【課題】被成膜材料の有無を検出する検出機能を確保することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、ワークＷに成膜材料を成膜する成膜装置であって、ワークＷを収納し成膜処理を行う成膜室２と、成膜室２の内部に設けられ、ワークＷを搬送する搬送装置７と、成膜室２を画成する壁３ａに設けられ、光を透過する防着ガラス２７を有し、成膜室２の外部から内部への投光を可能とするビューポート１３と、成膜室２の外部に設けられ、ビューポート１３の防着ガラス２７を透過させてセンサー光を投光し成膜室２の内部のワークＷの有無を検出する走行センサ１１と、防着ガラス２７への成膜材料の堆積を抑制するためのヒータ３１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】領域選択成長技術を適用して、均一性のある微細構造を生産できる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板が搭載される試料ホルダ４０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるため基板の温度を所定の範囲に加熱する加熱器５０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるための少なくとも１つ以上の第１の開口部と、当該１つ以上の第１の開口部の外側に複数の第２の開口部を有するマスク１０と、マスク１０が搭載されるマスクホルダ２０と、を備える微細構造素子製造装置。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０内でシラン系ガス及び水素ガスからプラズマを形成してターゲット基板１００上にシリコン膜を形成してシリコンスパッタターゲットを得、これをチャンバ１へ外気に触れさせることなく搬入配置して、チャンバ１内でスパッタリング用ガスからプラズマを発生させ、該プラズマでターゲットのシリコン膜をケミカルスパッタリングして基体Ｓ上にシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の半導体酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜と、この膜の製造方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）を使用してｐ型ＺｎＯ材料を成膜させる。この方法では、ＬｉとＰの両方を含有する化合物とＺｎＯとの混合物からなる固体ターゲット上にパルスレーザビームを集光させる。集光されたレーザパルスの高いパワー密度により、ターゲット表面上の材料が融除されてプラズマが形成され、これが基板表面上に堆積する。また、パルスレーザ源を含んだ透明な基板と、パルスレーザの波長に対し透明である基板と、マルチターゲットシステムとを使用するパルスレーザ成膜プロセスについて説明する。パルスレーザの光路は、パルスレーザが基板の裏から入射して基板を通過し、ターゲット上に集光するように配置されている。基板をターゲットに向かって並進運動させ、アブレーションプルームのルートを利用した微細パターンの付着が可能になる。 （もっと読む）