【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えた素子が得られる、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、Ｖ族元素を含むガスと金属材料とをプラズマで活性化して反応させるスパッタ法により、ＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を成膜し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５、及びｐ型半導体層１６を順次積層する方法であり、中間層１２を成膜する際、基板１１とスパッタターゲットとを対向して配置するとともに、前記プラズマに曝される位置に基板１１を配してスパッタを行なう。 （もっと読む）