【課題】電流量の減少や断線などの問題を抑制した状態で、電界効果トランジスタをより微細化できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域１０２と、ゲート電極１０４およびゲート電極１０４を挟んでチャンネル領域１０２に接続されたソース電極１０５およびドレイン電極１０６とを備える。例えば、チャンネル領域１０２は、グラフェンが１層から４層程度積層されたものである。図１に示す例では、ゲート電極１０４は、チャンネル領域１０２にゲート絶縁層１０３を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に成長させる半導体層の面方位を選択することができ、必要に応じて半導体層のピエゾ電界を抑えたり結晶品質を高くしたりすることができる半導体層の成長方法およびこの成長方法を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系の結晶構造を有する物質からなる基板の（１−１００）面上に、六方晶系の結晶構造を有する半導体からなり、（１１−２２）面方位または（１０−１３）面方位を有する半導体層を（１−１００）面ファセット、（０００１）面ファセットおよび（１０−１３）面ファセットを出しながら成長させる。 （もっと読む）

【課題】ナノコラムを複数有して成る化合物半導体発光素子において、蛍光体を用いることなく、高い発光効率で、色味を高精度に調整可能とする。
【解決手段】Ｓｉ基板４の一部領域にトレンチ１１を形成し、そのトレンチ１１内にさらにナノコラム２の化合物種結晶膜であるＡｌＮ層１２を形成した後にナノコラム２を成長させることで、前記ＡｌＮ層１２の有る領域は、それが無い壁１３上の領域に比べて、成長が速く、所定の時間成長させると、前記トレンチ１１と壁１３との段差を吸収して、ｐ型層１４の表面が略同じ高さとなる。これによって、同一基板でかつ単一の成長工程で簡単に、したがって低コストに、白色光などの所望の色味を実現できる。また、蛍光体を用いずに所望の色味を実現できるので、高い信頼性および長寿命化を図ることができるとともに、トレンチ１１の面積を任意に調整し、色味を細かく高精度に調整できる。 （もっと読む）

【課題】極めて安価な部材を追加するだけで低コストに、基板上に形成する薄膜の膜厚の均一性を向上させることができ、しかも有機材料の蒸着のためだけでなく高温工程が必要な無機材料の蒸着のためにも使用できる分子線源セルを提供する。
【解決手段】被蒸着基板に対向する開口部１ａを有する坩堝１と、坩堝１内に充填される分子線材料を加熱し蒸発させて開口部１ａから分子線を放出させるためのヒータとを備えており、坩堝１の開口部１ａにはキャップ２が配置されており、キャップ２は、その全体が開口部１ａの中心軸Ａ方向に約６ｍｍ以上の厚みを有するように形成されており、且つ、その内部には、キャップの底部２ｃの略中心から坩堝１の開口部１ａの外周又はその近傍へ延びる複数の絞り穴２ａであって、開口部１ａの中心軸Ａに対して約１５〜６０度の範囲内で傾斜する複数の絞り穴２ａが、略放射状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】生産性とキャリア濃度が向上し、低抵抗ｎ型ＡｌＮ半導体結晶を得ることを目的とし、短波長発光素子やパワーデバイスを実現することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、ＡｌＮ結晶のＡｌ原子の一部を、IIIａ族元素（Ｓｃ,Ｙ,
Ｌａ等）又は／及びIIIｂ族元素（Ｂ,Ｇａ,Ｉｎ等）で置換し、隣接する窒素（Ｎ）１原
子を酸素（Ｏ）原子で置換することにより、浅い不純物準位が形成され、低抵抗ｎ型ＡｌＮ結晶を得ることができる。特にIIIａ族元素又は／及びIIIｂ族元素の合計濃度（Ｃ_3A）が１×１０¹⁸cm^-3以上であり、Ｏ濃度(Ｃo)が、０．０１Ｃ_3A＜Ｃｏ＜１．５Ｃ_3Aである
ことが好ましい。またＡｌＮ結晶の製造方法としては、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法や昇華法等公知の方法に採用できる。 （もっと読む）

