説明

Fターム[5F103BB57]の内容

半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | 析出装置 (1,132) | 制御・調整部 (43) | 温度制御・調整手段 (22)

Fターム[5F103BB57]に分類される特許

1 - 20 / 22


【課題】被成膜材料の有無を検出する検出機能を確保することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置1は、ワークWに成膜材料を成膜する成膜装置であって、ワークWを収納し成膜処理を行う成膜室2と、成膜室2の内部に設けられ、ワークWを搬送する搬送装置7と、成膜室2を画成する壁3aに設けられ、光を透過する防着ガラス27を有し、成膜室2の外部から内部への投光を可能とするビューポート13と、成膜室2の外部に設けられ、ビューポート13の防着ガラス27を透過させてセンサー光を投光し成膜室2の内部のワークWの有無を検出する走行センサ11と、防着ガラス27への成膜材料の堆積を抑制するためのヒータ31と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】製膜処理のタクトタイムが短い場合であっても、アンロード室で基板の温度分布が少ない状態とし、基板のそり変形や破損を抑制することができる基板冷却方法、基板冷却装置および製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】減圧環境下において高温条件で表面に製膜処理が施された基板7を、減圧環境下でアンロード室に受け入れて、基板7の少なくとも一方の面側から、基板7の中央部に冷媒を噴き付けて基板7の冷却を行う第1基板冷却工程と、該第1基板冷却工程を経た基板7をアンロード室から搬出した後に、基板7の一方の面の反対側から、第1基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離内側に冷媒を噴き付けて、あるいは、第1基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離外側に冷媒を噴き付けて基板の冷却を行いながら基板の面内温度分布を補正する第2基板冷却工程と、を備える基板冷却方法。 (もっと読む)


【課題】層状構造の窒化ガリウム膜を汎用的の高められたプロセスで選択的に形成することの可能な窒化ガリウム膜の形成方法、及び該形成方法を用いて窒化ガリウム膜を形成する装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム膜を反応性スパッタにて単結晶の基板S上に形成するときに、真空槽11内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウム膜の成長速度の極大値に対して30%以上90%以下の成長速度となる範囲とする。また、基板温度T(℃)、ガリウムのターゲット14に供給される周波数が13.56MHzである高周波電力をバイアス電力P(W/cm)とするとき、基板温度T及びバイアス電力Pが、600≦T≦1200、0<P≦4.63、T≧0.0083P−4.7、T≦0.0084P−6.6を満たすようにする。 (もっと読む)


【課題】MBE成膜装置において、フェイスアップ状態で被処理体の表面に化合物半導体よりなる薄膜を形成することができる原料供給装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体の製造に用いる原料を供給する原料供給装置62において、鉛直方向に延びて外周面が液体を流下させることができるような表面である液体流下面90になされた原料保持体64と、原料保持体の高さ方向の途中に設けられて原料の液体である原料液体を貯留すると共に濡れ性によって原料液体を液体流下面90に沿って流下させる原料液体貯留部66と、原料保持体内に設けられて、原料液体貯留部を原料が濡れ性を発揮するように加熱すると共に原料保持体の先端部を原料液体の蒸発温度まで加熱する加熱手段68とを備える。 (もっと読む)


【課題】従来に比べて精度よく処理対象物の温度を制御することができる温度制御システムを提供すること。
【解決手段】上面に処理対象物を載置可能とし、内部に温調媒体の流路が形成されたサセプタと、サセプタの上面に載置された処理対象物の温度を測定する温度測定手段と、流路を流れる温調媒体を温調する第1の温調手段と、サセプタと第1の温調手段との間に介在し、温度測定手段による測定結果に基づいて、温調媒体を温調する第2の温調手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】SiC単結晶を成長させる際のドーパント濃度のバラツキを抑制する。
【解決手段】SiC原料粉末3とドーパント元素4の配置場所を異ならせると共に、SiC原料粉末3に対してドーパント元素4が種結晶2から離れた位置に配置されるようにする。そして、ドーパント元素4の配置場所をSiC原料粉末3の配置場所よりも低温にできる構成とする。これにより、SiC原料粉末3が昇華し始めるよりも前にドーパント元素4が気化し切ってしまうことを防止することができ、成長させたSiC単結晶のインゴットが成長初期にのみドーパントが偏析したものとなることを抑制できる。したがって、ドーパント濃度のバラツキを抑制できるSiC単結晶を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】基板ホルダの基板以外の領域の表面に成膜材料が付着するのを防止することができ、基板上に成膜される膜の品質及び生産性を向上させることができるスパッタリング装置を提供する
【解決手段】真空排気可能な真空容器1と、真空容器1の内部に配設され、基板8をその処理面を下方へ臨ませて保持する保持機構30、31を備えた基板ホルダ40と、基板ホルダ40の直下に基板8に対向させて配置され、放電用電力が供給されるカソード電極10と、カソード電極10の基板側に支持されたターゲット16と、を備え、基板ホルダ40は、基板以外の領域の表面温度を基板8上に成膜する成膜材料の分解または蒸発温度以上に加熱する加熱機構60、61を有する。 (もっと読む)


