このジンクシリケート層を介して、ｎ型ＺｎＯ層１１、ＺｎＯ井戸層とＺｎＭｇＯ障壁層からなる量子井戸構造を有する発光層１２、及びｐ型ＺｎＯ層１３がＺｎＯ系基板に対してエピタキシャル成長される。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の結晶性を維持しつつ、酸化物薄膜中に気体元素を効率良くドーピングすることができる酸化物薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】
ドーピングを行わない酸化物薄膜形成工程（第１の酸化物薄膜形成工程）における酸素供給量を基準とし、この基準酸素供給量よりも、気体元素のドーピングを行う酸化物薄膜形成工程（第２の酸化物薄膜形成工程）における酸素供給量を小さくしているので、成長温度を結晶性が良くなる温度にまで上げている場合でも、気体元素のドーピングが容易に行われる。 （もっと読む）

【課題】放出されるプラズマ粒子の純度を高め、不純物の混入を防止し、イオン濃度の制御性を良くした薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】中空の放電管１の外側周囲を高周波コイル２で巻き回されており、高周波コイル２の端子は、高周波電源に接続されている。また、放電管１の上部には放出孔４が、下部にはガス導入孔５が形成されている。ガス導入孔５にはガス供給管１２が接続され、ここから薄膜構成元素となる気体が供給される。放出孔４と所定の距離を隔てて阻止体３が、放出孔４を遮るように設けられている。薄膜形成時には、中空の放電管１内部からプラズマ粒子が放出されるが、気体元素以外の粒子が阻止体３に阻止され基板へ到達できない。 （もっと読む）

【課題】放出されるプラズマ原子の純度を高め、不純物の混入を防止し、イオン濃度の制御性を良くしたラジカル発生装置を提供する。
【解決手段】放電管１０の外側周囲を高周波コイル４で巻き回されており、高周波コイル４の端子は、高周波電源９に接続されている。放電管１０は、放電室１、蓋２、ガス導入用底板３で構成されている。また、支持台８が設けられており、支持台８には支柱６が配置され、支柱６にはシャッター５が接続されている。斜線が付されている構成部品、すなわち、シャッター５、蓋２、放電室１、ガス導入用底板３については、これらのすべて、又は一部について石英等のシリコン系化合物で形成されている。 （もっと読む）

第１半導体材料の結晶基板と、結晶基板の表面上に配置されるマスク（１１）とを含む半導体ヘテロ構造（１０）である。マスク（１１）は、９００ｎｍ以下の幅（ｗ）を有する複数の細長い開口部（１３，１４）を含む開口（１２）を有する。細長い開口部の少なくとも第１開口部（１３）は、複数の細長い開口部のうちの少なくとも１つの第２開口部（１４）に対して非平行に配向される。半導体ヘテロ構造（１０）は、開口（１２）を充填してマスクをカバーする第２半導体材料のオーバーグロース結晶層をさらに含む。かかる半導体ヘテロ構造の製造方法も提示される。
（もっと読む）

【課題】半導体基板の温度を高精度かつ高い再現性で測定する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板温度測定装置を含む半導体デバイス製造装置であるＭＢＥ装置２０は、半導体基板の温度を測定する半導体基板温度測定装置において、基板２において散乱された散乱光のスペクトルに基づき、基板２の温度を算出する基板温度演算装置１１を備え、基板温度演算装置１１は、散乱光のスペクトル基づき算出した基板２の温度を、基板２のドーパント濃度に基づいて補正する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記膜および前記基板表面の境界近傍であって、前記膜の周縁部と前記基板表面とが接する部分を含む領域を成長促進領域として、前記基板表面に成長原料を導き、少なくとも前記成長促進領域上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板上にＺｎＯ系薄膜を形成する場合に、平坦な膜を成長させるためのＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】 図１（ａ）では、ＺｎＯ系基板１上にＺｎＯ系薄膜２が形成されている。また、図１（ｂ）では、ＺｎＯ系基板１上に、ＺｎＯ系薄膜の積層体であるＺｎＯ系積層体１０が形成されている。ＺｎＯ系積層体１０は、ＺｎＯ系半導体層３やＺｎＯ系半導体層４等の複数のＺｎＯ系半導体層が積層された積層体である。ＺｎＯ系薄膜２やＺｎＯ系積層体１０を形成する場合には、成長温度７５０℃以上で成長させるか、又は、膜表面の粗さが所定の範囲になるように、膜表面のステップ構造が所定の構造となるように形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＨＥＭＴ構造に適した“大きなバンドギャップの半導体／小さなバンドギャップの半導体／基板”構造で、２次元電子ガス層をチャンネル層として利用する構造の高電子移動度ＺｎＯデバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 Ｚｎ極性（０００１）面を有するアンドープＺｎＯ層及びＺｎ極性（０００１）面を有するアンドープＺｎ_１−ｘＭｇ_ｘＯ（０．１５≦ｘ≦０．４５）層のヘテロ接合を有し、Ｚｎ極性（０００１）面を有するアンドープＺｎＯ層の２次元電子ガス層をチャンネル層とすることを特徴とする高電子移動度ＺｎＯデバイスである。 （もっと読む）