Fターム[5F103HH00]の内容
半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | 基板 (664)
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β−Ga2O3系単結晶膜の製造方法
【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga2O3単結晶膜を形成することができるβ−Ga2O3単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Snを添加しながらβ−Ga2O3結晶をβ−Ga2O3基板2上、又は前記β−Ga2O3基板上に形成されたβ−Ga2O3系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Sn添加β−Ga2O3結晶膜を形成する工程と、第1の不活性雰囲気中で前記Sn添加β−Ga2O3結晶膜に第1のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Sn添加β−Ga2O3単結晶膜を製造する。
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