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Fターム[5F103AA05]の内容

半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | 析出方法 (899) | 蒸着 (423) | 分子ビーム(MBE)、原子ビーム (251) | 有機金属分子ビーム(MOMBE) (11)

Fターム[5F103AA05]に分類される特許

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【課題】電流量の減少や断線などの問題を抑制した状態で、電界効果トランジスタをより微細化できるようにする。
【解決手段】基板101の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域102と、ゲート電極104およびゲート電極104を挟んでチャンネル領域102に接続されたソース電極105およびドレイン電極106とを備える。例えば、チャンネル領域102は、グラフェンが1層から4層程度積層されたものである。図1に示す例では、ゲート電極104は、チャンネル領域102にゲート絶縁層103を介して形成されている。 (もっと読む)


【課題】真性に近い単結晶GaN膜を有し、かつこの膜をn形又はp形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス:基板であって、この基板は、(100)シリコン、(111)シリコン、(0001)サファイア、(11−20)サファイア、(1−102)サファイア、(111)ヒ化ガリウム、(100)ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる;約200Å〜約500Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む;および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 (もっと読む)


【課題】基板上に成長させる半導体層の面方位を選択することができ、必要に応じて半導体層のピエゾ電界を抑えたり結晶品質を高くしたりすることができる半導体層の成長方法およびこの成長方法を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系の結晶構造を有する物質からなる基板の(1−100)面上に、六方晶系の結晶構造を有する半導体からなり、(11−22)面方位または(10−13)面方位を有する半導体層を(1−100)面ファセット、(0001)面ファセットおよび(10−13)面ファセットを出しながら成長させる。 (もっと読む)


【課題】ナノコラムを複数有して成る化合物半導体発光素子において、蛍光体を用いることなく、高い発光効率で、色味を高精度に調整可能とする。
【解決手段】Si基板4の一部領域にトレンチ11を形成し、そのトレンチ11内にさらにナノコラム2の化合物種結晶膜であるAlN層12を形成した後にナノコラム2を成長させることで、前記AlN層12の有る領域は、それが無い壁13上の領域に比べて、成長が速く、所定の時間成長させると、前記トレンチ11と壁13との段差を吸収して、p型層14の表面が略同じ高さとなる。これによって、同一基板でかつ単一の成長工程で簡単に、したがって低コストに、白色光などの所望の色味を実現できる。また、蛍光体を用いずに所望の色味を実現できるので、高い信頼性および長寿命化を図ることができるとともに、トレンチ11の面積を任意に調整し、色味を細かく高精度に調整できる。 (もっと読む)


【課題】極めて安価な部材を追加するだけで低コストに、基板上に形成する薄膜の膜厚の均一性を向上させることができ、しかも有機材料の蒸着のためだけでなく高温工程が必要な無機材料の蒸着のためにも使用できる分子線源セルを提供する。
【解決手段】被蒸着基板に対向する開口部1aを有する坩堝1と、坩堝1内に充填される分子線材料を加熱し蒸発させて開口部1aから分子線を放出させるためのヒータとを備えており、坩堝1の開口部1aにはキャップ2が配置されており、キャップ2は、その全体が開口部1aの中心軸A方向に約6mm以上の厚みを有するように形成されており、且つ、その内部には、キャップの底部2cの略中心から坩堝1の開口部1aの外周又はその近傍へ延びる複数の絞り穴2aであって、開口部1aの中心軸Aに対して約15〜60度の範囲内で傾斜する複数の絞り穴2aが、略放射状に形成されている。 (もっと読む)


【課題】生産性とキャリア濃度が向上し、低抵抗n型AlN半導体結晶を得ることを目的とし、短波長発光素子やパワーデバイスを実現することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、AlN結晶のAl原子の一部を、IIIa族元素(Sc,Y,
La等)又は/及びIIIb族元素(B,Ga,In等)で置換し、隣接する窒素(N)1原
子を酸素(O)原子で置換することにより、浅い不純物準位が形成され、低抵抗n型AlN結晶を得ることができる。特にIIIa族元素又は/及びIIIb族元素の合計濃度(C3A)が1×1018cm-3以上であり、O濃度(Co)が、0.01C3A<Co<1.5C3Aである
ことが好ましい。またAlN結晶の製造方法としては、CVD法、MBE法や昇華法等公知の方法に採用できる。 (もっと読む)