【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。
【解決手段】基板上に第1の多元系酸化物半導体層を形成し、第1の多元系酸化物半導体層上に一元系酸化物半導体層を形成し、500℃以上1000℃以下、好ましくは550℃以上750℃以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、第1の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層、及び単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に第2の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、連続成膜設備において、化学量論的組成勾配を有する形で基板に成膜するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明では、それぞれ一つの蒸発器チューブを有する少なくとも二つの蒸発機器が配備され、両方の蒸発器チューブは、互いに独立して傾斜可能な形に構成されており、そうすることによって、両方の蒸気ビームの移行領域を勾配形態の要件に適合させることができる。 更に、基板に対する蒸発器チューブの間隔及び蒸発器チューブの互いの間隔を調整することができる。 (もっと読む)


本発明は、処理領域(2)を取り囲む成長室(1)、この成長室(1)の側壁(3)の内面を覆う側部部分(10)を少なくとも有する主低温パネル、サンプルホルダー(6)、材料を蒸発させる少なくとも1つのエフュージョンセル(8)、気体状プレカーサーを前記成長室(1)に注入することのできるガスインジェクター(9)、前記成長室(1)に連結され、高い真空能力を提供することのできる排気手段(11)を備えている、半導体材料のウエハを製造する分子線エピタキシー装置に関する。本発明によれば、本分子線エピタキシー装置は、少なくとも成長室壁(3,4,5)の内面を覆う断熱材囲い(14)を備え、この断熱材囲い(14)は、気体状プレカーサーの融点より低いか、これと同一である温度Tminを有する低温部と、高温部を備え、この高温部は、該高温部上の気体状プレカーサーの離脱速度が、気体状プレカーサーの吸着速度の少なくとも1000倍以上であるような温度より高いか、これと同一である温度Tmaxを有している。
(もっと読む)


【課題】半導体基板などを加熱雰囲気中で成膜させる際には、昇温させるだけでも半導体基板には相当の反り(湾曲)が発生する。反りが原因で、基板上に成膜させた膜質の均質性が劣化したり、基板にクラックが発生しやすくなるなどの問題が起こる。
【解決手段】基板の主表面の上側と下側との両方から基板を加熱することにより、主表面の上側と下側との温度勾配(温度差)を小さくし、基板の反りを抑制する。 (もっと読む)


【課題】クラックの発生を抑制するとともに、加工性の容易なSi(1-v-w-x)wAlxv基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Si(1-v-w-x)wAlxv基材およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】Si(1-v-w-x)wAlxv基材10aの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、Si基板11が準備される。そして、Si基板上にSi(1-v-w-x)wAlxv層(0<v<1、0<w<1、0<x<1、0<v+w+x<1)12を550℃未満の温度で成長される。 (もっと読む)


【課題】領域選択成長技術を適用して、均一性のある微細構造を生産できる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板が搭載される試料ホルダ40と、基板30に選択的に結晶を成長させるため基板の温度を所定の範囲に加熱する加熱器50と、基板30に選択的に結晶を成長させるための少なくとも1つ以上の第1の開口部と、当該1つ以上の第1の開口部の外側に複数の第2の開口部を有するマスク10と、マスク10が搭載されるマスクホルダ20と、を備える微細構造素子製造装置。 (もっと読む)


