【課題】酸化物の半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタであって、各種センサに利用して新しいセンサを作製できる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタ１は、非晶質酸化物の半導体薄膜２とドレイン電極３とソース電極４とゲート電極５を備え、ゲート電極５に印加されるゲート電圧に応じて半導体薄膜２にチャネル層が形成されて、ドレイン電極３とソース電極４の間にドレイン・ソース間電流が流れ得るものであって、非晶質酸化物は、弱く結合してバンドギャップ内に欠陥準位を生成する過剰酸素が含まれている。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲット表面上の反応ガスの分圧を互いに等しくし、各ターゲットを互いに同じ速度でスパッタできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】
互いに離間して一列に並んで配置された複数のターゲット２１₁〜２１₄と、隣り合う二個のターゲット２１₁〜２１₄を一組として、一組のターゲット２１₁〜２１₄間に電圧が印加されるターゲット装置２０₁₂、２０₃₄とを有し、各ターゲット装置２０₁₂、２０₃₄は、一組のターゲット２１₁〜２１₄の側面と対向して配置された隔壁２３₁〜２３₄と、隔壁２３₁〜２３₄とターゲット２１₁〜２１₄との間に設けられたガス導入口２８₁〜２８₄と、真空槽１１の底面に設けられた主排気口２５₁₂、２５₃₄とをそれぞれ有し、ガス導入口２８₁〜２８₄から導入された反応ガスは、一組のターゲット２１₁〜２１₄間を通って主排気口２５₁₂、２５₃₄から真空排気される。 （もっと読む）

【課題】 光電変換効率の高い半導体層およびそれを用いた光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 半導体層の製造方法は、金属元素を含む皮膜を、カルコゲン蒸気を含む第１の雰囲気において加熱した後、カルコゲン化水素を含む第２の雰囲気において加熱することによって、金属カルコゲナイドを含む半導体層にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被成膜材料の有無を検出する検出機能を確保することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、ワークＷに成膜材料を成膜する成膜装置であって、ワークＷを収納し成膜処理を行う成膜室２と、成膜室２の内部に設けられ、ワークＷを搬送する搬送装置７と、成膜室２を画成する壁３ａに設けられ、光を透過する防着ガラス２７を有し、成膜室２の外部から内部への投光を可能とするビューポート１３と、成膜室２の外部に設けられ、ビューポート１３の防着ガラス２７を透過させてセンサー光を投光し成膜室２の内部のワークＷの有無を検出する走行センサ１１と、防着ガラス２７への成膜材料の堆積を抑制するためのヒータ３１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な半導体装置（薄膜トランジスタ）を製造する。
【解決手段】本発明は、（ａ）基板ＳＵＢの上方に、第１金属酸化物を含有する半導体からなる導電層を形成する工程と、（ｂ）導電層上に第２金属酸化物を含有する半導体からなる犠牲層ＳＬを形成する工程と、（ｃ）導電層と犠牲層ＳＬとの積層膜を加工する工程と、（ｄ）上記（ｃ）工程の後、犠牲層ＳＬ上に、金属膜を形成する工程と、（ｅ）上記（ｄ）工程の後、上記金属膜の第１領域をドライエッチングにより除去する工程と、（ｆ）上記（ｅ）工程の後、上記第１領域の上記犠牲層ＳＬをウェットエッチングにより除去する工程と、を有し、上記（ｃ）工程と、上記（ｆ）工程との間に、（ｇ）導電層に熱処理を施し、導電層を結晶化し、導電層ＣＬｃとする工程を有する。かかる工程によれば、ドライエッチングにより生じた犠牲層ＳＬのダメージ領域ＤＲを除去できる。 （もっと読む）

【課題】わずかな温度差によって作動させたときでも1Vを超える電圧で動作し、マイクロワット・レベルからワット・レベルの電力が得られる、高性能薄膜熱電対およびそれを製造する方法の提供。
【解決手段】薄膜TEモジュールおよび電源のある態様は、約20cm-1よりも大きく、おそらく通常約100cm-1を超える比較的な大きなL/A比値を有する。この様な大きなL/A比値は、20℃や10℃のような比較的小さな温度差によって作動させたときでも1Vよりもずっと高い電圧を与えるμW〜W電源の製造を可能にする。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する酸化物半導体膜を作製する。
【解決手段】酸化物半導体の膜を形成するに際し、基板を第１の温度以上第２の温度未満に加熱しつつ、基板の、典型的な長さが１ｎｍ乃至１μｍの部分だけ、第２の温度以上の温度に加熱する。ここで、第１の温度とは、何らかの刺激があれば結晶化する温度であり、第２の温度とは、刺激がなくとも自発的に結晶化する温度である。また、典型的な長さとは、その部分の面積を円周率で除したものの平方根である。 （もっと読む）

