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Fターム[5F103AA10]の内容

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Fターム[5F103AA10]に分類される特許

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【課題】デバイス品質の良好なInN/GaNヘテロ構造の半導体光素子を提供する。
【解決手段】基板1、n型コンタクト層2、n型クラッド層3、n型ガイド層4、活性層5、p型ガイド層6、p型クラッド層7、p型コンタクト層8を順に積層して構成されている。またn型コンタクト層3上には第一の電極9が、p型コンタクト層9上には第二の電極10が形成されており、第一と第二の電極の間に電圧を印加することで活性層5に正孔及び電子を注入し、発光させることが可能である。 (もっと読む)


【課題】しきい値電圧の制御が困難な半導体膜を活性層に用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの活性層と接する膜または活性層近傍の膜に負の固定電荷を有する酸化シリコン膜を用いることで、負の固定電荷により活性層に負の電界が常に重畳していることになり、しきい値電圧をプラスシフトさせることができる。そのため、トランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】高品質なIII族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、窒化サファイア基板を清浄化する。その後、III族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なN極性結晶を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】電界効果型トランジスタに関する新規な製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、非晶質酸化物層を形成する前に、基板表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射したり、基板表面にプラズマを照射したり、あるいは基板表面を過酸化水素を含有する薬液により洗浄する。または、非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する工程をオゾンガス、窒素酸化物ガス等の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行う。または、基板上に、非晶質酸化物層を形成する後に、非晶質酸化物層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】貫通らせん転位が少ない、もしくは存在しない炭化珪素単結晶層を製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素単結晶ウェハ、当該炭化珪素単結晶ウェハを用いた炭化珪素半導体素子の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】結晶成長面5からの傾斜面6の角度が40度以上90度以下であり頂面3Tを有する六角錐状の凸部3を有する種基板2の表面に炭化珪素単結晶層4を成長させることで、種基板2の貫通らせん転位を、炭化珪素単結晶層4で基底面内欠陥9に変換すると共に、貫通らせん転位を凸部3の頂面3Tに制限する。 (もっと読む)


【課題】非晶質酸化物を利用した新規な画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アクティブマトリックス型の画像表示装置において、光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタの活性層12として、非晶質酸化物を用いる。アクティブマトリックス型の画像表示装置であって、光制御素子と、光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備え、電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が1018/cm未満の非晶質酸化物である。 (もっと読む)


【課題】MgとInとを主成分とする複合酸化物を活性層とし、かつ良好な電界効果移動度を示す電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】ゲート電極3、ソース電極4及びドレイン電極5と、ドレイン電極5及びソース電極4が接合された活性層2と、活性層2及びゲート電極3の間にゲート絶縁膜6と、備え、活性層2がMgとInとを主成分とする複合酸化物であり、ゲート絶縁膜6がYである電界効果トランジスタ1を使用する。 (もっと読む)


【課題】SiC単結晶を成長させる際のドーパント濃度のバラツキを抑制する。
【解決手段】SiC原料粉末3とドーパント元素4の配置場所を異ならせると共に、SiC原料粉末3に対してドーパント元素4が種結晶2から離れた位置に配置されるようにする。そして、ドーパント元素4の配置場所をSiC原料粉末3の配置場所よりも低温にできる構成とする。これにより、SiC原料粉末3が昇華し始めるよりも前にドーパント元素4が気化し切ってしまうことを防止することができ、成長させたSiC単結晶のインゴットが成長初期にのみドーパントが偏析したものとなることを抑制できる。したがって、ドーパント濃度のバラツキを抑制できるSiC単結晶を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびSiC単結晶の成長途中の表面形状を制御することで、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるようにする。
【解決手段】種結晶となるSiC単結晶基板3に対向配置される遮蔽板6aを有する遮蔽部6を備える。そして、遮蔽部6の遮蔽板6aに備えたガス供給孔6bを通じて螺旋転位発生可能領域3aに選択的に昇華ガスが供給されるようにする。これにより、SiC単結晶基板3の中心よりも螺旋転位発生可能領域3a側において最も成長量が大きくなった凸形状とすることが可能となり、台座1cの厚みを非対称にして成長途中表面4aに温度分布を設けたりしなくても良くなって、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】複数の炭化珪素単結晶を有する複合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素と異なる材料から作られた支持層31と、支持層31上に形成された炭化珪素層32とを有するベース部30が準備され、前記ベース部30の炭化珪素層32上に第1および第2の炭化珪素単結晶11、12の各々が接合される。前記接合する工程は、前記炭化珪素層32に前記第1および第2の炭化珪素単結晶11,12の各々を対向させる工程と、前記炭化珪素層11,12のうち前記第1および第2の炭化珪素単結晶11,12に対向する部分のそれぞれを、前記第1および第2の炭化珪素単結晶11,12上に昇華および再結晶させることによって、前記第1および第2の炭化珪素単結晶11,12の各々に前記炭化珪素層32を接合する工程とを含む複合基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】比較的低い温度で作製することができ、電荷の高い移動度を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体の微粒子を基板に吹き付けてチャネル用の半導体膜3を形成し、半導体膜3を間に挟むソース5s及びドレイン5dを形成する。 (もっと読む)


