【課題】酸素欠損を低減したβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法、及びβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、所定の気圧に減圧された真空槽１０内にオゾンを含む酸素ガスを供給すると共に第１のセル１３ａからＧａ蒸気を供給し、基板ホルダ１１に保持されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上にβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を成長させ、結晶積層構造体を製造する。このように、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の成長時に酸素の原料としてオゾンを供給することで、酸素欠損の少ない高品質なβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜が得られると共に、活性酸素のみを供給した場合に比較してβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の成長レートが高まる。 （もっと読む）

【課題】主材料のみからなる薄膜と該主材料に１％以下（ｐｐｍオーダー）の副材料を添加した薄膜、およびそれらの多層や積層膜を制御性よく高品質かつ安全・安価に提供することを目的としたスパッタリング装置、スパッタリング方法および該薄膜を用いて作成された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】形成する薄膜の主材料ターゲット１ｉを有する複数のマグネトロンスパッタリングカソード３ｍの間に、添加材料となる成分を含む副材料からなる副材料ターゲット１ｐ，１ｎを有するコンベンショナルスパッタリングカソード３ｃを配置し、マグネトロンスパッタリングカソード３ｍおよびコンベンショナルスパッタリングカソード３ｃに投入するスパッタリング電力を独立に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタの活性層に好適に用いられる非晶質酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、非晶質酸化物層２を形成する前に、基板１表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射したり、基板１表面にプラズマを照射したり、あるいは基板１表面を過酸化水素を含有する薬液により洗浄する。または、非晶質酸化物層２を形成する工程をオゾンガス、窒素酸化物ガス等の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行う。または、基板１上に、非晶質酸化物層２を形成する後に、非晶質酸化物層２の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】蒸着法における効率的な成膜条件の評価方法と、そのための蒸着装置とを提供する。
【解決手段】真空容器５０内に収められた基板２００の主面の第１の領域を蒸着源６０へ露出しかつ第２の領域を遮蔽するように第１のシャッター１０Ａを配置しながら、第１の成膜条件によって第１の領域の上に第１の薄膜が成膜される。次に、基板２００の主面の第２の領域の少なくとも一部を蒸着源６０へ露出しかつ第１の領域の少なくとも一部を遮蔽するように第２のシャッター１０Ｂを配置しながら、第２の成膜条件によって第２の領域の上に第２の薄膜が成膜される。第１および第２の薄膜の特性が評価される。 （もっと読む）

【課題】高品質なシリコン系薄膜を高速かつ安全・安価に形成できるスパッタリング装置、スパッタリング方法および該シリコン薄膜を用いて作成した太陽電池や液晶表示装置（ＬＣＤ）等の電子デバイスを提供すること。
【解決手段】シリコンを主成分とするメインターゲット１ｍ上に該ターゲットと同様にシリコンを主成分とし、かつ面積が該メインターゲットより小さいサブターゲット１ｓを複数個配置したスパッタリングカソードをマグネトロン放電させ、かつ基板ホルダ７に載置した基板８に薄膜を形成することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は高アスペクトのビアや凸凹形状のレンズのような３次元形状の基板に対して、小型装置にて面内の高い膜厚均一性かつ高スループットが達成できるスパッタリング装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器と、前記真空容器内に配置されたターゲットと、前記真空容器内にガスを導入しながら排気するガス調整手段と、前記ターゲットに対向して配置され、かつ、基板を載置する回転可能な基板保持台によって構成され、スパッタガスまたは、スパッタガスと反応性ガスを導入することにより、前記ターゲットにてターゲット材料または、ターゲット材料の反応生成物を基板上に堆積することができるスパッタリング方法において、前記ターゲットを前記基板に対してずらして配置し、かつ、イオンを前記基板に対して、垂直および斜め方向から入射する複数のイオン発生機構を配置する。 （もっと読む）

