【課題】大気圧で基板上に気化された化学材料を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】大気圧で基板を被覆する方法が、加熱された不活性ガス流の中で、ほぼ大気圧で、制御された質量の半導体材料を気化させ、半導体材料の凝縮温度より高い温度を有する流体混合物を生成するステップと、ほぼ大気圧で、半導体材料の凝縮温度より低い温度を有する基板の上に流体混合物を向けるステップと、半導体材料の層を基板の表面の上に堆積させるステップとを含む。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも２つの成分から作製される層を物体上に堆積させるための装置に関し、この装置は、物体を配置するための堆積チャンバと、堆積させようとする材料を有する少なくとも１つのソースと、堆積させようとする材料の少なくとも１つの成分の濃度を、少なくとも１つの成分の所定量を選択的に結合させることによって、その成分の気相中で、物体上への堆積前に修正することができるように実施される、堆積プロセスを制御するための少なくとも１つの装置とを備え、少なくとも１つの成分の選択的に結合された量は、成分についての結合速度と積極的に連動している少なくとも１つの制御パラメータを修正することによって、制御することができる。本発明はさらに、少なくとも２つの成分から作製される層を物体上に堆積させるための装置に関し、堆積プロセスを制御するための装置が、反応性の材料から作製されるゲッタリング要素を少なくとも１つ有し、反応性の材料は銅および／またはモリブデンを含む。本発明はさらに、少なくとも２つの成分から作製される層を物体上に堆積させるための方法に関し、少なくとも１つの成分の選択的に結合された量は、堆積プロセスを制御するための装置の結合速度を修正することによって制御される。
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【課題】基板表面が分子レベルで平坦化された単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に単結晶４Ｈ−ＳｉＣ又は単結晶６Ｈ−ＳｉＣからなる単結晶ＳｉＣ基板５を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に、前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら１５００℃以上２２００℃以下で加熱制御する。これによって、当該単結晶ＳｉＣ基板５の表面が、単結晶ＳｉＣ基板を構成するＳｉＣ分子の積層方向の１周期分であるフルユニットの高さ又は半周期分であるハーフユニットの高さからなるステップで終端し、分子レベルで平坦化される。前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

上部に固体ターゲットシリンダを受け入れるようにされた、スパッタリング装置のための回転可能なターゲットベース装置を提供し、この回転可能なターゲットベース装置は、側面（３）と、中間部（１２）と、第１の端部領域（７）と、第１の端部領域に対向する第２の端部領域（９）とを有するターゲットベースシリンダ（４）を含み、第１及び第２の端部領域の少なくとも一方は、実質的に中間部の外径以下の最大外径を有する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ材料をはじめとした薄膜の特性を劣化させることなく、大型化かつ高精度の微細パターニングを可能とするパターニング方法、および、かかるパターニング方法を使用するデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に光熱変換層と区画パターンが形成され、前記区画パターン内に転写材料が横方向にｋ個、縦方向にｌ個（ｋ、ｌはそれぞれ１以上の整数）配列されたドナー基板をデバイス基板と対向配置し、横方向にｍ個、縦方向にｎ個（ｋ≧ｍ≧１、ｌ≧ｎ≧１）の転写材料からなる領域よりも広い面積の光を光熱変換層に照射することで、前記転写材料をデバイス基板に一括して転写することを特徴とするパターニング方法。 （もっと読む）

【課題】低温、かつ少ない工程で、ナノドットを作製する方法、並びにこのナノドットを有する浮遊ゲートトランジスタ及びその作製方法の提供。
【解決手段】同軸型真空アーク蒸着源１を用いて、金属材料又は半導体材料から、絶縁層３４中に埋め込まれる、電荷を保持するためのナノドット３３を作製する。基板３１上に酸化物膜３２を形成する工程と、ナノドット３３を酸化物膜３２上に作製する工程と、ナノドット上に絶縁層３４を形成することでナノドットを埋め込むようにする工程と、絶縁層３４上に電極膜３５を形成する工程とを有し、かくして浮遊ゲートトランジスタが作製される。 （もっと読む）

【課題】比較的小さなサイズの量子ドットを相互に短絡することなく均一に分散させた量子ドットアレイを得る。
【解決手段】量子ドットアレイの製造方法は、基板上（２）に、それぞれが上下をバリア層（８ａ、８）で挟まれた量子ドット（６）を含む複数の柱状部（４）を設けることにより、量子ドットアレイ（１００）を形成するために、基板（２）を回転させながら第１の材料を斜方蒸着することにより、基板（２）上に前記複数の柱状部（４）を形成するための基礎部を形成し、その後、基板の回転を停止して前記バリア層の材料および量子ドットの材料を順次斜方蒸着することにより、基礎部上に上下をバリア層で挟まれた量子ドットを形成する、各工程を含む。 （もっと読む）