【課題】プラズマの回り込みを効果的に抑制して被処理基板の意図しない部分に膜が成膜されることを防止することのできるインライン型プラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】インライン型プラズマ成膜装置１Ａは、搬送路４上において被処理基板１００を搬送する複数の搬送ローラ３と、被処理基板１００の上面に面するようにプラズマを生成することで被処理基板１００の上面に膜を成膜するプラズマ生成部と、被処理基板１００の下面に膜が成膜されることを防止する成膜防止部材５とを備えている。成膜防止部材５は、プラズマが生成される領域に搬送路４を挟んで対面する領域でかつ搬送ローラ３が位置する部分を除く領域を上方から見て実質的に満たすように配置され、被処理基板１００の下面に対面するように設けられた平面状の成膜防止面５ａを含み、当該成膜防止面５ａの幅は、被処理基板１００の幅よりも大きく構成されている。 （もっと読む）

【課題】 基板表面にある凹凸のために基板とロールの間に入れたガスは基板端部から漏れ出し、高い伝熱能力を得ることは困難である。
【解決手段】 真空中で長尺基板１８を搬送する機構を有する真空装置であって、チャンバー１と、チャンバー１内を排気する真空ポンプ２と、チャンバー１内で長尺基板１８を搬送する複数の搬送ロールと、チャンバー１内で搬送ロールの少なくとも一つが開口部に設置され開口部に配置された搬送ロール２４に近接する仕切り部材２８を有するケース２３と、ケース２３内にガスを導入するガス導入手段と、ケース２３内で長尺基板１８を搬送しながら、長尺基板１８を冷却する冷却ロール２５と、を有し、ケース２３内での長尺基板搬送長に対する、長尺基板１８と冷却ロール２５との接触長との比が、ケース２３外での長尺基板搬送長に対する、長尺基板１８と搬送ロールとの接触長との比より大きいことを特徴とする構成とする。 （もっと読む）

【課題】紫外線の影響により特性が悪化することを防止することが可能である。
【解決手段】アクティブマトリクス表示装置は、波長２００ｎｍから３２０ｎｍにおける光線透過率が１０％以下であり、波長４５０ｎｍ、波長５４０ｎｍおよび波長６２０ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であるプラスチック基板２上に、酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）の混合物で、酸素（Ｏ）に対する窒素（Ｎ）の比（Ｎ数密度／Ｏ数密度）が０乃至２である非金属元素を含む半導体層７をチャネルに用いて形成した薄膜トランジスタ１を有する。また、波長２００ｎｍから３７０ｎｍにおける光線透過率が１０％以下である遮光層８を有し、波長４５０ｎｍ、波長５４０ｎｍおよび波長６２０ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であるプラスチック基板２上に、酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）の混合物で酸素（Ｏ）に対する窒素（Ｎ）の比（Ｎ数密度／Ｏ数密度）が０乃至２である非金属元素を含む半導体層をチャネルに用いて形成した薄膜トランジスタ１を有する。 （もっと読む）

【課題】外部リークをより少なくして真空状態を維持することができ、ロール交換時に巻き出し室や巻取り室を素早く大気圧状態に戻し、ロール交換後も素早く真空状態に戻すことができるフィルム製造装置を提供する。
【解決手段】フィルム製造装置１は、巻き出し手段６、巻き取り手段７、３つの反応室４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、フィルム搬送路５より構成され、フィルムが通過する少なくとも一の開口部を有する反応室内に配置され、かつ、開口部には、該フィルムを挟みながら封止することにより真空室を密封可能とする弁体を有するバルブ機構１１〜１６が具備されている。 （もっと読む）

【課題】緻密で良好な膜質の光応答性化合物半導体薄膜を安価にかつ簡便に製造する。
【解決手段】ガス中に化合物半導体の原料粒子を分散させたエアロゾルを基板に向けて噴射、衝突させて、基板上に化合物半導体薄膜を形成するエアロゾルデポジション法（ＡＤ法）により化合物半導体薄膜を製造する方法。ＡＤ法によれば、高真空、あるいはセレン化ないし硫化工程を経ることなく、化合物半導体の結晶構造やバンド構造が保持されたまま、室温において光応答性を有する、太陽電池用途に適した膜質の良好な緻密質膜を容易に形成することができる。 （もっと読む）