【課題】励起時の発光能を有するβ−鉄シリサイド薄膜、該薄膜の製造方法及び薄膜の製造装置の提供。
【解決手段】レーザを鉄シリサイドからなるターゲット１２に照射して、ターゲット１２から発生する飛散粒子をシリコン基板１０に付着させるレーザアブレーション法を用いるに際し、ターゲット１２及び基板１０を略平行となるように配置し、これらの回転軸（Ｃ_１０及びＣ_１２（Ｃ_１２’））が重ならないように回転させ、ターゲット１２へのレーザ照射部位を変化させると共に、薄膜形成時における薄膜形成部位の位置を変化させつつ、基板１０上にβ−鉄シリサイド薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ある１つのターゲットから飛散したスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを防止できるスパッタ装置及びスパッタ法を提供する。
【解決手段】プラズマを生成させるプラズマ室、及び該プラズマ室に連通した成膜室を含む容器を備え、該容器内に設置された少なくとも２つ以上のターゲットをプラズマでスパッタし、スパッタされたターゲットから飛散したスパッタ粒子を成膜室内に設置された基板の表面に堆積させて薄膜を形成するスパッタ装置であって、２つ以上のターゲットのうち１つのターゲットをプラズマでスパッタするときに、スパッタされたターゲットから飛散するスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを抑制する抑制手段を備える、スパッタ装置、及び該装置を用いたスパッタ法とする。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】十分に結晶化された多結晶薄膜を提供する。
【解決手段】インジウム元素及び酸素元素を含有した非晶質膜をスパッタリング装置で成膜し加熱することで、Ｘ線回折測定において２θが２５ｄｅｇ〜３５ｄｅｇの範囲に観測される（２２２）配向のロッキングカーブの半値全幅が０．４ｄｅｇ以下である多結晶薄膜を形成する。又、金属酸化物をスパッタリングによって成膜するに際し、プラズマの照射を２〜５秒間隔として成膜しその後結晶化する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い半導体層を有する半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器を提供する。
【解決手段】芳香族系テトラカルボン酸と芳香族系テトラアミンを縮合して得られる複素環状高分子からなるグラファイト層２と、当該グラファイト層２の表面上に設けられ、当該グラファイト層２の表面を成長面とする半導体層４とを備えた半導体基板１。前記グラファイト層は結晶性に優れているため、グラファイト層の表面を成長面とする半導体層についても、結晶性に優れたものが得られる。これにより、結晶性に優れた半導体層を有する半導体基板１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】成長させた酸化亜鉛系半導体の不純物濃度を低減できる酸化亜鉛系基板を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系基板２は、ＩＶ族元素であるＳｉ、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂの不純物濃度が、１×１０^１７ｃｍ^−３以下の条件を満たす。より好ましくは、酸化亜鉛系基板２は、Ｉ族元素であるＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＦｒの不純物濃度が、１×１０^１６ｃｍ^−３以下の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】被膜形成物および被膜形成物の製造方法を提供する。
【解決手段】金属元素および半金属元素から選択された１以上の元素と、第１元素と、第２元素とを含む化合物被膜を、成膜室に配置された基板の表面に形成することにより、被膜形成物を製造する方法であって、前記第１元素を含む第１ガスおよび前記第２元素を含む第２ガスから選択された１以上のガスを前記成膜室に供給し、前記１以上の元素を含む粒子を、前記ガスの中を通過させて前記基板に照射する段階と、前記成膜室における前記第１ガスと前記第２ガスの分圧比を変化させる段階と、を備えた被膜形成物の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の全表面にわたって均一な厚みを有しかつ品質の安定したＳｉ₃Ｎ₄へテロエピタキシャルバッファ層を容易にかつ安価に作製する作成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ₃Ｎ₄単結晶膜をエピタキシャル成長させること。 （もっと読む）