本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：（ＳｉＨｎ１）ｘ（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｘは２，３または４であり；ｙは１，２または３であり；ｘ＋ｙは３，４または５であり；ｎ１は、化合物中の各Ｓｉ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；但し、ｙが１のとき、ｎ２は０ではなく；さらに、ｘが３、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は２または３であり；さらに、ｘが２、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は３である。
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本発明は、プラズマ気相エピタキシーのための低エネルギー高密度プラズマ発生装置を含んでなる化合物半導体層の高速エピタキシャル成長のための装置及び方法である。上記方法は、堆積チャンバーにおいて１つ又は複数の金属蒸気を非金属元素と結合させるステップを含む。するとガスが高密度低エネルギープラズマ存在下で非常に活性化される。それと同時に、半導体層を基板上に形成するために金属蒸気は非常に活性化されたガスと反応され、反応生成物はプラズマにさらされた支持部と連通する加熱された基板上に堆積される。上記方法は炭素を一切含まず、１０ｎｍ／ｓまでの成長率で、１０００℃以下の基板温度の大面積シリコン基板に窒化物半導体をエピタキシャル成長するために特に適する。上記方法は、炭素を含むガスも水素を発生するガスも必要とせず、有毒性のキャリア又は反応ガスを用いないため、環境に優しい方法である。
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ＳｉＣは極めて安定な物質であり、通常のＩＩＩ族窒化物の結晶成長装置では、ＳｉＣ表面状態を結晶成長に適した状態に制御することが困難である。そこで、以下の処理を行った。ＨＣｌガス雰囲気中で熱処理を行ってＳｉＣ基板１の表面をステップ−テラス構造にし、ＳｉＣ基板１の表面に対して、王水、塩酸、フッ酸による処理を順次行ってＳｉＣ基板１の表面にわずかに形成されているシリコン酸化膜をエッチングして基板表面にはＳｉＣ清浄表面３を形成し、ＳｉＣ基板１を高真空装置内に取り付け、超高真空状態（例えば、１０^−６〜１０^−８Ｐａ）に保持した。超高真空状態において、例えば８００℃以下でＧａ原子ビーム５を時間ｔ１において照射し８００℃以上で熱処理を行うプロセスを、少なくとも１回以上繰り返し、ＡｌＮ膜の成長温度に設定し、超高真空状態でＡｌ原子８ａをＳｉＣ基板表面３に対して先行照射し、その後、Ｎ原子８ｂを供給する。
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本発明は、半導体表面、特にシリコンに分子を付着させるための新規手順を提供するものである。ポルフィリンおよびフェロセンを含む（しかし、これらに限定されない）分子が分子ベースの情報記憶のための魅力的な候補であることは、以前に示されてきた。この新規付着手順は、単純であり、短時間に完了させることができ、最少量の材料しか必要とせず、様々な分子官能基と両立でき、場合によっては従来にない付着モチーフを生じる。これらの特徴は、ハイブリッド分子／半導体情報記憶デバイスを作るために必要な加工段階への分子材料の組込みを非常に向上させる。
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有機材料を堆積する方法が提供される。有機材料が基板に堆積されるように、有機材料を搬送するキャリアガスは、そのキャリアガスの熱運動速度の少なくとも１０％である流速でノズルから噴出される。ある実施形態では、そのキャリアガスを囲う、ノズルと基板との間の領域における動態的圧力は、噴出中、少なくとも１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは１０Ｔｏｒｒである。ある実施形態では、保護流体がキャリアガスの周囲に供給される。ある実施形態では、バックグラウンド圧力は、少なくとも約１０^−２Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約０．１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１０Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１００Ｔｏｒｒであり、最も好ましくは約７６０Ｔｏｒｒである。
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