【課題】TFTの活性層等に適用できる新規な非晶質酸化物を提供する。
【解決手段】非晶質酸化物が層厚方向に組成が変化する薄膜からなり、電子キャリア濃度が1018/cm3未満であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】バンドギャップがより大きく、紫外領域で発光する可能性があるβ−Ga単結晶において、所定の抵抗率及びキャリア濃度を有するβ−Ga単結晶を提供する。
【解決手段】β−Ga単結晶において、Si濃度を1×10−5〜1mol%に変化させることにより、抵抗率が2.0×10−3〜8×10Ωcm、キャリア濃度が5.5×1015〜2.0×1019/cmの範囲に制御するドーパントの添加濃度に応じて抵抗率を可変することができる。 (もっと読む)


【課題】体積抵抗率が低く、しかも、エピタキシャル成長工程等のウエハプロセスにおいて炭化珪素単結晶基板が1000℃以上に晒されても、積層欠陥が殆ど発生することがない炭化珪素単結晶基板、および、この基板を用いて得た炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】体積抵抗率が0.001Ωcm以上0.012Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であり、表裏面のうち少なくとも片面の表面粗さRaが1.0nm以下であると共に、外周側面の表面粗さRaが1.0nm以下である炭化珪素単結晶基板、および、前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長してなる炭化珪素エピタキシャルウェハ、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム又はこれらの混晶をエピタキシャル成長してなる薄膜エピタキシャルウェハ。 (もっと読む)


【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が10乃至100nmの微細多結晶からなる第1のβ−FeSi層2を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第1のβ−FeSi層2上に粒径が10乃至100μmの第2のβ−FeSi層3を形成する。 (もっと読む)


【課題】高品質の炭化珪素単結晶を安定的に製造し、高品質化を可能とする成分調整部材及びそれを備えた単結晶成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る成分調整部材は、結晶成長用容器と、該結晶成長用容器内の下部に位置する原料収容部と、該原料収容部の上方に同軸に配置して該原料収容部より小径の基板支持面で基板を支持する基板支持部とを備え、前記原料を昇華させて前記基板上に前記原料の化合物半導体単結晶を成長させる単結晶成長装置において、前記原料収容部と前記基板支持部との間に配置して前記結晶成長用容器内の空間を分離する成分調整部材であって、前記原料の昇華ガスが透過する複数の透過孔を有すると共に、中央側の開口率(前記透過孔の総開口面積/前記透過孔以外の部分の総面積)が周端側の開口率より高いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】サファイア基板上に高品質なIII族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】直接窒化されたサファイア基板2上のAlN層にラジカル源5から窒素ラジカル又は窒素イオンを含む気体を所定時間照射する。その後、成長させるIII族窒化物の構成元素からなるターゲット3aに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するPLD(パルスレーザ堆積)法によってIII族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なN極性結晶を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】たとえば、昇華法によるSiC単結晶の製造において、単結晶の成長途中での断熱材の劣化を抑制すると共に、坩堝内の温度分布の再現性を高め、さらに製造コストの上昇を抑えることが可能な単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶の製造装置は、導電性の坩堝10と、坩堝10の外周に近接して配設され、当該坩堝10の側方および上方を覆う導電性の炉芯管11を備える。誘導加熱法を用いて坩堝10が加熱される際、炉芯管11は、その下端は坩堝10の底よりも低い位置となるように設置される。 (もっと読む)


【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の炭化珪素基板11の第1の側面S1と、第2の炭化珪素基板12の側面S2とが互いに面するように、処理室60内にベース部30および第1および第2の炭化珪素基板11、12が配置される。処理室60内に、炭素元素と化合することができる固体材料からなる吸収部51が設けられる。第1および第2の側面S1、S2を互いに接合するために、炭化珪素が昇華し得る温度以上に処理室60内の温度が高められる。温度を高める工程において吸収部51が炭化される。 (もっと読む)


【課題】緻密で良好な膜質の光応答性化合物半導体薄膜を安価にかつ簡便に製造する。
【解決手段】ガス中に化合物半導体の原料粒子を分散させたエアロゾルを基板に向けて噴射、衝突させて、基板上に化合物半導体薄膜を形成するエアロゾルデポジション法(AD法)により化合物半導体薄膜を製造する方法。AD法によれば、高真空、あるいはセレン化ないし硫化工程を経ることなく、化合物半導体の結晶構造やバンド構造が保持されたまま、室温において光応答性を有する、太陽電池用途に適した膜質の良好な緻密質膜を容易に形成することができる。 (もっと読む)


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