【課題】電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜の成膜方法の提供。
【解決手段】組成が、式［Ｓｎ_１−ｘＭ４_ｘＯ_２］ａ・［（Ｉｎ_１−ｙＭ３_ｙ）_２Ｏ_３］ｂ・［Ｚｎ_１−ｚＭ２_ｚＯ］ｃ(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、かつｘ、ｙ、ｚは同時に１ではなく、０≦ａ≦１、０＜ｂ≦１、０≦ｃ≦１、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１）、で示される酸化物の多結晶をターゲットとして、基板の温度は意図的に加温しない状態で、酸素ガスを含む雰囲気中の酸素分圧を制御して、基板上に薄膜を堆積させることによって、室温での電子移動度が０．１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）以上、かつ電子キャリヤ濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である半絶縁性である透明アモルファス酸化物薄膜を気相成膜する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ層上に形成されるＩｎＡｓ量子ドットのサイズを適切に制御する。
【解決手段】量子ドットの形成方法は、基板（１１０）上にＧａＡｓを含んでなる第１半導体層（１２０）を形成する第１形成工程と、基板の基板温度を摂氏４８０度及び摂氏５３０度の間の温度にした後に、第１半導体層の上に、Ｉｎ及びＡｓを夫々照射して、ＩｎＡｓを含んでなる第２半導体層（１３０）を形成する第２形成工程とを備える。第２形成工程において、第２半導体層の成長速度を０．０２ＭＬ／ｓ及び０．１ＭＬ／ｓの間の成長速度とし、第２半導体層の成長量を１．２ＭＬ及び２．５ＭＬの間の成長量とすることにより、第２半導体層の第１半導体層と対向しない側の面（１３０ａ）にＩｎＡｓを含んでなる量子ドット（１３１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物のドーピングが抑制されたＺｎＯ系薄膜及び半導体素子を提供する。
【解決手段】ｐ型不純物を含むＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ＜１）からなり、原子間力顕微鏡による観測において、観測される六角形状のピットの密度が５×１０⁶個／ｃｍ²以下、又は底部に複数の微結晶の突起が形成された凹部が観測されない、の少なくともいずれかを満たす主面を備える。 （もっと読む）

【課題】金属元素や金属元素の化合物を基板上に形成する場合に、パーティクルが発生しないような薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
金属元素を供給する供給源に対向して配置されている部材表面を粗面化するようにした。図１に示されるように、ウエハ２５を保持する基板ホルダ１１の金属元素供給源と対向する面に凹凸を形成した。このように凹凸を形成すると、金属元素が堆積した場合、平坦な面と比べて、付着性が向上し、粗面化された面からは簡単には剥がれ落ちない。 （もっと読む）

ここに開示している方法は、非平面的形状の表面に材料を成膜する方法である。この方法は、処理チャンバの搬送経路に沿って非平面的形状サブストレートを搬送しているときに、その非平面的形状サブストレートを回転させることにより達成される。従って、非平面的形状サブストレートは回転させられると同時に処理チャンバの中を搬送され、その回転によって、非平面的形状サブストレートの表面領域の全体に成膜が行われるようにすることも、その表面領域のうちの成膜処理を施そうとする任意の目標領域に成膜が行われるようにすることも可能であり、また必要とされる均一な成膜が行われるようにすることができる。或いはまた、非平面的形状サブストレートの表面領域のうちの所定パターンを成す領域に成膜が行われるようにすることもできる。この方法を実施することによって、様々な非平面的形状の半導体デバイスを製造することができ、製造可能な非平面的形状の半導体デバイスには例えば、非平面的形状の発光ダイオードや、非平面的形状の光電池などがあり、またそれらだけに限定されず更にその他の非平面的形状の半導体デバイスも製造可能である。 （もっと読む）

【課題】比較的小さなサイズの量子ドットを相互に短絡することなく均一に分散させた量子ドットアレイを得る。
【解決手段】量子ドットアレイの製造方法は、基板上（２）に、それぞれが上下をバリア層（８ａ、８）で挟まれた量子ドット（６）を含む複数の柱状部（４）を設けることにより、量子ドットアレイ（１００）を形成するために、基板（２）を回転させながら第１の材料を斜方蒸着することにより、基板（２）上に前記複数の柱状部（４）を形成するための基礎部を形成し、その後、基板の回転を停止して前記バリア層の材料および量子ドットの材料を順次斜方蒸着することにより、基礎部上に上下をバリア層で挟まれた量子ドットを形成する、各工程を含む。 （もっと読む）