本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式:(SiHn1)x(GeHn2)yによって定義される。式中、xは2,3または4であり;yは1,2または3であり;x+yは3,4または5であり;n1は、化合物中の各Si原子に関して独立に0,1,2または3であって原子価を満たし;n2は、化合物中の各Ge原子に関して独立に0,1,2または3であって原子価を満たし;但し、yが1のとき、n2は0ではなく;さらに、xが3、かつ、yが1のとき、n2は2または3であり;さらに、xが2、かつ、yが1のとき、n2は3である。
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本発明は、プラズマ気相エピタキシーのための低エネルギー高密度プラズマ発生装置を含んでなる化合物半導体層の高速エピタキシャル成長のための装置及び方法である。上記方法は、堆積チャンバーにおいて1つ又は複数の金属蒸気を非金属元素と結合させるステップを含む。するとガスが高密度低エネルギープラズマ存在下で非常に活性化される。それと同時に、半導体層を基板上に形成するために金属蒸気は非常に活性化されたガスと反応され、反応生成物はプラズマにさらされた支持部と連通する加熱された基板上に堆積される。上記方法は炭素を一切含まず、10nm/sまでの成長率で、1000℃以下の基板温度の大面積シリコン基板に窒化物半導体をエピタキシャル成長するために特に適する。上記方法は、炭素を含むガスも水素を発生するガスも必要とせず、有毒性のキャリア又は反応ガスを用いないため、環境に優しい方法である。
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SiCは極めて安定な物質であり、通常のIII族窒化物の結晶成長装置では、SiC表面状態を結晶成長に適した状態に制御することが困難である。そこで、以下の処理を行った。HClガス雰囲気中で熱処理を行ってSiC基板1の表面をステップ−テラス構造にし、SiC基板1の表面に対して、王水、塩酸、フッ酸による処理を順次行ってSiC基板1の表面にわずかに形成されているシリコン酸化膜をエッチングして基板表面にはSiC清浄表面3を形成し、SiC基板1を高真空装置内に取り付け、超高真空状態(例えば、10−6〜10−8Pa)に保持した。超高真空状態において、例えば800℃以下でGa原子ビーム5を時間t1において照射し800℃以上で熱処理を行うプロセスを、少なくとも1回以上繰り返し、AlN膜の成長温度に設定し、超高真空状態でAl原子8aをSiC基板表面3に対して先行照射し、その後、N原子8bを供給する。
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有機材料を堆積する方法が提供される。有機材料が基板に堆積されるように、有機材料を搬送するキャリアガスは、そのキャリアガスの熱運動速度の少なくとも10%である流速でノズルから噴出される。ある実施形態では、そのキャリアガスを囲う、ノズルと基板との間の領域における動態的圧力は、噴出中、少なくとも1Torrであり、より好ましくは10Torrである。ある実施形態では、保護流体がキャリアガスの周囲に供給される。ある実施形態では、バックグラウンド圧力は、少なくとも約10−2Torrであり、より好ましくは約0.1Torrであり、より好ましくは約1Torrであり、より好ましくは約10Torrであり、より好ましくは約100Torrであり、最も好ましくは約760Torrである。
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本発明は、半導体表面、特にシリコンに分子を付着させるための新規手順を提供するものである。ポルフィリンおよびフェロセンを含む(しかし、これらに限定されない)分子が分子ベースの情報記憶のための魅力的な候補であることは、以前に示されてきた。この新規付着手順は、単純であり、短時間に完了させることができ、最少量の材料しか必要とせず、様々な分子官能基と両立でき、場合によっては従来にない付着モチーフを生じる。これらの特徴は、ハイブリッド分子/半導体情報記憶デバイスを作るために必要な加工段階への分子材料の組込みを非常に向上させる。
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