【課題】良好な結晶性を有するIII族窒化物半導体の結晶を、スパッタ法を用いて高い成膜速度で効率良く形成することが可能なIII族窒化物半導体の製造方法、及びIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板及びGa元素を含有するターゲットを配置し、少なくとも、基板上にドナー不純物が添加された単結晶のIII族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって形成するIII族窒化物半導体の製造方法であり、基板の温度を温度T1としてIII族窒化物半導体を成膜する第1スパッタ工程と、基板の温度を温度T1よりも低い温度T2に降温してIII族窒化物半導体の成膜を続ける第2スパッタ工程とが備えられた方法である。 (もっと読む)


【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲット30と基体Sを配置したチャンバ1内に水素ガスを導入し、該ガスに高周波電力を印加してチャンバ1内に、プラズマ発光において波長288nmにおけるシリコン原子の発光強度Si(288nm) と波長484nmにおける水素原子の発光強度Hβとの比〔Si(288nm) /Hβ〕が10.0以下であるプラズマを発生させ、該プラズマでターゲット30をケミカルスパッタリングして500℃以下の低温で基体上に直接、粒径が20nm以下のシリコンドットを形成する。 (もっと読む)


【課題】装置コストが低く、形成される薄膜の結晶性が高くなるようなエピタキシャル薄膜の形成方法、半導体基板の製造方法、半導体素子、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】ターゲットをパルス電圧によって間欠的にスパッタし、基板上に金属原子を間欠的に供給することにより、安定した格子位置の金属窒化物を基板上に成長させることができる。これにより、結晶性の極めて良好な半導体薄膜を形成することができる。加えて、本実施形態の一連の製造工程はスパッタ装置によって行うことが可能であるため、装置コストを低く抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】基板吸着力を正確にモニタすることが可能な基板吸着システム2を提供する。
【解決手段】基板5を吸着するホットプレート12と、ホットプレート12の表面に形成されたガス充填室20と、ガス充填室20に不活性ガスを供給するガス流路25と、圧力計23の測定結果に基づいて、流量制御バルブ24の開度を調節し、ガス充填室20内のガス圧力を所定圧力に制御する制御部30と、流量制御バルブ24の上流側に配置され、ガス流路25のガス流量を測定する流量センサ27と、流量センサ27の上流側に配置され、ガス流路25を開閉する遮断弁28と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は真空蒸着装置及びこれに関連する蒸着方法に関する。基板が設置される蒸着領域を局部的にポンピングするために1つまたはそれ以上のクライオパネルを使用する真空蒸着装置が提供される。本発明は、特に、分子線エピタキシーにおいて高蒸気圧蒸着材料をポンピングしその再蒸発を最小限に抑えるために応用可能である。
(もっと読む)


【課題】成膜時間に関係なく一定の成膜レートを維持することのできるMBE装置等を提供する。
【解決手段】本発明のMBE装置100は、分子線発生部10a・10bと、真空計14a・14bと、光源ユニット6と受光ユニット7とを有する原子吸光式成膜モニタ8と、分子線発生部10a・10bの温度を制御する温度制御演算器13とを備えている。温度制御演算器13は、原子吸光式成膜モニタ8の測定結果が、真空計14a・14bの測定結果から算出した分子線源の残量より算出した原子吸光式成膜モニタ8の制御目標値となるように、分子線発生部10a・10bの温度を制御する。 (もっと読む)


【課題】マイクロパイプの発生がなく、らせん転位や刃上転位などの転位密度が極めて少なく、かつ、異方位結晶の混入のない高品質な炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】不活性雰囲気において、炭化珪素原料を2200〜2300℃の範囲内の第1の温度に、炭化珪素種結晶を第1の温度より低くかつ2200℃以上の第2の温度になるように加熱し、圧力を13.3〜26.6kPaの範囲内で炭化珪素単結晶の成長速度が80μm/h以下になるように調整して炭化珪素単結晶を成長させる第一の成長工程と、該成長工程に続いて成長速度を第一の成長工程より速くするために、第一の成長工程における圧力から0.93kPa/h以下の速度で減圧させる減圧工程と、減圧後の圧力で、炭化珪素原料を前記第1の温度に、炭化珪素種結晶を第2の温度に加熱維持し、第1の成長工程における成長速度より速い成長速度で成長させる第2の成長工程とを備える。 (もっと読む)


1 - 20 / 22