【課題】トリガ放電を安定化させ、アーク放電の不具合の発生を抑制可能な同軸型真空アーク蒸着源及びこれを用いた蒸着装置を提供する。
【解決手段】筒状のアノード電極６と、中心軸線をアノード電極６の中心軸線と略一致させアノード電極６内部に配置された柱状の蒸着材料７と、蒸着材料７の周囲に密着配置された筒状の絶縁部材８と、絶縁部材８の周囲に密着配置された筒状のトリガ電極９を有する。トリガ電極９と蒸着材料７の間でトリガ放電を行いアノード電極６と蒸着材料７との間にアーク放電を誘起させ、蒸着材料７側面から放出された微小粒子をアノード電極６の開放口から放出させる。絶縁部材８に、その軸線方向に延び当該絶縁部材８を部分的に切断するスリット部２０を設け、トリガ電極９に、その軸線方向に延び当該トリガ電極９を部分的に切断するスリット部３０を設ける。締付機構４０によりトリガ電極９を締め付ける。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の交換が容易で寿命が長い蒸着源を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着源３では、棒状電極４０と蒸着材料３５が接触する面に、それぞれ雄ねじ４１と雌ねじ４２が形成され、棒状電極４０を取り付けた状態では、棒状電極４０と蒸着材料３５が螺合されている。棒状電極４０と蒸着材料３５は螺合することで互いに強く密着しているので、アーク放電を繰り返すことで蒸着材料３５が変形したときには、蒸着材料３５がキャップ３６から離間することはあっても、棒状電極４０に密着した状態が維持されるので、アーク放電の停止が起こらない。 （もっと読む）

【課題】 不純物を低減して、リン分子を分子線として照射することができる分子線源および分子線源使用方法を提供する
【解決手段】 充填空間１１に赤リン材料を充填し、充填空間１１と精製空間１２とを連通させた状態で、充填部２１を第１気化温度ｔ１ｇに加熱して充填空間１１に存在する赤リンを昇華して、精製空間１２に白リンを凝縮する。次に精製空間１２と貯留空間１３とを連通させた状態で、精製部２２を第１気化温度ｔ１ｇよりも低い第２気化温度ｔ２ｇに加熱して精製空間１２に存在する白リンを気化して、貯留空間１３に白リンを凝縮する。このようにして貯留空間１３に生成した白リンを分子線の照射材料として用いて、リン分子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】従来のシリコンドット形成や結晶性シリコン薄膜形成と比べると、比較的低温下で、シリコン物体形成対象基体上に所望のシリコン物体（シリコンドットや結晶性シリコン薄膜）を形成できる方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコン物体形成対象基体Ｓを第１室１に配置し、第１室１に連設された第２室２にシリコンスパッタターゲットＴ１を設け、第２室２に水素ガスからケミカルスパッタリング用プラズマを生成させ、該プラズマにてシリコンスパッタターゲットＴ１をケミカルスパッタリングしてシリコン物体形成寄与粒子を生成させ、第２室２から第１室１へ到来する該シリコン物体形成寄与粒子により基体Ｓ上にシリコン物体を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンドット形成対象基板上に、従来より、低温で、粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成することができるシリコンドット形成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲット（例えばターゲット３０）を内部に設けた真空チャンバ１内に基板Ｓを配置し、チャンバ１内にスパッタリング用ガス（代表的には水素ガス）を導入し、該ガスに高周波電力を印加することでチャンバ１内にプラズマを発生させ、該ターゲットにケミカルスパッタリング制御用バイアス電圧を印加するとともに該プラズマでターゲットをケミカルスパッタリングして基板Ｓ上にシリコンドットＳｉＤを形成する。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ気相エピタキシーのための低エネルギー高密度プラズマ発生装置を含んでなる化合物半導体層の高速エピタキシャル成長のための装置及び方法である。上記方法は、堆積チャンバーにおいて１つ又は複数の金属蒸気を非金属元素と結合させるステップを含む。するとガスが高密度低エネルギープラズマ存在下で非常に活性化される。それと同時に、半導体層を基板上に形成するために金属蒸気は非常に活性化されたガスと反応され、反応生成物はプラズマにさらされた支持部と連通する加熱された基板上に堆積される。上記方法は炭素を一切含まず、１０ｎｍ／ｓまでの成長率で、１０００℃以下の基板温度の大面積シリコン基板に窒化物半導体をエピタキシャル成長するために特に適する。上記方法は、炭素を含むガスも水素を発生するガスも必要とせず、有毒性のキャリア又は反応ガスを用いないため、環境に優しい方法である。
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【課題】特別な材質や特異な形状の電極、ホルダーを使用しなくとも、シリコンロッドのクラック発生を十分に低減させることができる多結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】逆Ｕ字型のシリコン芯線の各端部を一対の電極上にそれぞれ通電可能に取り付けた多結晶シリコンの製造装置において、該シリコン芯線の端部が、これを保持する導電性のホルダーを介して電極と電気的に接続され、かつ、少なくとも一方のホルダーが、電極面上を少なくとも逆Ｕ字型のシリコン芯線の両端を結ぶ直線方向の左右方向何れの方向にも摺動可能であるたことを特徴とする多結晶シリコンの製造装置である。 （もっと読む）

真空室内で材料を飛散させる装置であって、−平面内で可動な、平らでかつカソードとして接続可能な少なくとも１つのターゲットを有するターゲット装置を有し、
定置のターゲット環境と、ターゲット装置に対応配置された駆動装置と、ターゲット
に対応配置された少なくとも１つのアノードを有するアノード装置と、
ターゲットの飛散表面からの材料の遊離を助けるための磁場を発生させるための磁気
装置と
を備えている形式のものにおいて、少なくとも１つの非回転対称的な有利には方形のターゲットプレートとして構成されたターゲットが設けられ、該ターゲットがターゲット装置で−平面内で可動であることが提案されている。さらに本発明は材料を飛散させる方法にも関する。
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