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Fターム[5F103GG01]の内容

半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | 析出状態 (499) | 単結晶・エピタキシャル成長 (278)

Fターム[5F103GG01]に分類される特許

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【課題】複数のAlNタイル基板を用いて主表面におけるピットの発生が少ない大型のIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物結晶の成長方法は、平面充填ができる三角形および凸四角形のいずれかの形状である主表面10mを有するAlNタイル基板10を複数準備する工程と、AlNタイル基板10の頂点部が互いに向かい合う任意の点において互いに向かい合う頂点部の数が3以下であるように、複数のAlNタイル基板10を平面充填させて配置する工程と、配置された複数のAlNタイル基板10の主表面10m上にIII族窒化物結晶20を成長させる工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】p型ZnO系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体層の製造方法は、(a)下地層上方に、Zn、必要に応じてMg、O、N、及びTeを供給して、NとTeが共ドープされたMgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜を形成する工程と(b)MgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜上に、Zn及びMgの少なくとも一方、Te、及びNを供給して、NがドープされたMgZn1−yTe(0≦y≦1)単結晶膜を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】高品質のGa系半導体素子を提供する。
【解決手段】一実施の形態として、α−Al基板2上に形成されたα−(AlGa1−x単結晶(0≦x<1)からなるp型α−(AlGa1−x単結晶膜3と、p型α−(AlGa1−x単結晶膜3上に形成されたソース電極12及びドレイン電極13と、p型α−(AlGa1−x単結晶膜3中に形成され、ソース電極12及びドレイン電極13にそれぞれ接続されたコンタクト領域14、15と、α−Al基板2のp型α−(AlGa1−x単結晶膜3と反対側の面上の、コンタクト領域14とコンタクト領域15との間に形成されたゲート電極11と、を含むGa系FET10を提供する。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Snを添加しながらβ−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又は前記β−Ga基板上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Sn添加β−Ga結晶膜を形成する工程と、第1の不活性雰囲気中で前記Sn添加β−Ga結晶膜に第1のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ga系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又はβ−Ga基板2上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ga結晶に一定周期で間欠的にSnを添加する工程を含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜3を製造する。 (もっと読む)


【課題】酸素欠損を低減したβ−Ga単結晶膜の製造方法、及びβ−Ga単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、所定の気圧に減圧された真空槽10内にオゾンを含む酸素ガスを供給すると共に第1のセル13aからGa蒸気を供給し、基板ホルダ11に保持されたβ−Ga基板2上にβ−Ga単結晶膜を成長させ、結晶積層構造体を製造する。このように、β−Ga2O3単結晶膜の成長時に酸素の原料としてオゾンを供給することで、酸素欠損の少ない高品質なβ−Ga2O3単結晶膜が得られると共に、活性酸素のみを供給した場合に比較してβ−Ga2O3単結晶膜の成長レートが高まる。 (もっと読む)


【課題】テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮できるテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜において、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが5〜10μmであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの10%以内である。
また、テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法において、基板上にZnTe下地層を10〜200オングストロームの厚さで形成する工程と、前記ZnTe下地層上にZnTe層を5〜10μmの厚さで気相成長させる工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】基底面転位の少ない結晶性に優れた炭化珪素単結晶基板を取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法、得られた炭化珪素単結晶インゴット、及びそれから取り出した炭化珪素単結晶基板を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法による結晶成長中に基底面転位を貫通刃状転位に構造変換させることで基底面転位を低減させることを特徴とする、基底面転位の少ない高品質炭化珪素単結晶の製造方法であり、また、これによって得られた炭化珪素単結晶インゴットであり、更にはこれから取り出した炭化珪素単結晶基板である。 (もっと読む)


【課題】分子線エピタキシー(MBE)による成膜に先立って、原料蒸発源セルの周辺に存する不純物を、原料を浪費することなく除去して所期の高真空度を達成し、容易且つ確実に信頼性の高い成膜を実現する成膜装置、成膜方法、及び化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】MBE装置は、原料10が充填される坩堝11と、坩堝11を覆うように配置された第1のヒータ13と、第1のヒータ13を覆うように配置された熱反射板14と、熱反射板を覆うように配置された第2のヒータ15とを備えた原料蒸発源セル2と、原料蒸発源セル2の少なくとも一部を囲み、その壁面を液体窒素温度に冷却することができるシュラウド4とを含み構成される。 (もっと読む)


【課題】高密度かつ複雑な三次元微細構造の加工を可能にする。
【解決手段】基板上の三次元微細構造は、以下の方法で作製される。第1工程では、真空中でIII−V族化合物半導体基板1の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板1の表面の自然酸化膜2をIII族酸化物3に置換させ、改質マスク部3を周期的に形成する。第2工程では、真空中で前記基板1を昇温させることにより、前記改質マスク部3以外の部分の前記自然酸化膜2を脱離させて基板表面を露出させる。第3工程では、真空にV族原料を供給した環境下で前記基板1を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部3上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み4を形成する。第4工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み4の部分にIII−V族化合物半導体結晶5を選択成長させる。 (もっと読む)


