【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体素子の活性層の結晶品質をｎ型ドーパントの拡散によって落とさない。
【解決手段】 ＺｎＯ系化合物半導体素子は、ＩＩＩ族元素とともに窒素（Ｎ）がドープされたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上方に形成されたｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に形成された活性層とを含む。ＩＩＩ属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、ｎ型半導体層以外の他の層に対するＩＩＩ属元素の拡散が抑制される。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜を基板上に堆積させることを容易にする原料ガス分解機構を提供すること。
【解決手段】減圧下のチャンバ１７内で基板２１上に薄膜を気相堆積させる薄膜製造装置１に設けられ、薄膜の原料となる１種類または複数種類の原料ガスの分解種を分解して該原料ガスの分解種を生成する原料ガス分解機構に、反応室に連通される開口部を有し、該開口部を介して反応室に原料ガスを導入する１つまたは複数のガス導入管１３と、上記の開口部での反応室側の開口面よりも基板側に変位した状態で、かつ上記の開口部に近接した状態で接配置される原料ガス分解用の触媒体１０と、触媒体に導線１１ａ，１１ｂを介して通電することで該触媒体を昇温させる加熱電源１２とを設ける。 （もっと読む）

【課題】危険性を低減し、かつ低温で効率よく窒素を供給できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２の結晶成長方法は、以下の工程を備えている。まず、窒素の原料としてモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスが準備される。そして、ガスを用いて気相成長法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２が成長される。 （もっと読む）

【課題】III族窒素化合物膜の平坦性及び成膜速度を有効に高めることができるとともに結晶性が良好である立方晶または六方晶窒素化合物半導体膜を安定して容易にかつ安価に製造することができる活性度制御式窒素化合物ＭＢＥ成膜方法及び装置を提供すること。
【解決手段】第1分子線セルから第１シャッターを介して基板への第1（III族）分子線の照射量を制御するとともに、第1シャッターの閉期間Ｔ₂、ＬＢ励起状態からＨＢ励起状態に切替えられた窒素励起セルから上記基板に向けて照射される窒素活性種のうち、生成膜の窒素化合物の化学結合に直接的に関与する励起窒素原子および基底窒素原子の照射量を制御しながら上記基板に付与されたIII族分子と共有結合させる。 （もっと読む）

【課題】光度が高く、また演色性も高いIII族窒化物半導体白色系発光素子を、蛍光体の微妙な組成調整なども不要として簡単な構造で簡易に形成することができるようにする。
【解決手段】本発明は、基板１と、その基板の表面上に設けたIII族窒化物半導体材料からなる障壁層５ａ及び井戸層５ｂを備えた多重量子井戸構造の発光層５とを具備したIII族窒化物半導体発光素子において、井戸層５ｂの各々は、層厚が同一であり、バンド端発光とは別に、波長を相違する複数の光（多波長光）を同時に出射する、マグネシウムを添加したｎ形の窒化ガリウム・インジウム（組成式：Ｇａ_XＩｎ_1-XＮ）からなる、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

電源電極を受け入れる部分の上に保護本体を設ける間に、ゲート構造を形成する工程を有する、III族窒化物電力半導体素子を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】ＮをドープしたＺｎＯ膜を高速かつ安定して成膜する方法を提供する。
【解決手段】カバー２６内部におけるターゲット２１ａ，２１ｂの上方に基板１を配置し、ポンプによってカバー２６内を真空にした後、アルゴン等の不活性ガス中に酸素及び窒素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。Ｚｎよりなる第１、第２のターゲット２１ａ，２１ｂに、交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ時におけるＺｎの放電の発光波長と発光強度が、ＰＥＭ３１ａ，３１ｂによって検知される。各ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット２１ａ，２１ｂに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー２６内に供給する酸素量及び窒素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 （もっと読む）