【課題】表面平坦性に優れ、かつ高濃度の窒素ドーピングを実現できるZnO系薄膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】主面の法線が結晶軸から傾斜した酸化亜鉛系基板1上に、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜2を形成するにあたって、少なくとも亜鉛と酸素と窒素を原料ガスとして使用し、これらを750〜900℃の温度条件で基板1に接触させて、基板1表面に、窒素をドープした酸化亜鉛系材料からなる結晶を成長させて窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜2を形成する。原料ガスとしての酸素供給量に対する亜鉛供給量は、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜の亜鉛と酸素のモル比(亜鉛/酸素)が1より大きくなるようにされる。原料ガスとしての窒素は、窒素ガスを高周波で励起することによって発生させた窒素ラジカルを含む。 (もっと読む)


【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口11aを有する坩堝11と、坩堝11の外周及び開口11aの縁を覆う遮蔽部材18と、遮蔽部材18を冷却する冷却部材21と、坩堝11に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材18には、鉛直上方から坩堝11を覆う被覆部19が設けられている。 (もっと読む)


【課題】テラヘルツ電磁波の検出または発生が効率良く行われ、S/N比を向上させることができる光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置を提供する。
【解決手段】基板3と、基板3上に積層された半導体積層群5と、を備え、半導体積層群5は、第1化合物半導体層51と、第1化合物半導体層51上に、第1化合物半導体層51と屈折率が異なると共に励起光の表面反射を低減できる層厚で成長させた第2化合物半導体層52と、を有している。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】pn接合型のIII族窒化物半導体発光素子であって、第1の導電型を有する第1の半導体層、発光層及び第1の導電型とは逆の導電性を示す第2の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第1のインジウム組成を有する第1の窒化ガリウム・インジウム層と、第1の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第1のインジウム組成より小さい組成の第2のインジウム組成を有する第2の窒化ガリウム・インジウム層と、第1の窒化ガリウム・インジウム層と第2の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第1の窒化ガリウム・インジウム層及び第2の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 (もっと読む)


【課題】異方位結晶や異種多形結晶が少なく、かつ、大口径の{0001}面基板を切り出すことが可能なSiC単結晶及びその製造方法、並びに、このようなSiC単結晶から切り出されるSiCウェハを提供すること。
【解決手段】a面成長を繰り返して{0001}面口径の大きいSiC単結晶を製造する場合において、成長面の総面積(S2)に対するSi面側ファセット領域の面積(S1)の割合Sfcaet(=S1×100/S2)が20%以下に維持されるように、SiC単結晶をa面成長させる。 (もっと読む)


【課題】真性に近い単結晶GaN膜を有し、かつこの膜をn形又はp形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス:基板であって、この基板は、(100)シリコン、(111)シリコン、(0001)サファイア、(11−20)サファイア、(1−102)サファイア、(111)ヒ化ガリウム、(100)ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる;約200Å〜約500Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む;および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 (もっと読む)


【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを
目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かっ
て成長させた結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層上の第2
の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層
と、第2の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層上の、第2の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、
第2の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置であ
る。 (もっと読む)


【課題】高温で動作可能な高電子移動度トランジスタを提供する。
【解決手段】バッファ層16と、バッファ層16上のIII−V族層18と、III−V族層18上のソース接点20およびドレイン接点22と、III−V族層18上で、ソース接点20およびドレイン接点22間の再成長ショットキー層10と、成長ショットキー層10上のゲート接点24、を備える装置、および装置を用いたシステムを含む。さらに、装置とシステムの製造方法も含む。 (もっと読む)


【課題】電流量の減少や断線などの問題を抑制した状態で、電界効果トランジスタをより微細化できるようにする。
【解決手段】基板101の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域102と、ゲート電極104およびゲート電極104を挟んでチャンネル領域102に接続されたソース電極105およびドレイン電極106とを備える。例えば、チャンネル領域102は、グラフェンが1層から4層程度積層されたものである。図1に示す例では、ゲート電極104は、チャンネル領域102にゲート絶縁層103を介して形成されている。 (もっと読む)


【課題】ドーパントの濃度を制御して半導体層を形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空槽51内の第二主ターゲット42を、希ガスと反応性ガスとを含有するスパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物28表面に到達させて半導体層26を形成する際に、真空槽51内に配置されたドーパントを蒸着材料64として加熱し、蒸着材料64の蒸気を発生させ、成膜対象物28表面に到達させ、ドーパントを含有する半導体層26を形成する。蒸着材料64の蒸気は、成膜対象物28と蒸着材料64の間に配置した放出量制限部材63の貫通孔66を通過させることで減少させるので、半導体層26に微少量含有させることができるようになる。 (もっと読む)


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