第一のデバイスが提供される。第一のデバイスは、プリントヘッドと、プリントヘッドに気密的に密閉された第一のガス源とを含む。プリントヘッドは、複数のアパーチャを備えた第一の層を含み、各アパーチャは０．５から５００マイクロメートルの最小寸法を有する。第二の層が第一の層に結合される。第二の層は、第一のガス源及び少なくとも一つのアパーチャと流体連結した第一のビアを含む。第二の層は絶縁体製である。
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【課題】電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜の成膜方法の提供。
【解決手段】組成が、式［Ｓｎ_１−ｘＭ４_ｘＯ_２］ａ・［（Ｉｎ_１−ｙＭ３_ｙ）_２Ｏ_３］ｂ・［Ｚｎ_１−ｚＭ２_ｚＯ］ｃ(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、かつｘ、ｙ、ｚは同時に１ではなく、０≦ａ≦１、０＜ｂ≦１、０≦ｃ≦１、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１）、で示される酸化物の多結晶をターゲットとして、基板の温度は意図的に加温しない状態で、酸素ガスを含む雰囲気中の酸素分圧を制御して、基板上に薄膜を堆積させることによって、室温での電子移動度が０．１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）以上、かつ電子キャリヤ濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である半絶縁性である透明アモルファス酸化物薄膜を気相成膜する。 （もっと読む）

【課題】 基体の急速加熱、ＣｄＳの成膜、ＣｄＴｅの成膜、ＣｄＣｌ_２処理お よびオーム接点形成を含むすべての工程を中程度の圧力で単独の真空境界内で実施する、ＣｄＴｅ光起電力モジュールを大規模インラインで製造するための装置およびプロセスを提供する。
【解決手段】 金属塩をＣｄＴｅ層上へ昇華することによってｐ＋オーム接点領域を形成する。低コスト噴霧プロセスによって背面電極を形成し、マスクを介して行なう研磨ブラスチングか機械的ブラッシングによってモジュールをスクライビングする。真空処理装置によって、基体および膜の加熱、蒸気漏出を極力抑制した、基体および膜の蒸気への暴露、基体上への薄膜の成膜、および薄膜の基体からの剥離が容易になる。基体搬送装置により、薄膜成膜時に基体を真空に出入りさせるのが容易になり、基体搬送装置自体に被覆が生じるのを防止する。 （もっと読む）

【課題】良好な熱電特性を発揮することができるＢｉＴｅ系薄膜の作製方法の提供を課題とする。また良好な熱電特性を持つＢｉＴｅ系薄膜を用いた赤外線センサの提供を課題とする。
【解決手段】ＢｉＴｅ系薄膜３の作製方法は、少なくともＢｉとＴｅを有効成分とするＢｉＴｅ系薄膜を２００℃以下で成膜し、その後、Ａｒ−Ｈ_２雰囲気中で加熱することで薄膜の結晶化を行う。Ａｒ−Ｈ_２雰囲気中での加熱処理温度は３００〜５００℃とする。またレジストを用いたリフトオフ法により基板１上にＢｉＴｅ系薄膜のパターンを２００℃以下で成膜し、得られたＢｉＴｅ系薄膜のパターンを基板１と共にＡｒ−Ｈ_２雰囲気中で加熱処理して結晶化を行う。また以上のような作製方法により得たＢｉＴｅ系薄膜３を用いた赤外線センサを提供する。 （もっと読む）

【課題】周期表ＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＶＩＢ族の元素を用いるスパッタリング法により、所望の組成のスパッタリング膜が効率よく形成可能なスパッタリング方法等を提供する。
【解決手段】不活性ガスＡｒの雰囲気下において、高周波電源ＩＩに接続したターゲット電極２１ａ，２２ａ，２３ａ上に載置した周期表ＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＶＩＢ族から選ばれる複数の元素から構成される複合ターゲット２１，２２，２３と被成膜体としての基板１１とを対向配置し、ターゲット電極２１ａ，２２ａ，２３ａに高電圧を印加し複合ターゲット２１，２２，２３の表面をスパッタリングすることにより基板１１上に薄膜を成膜することを特徴とするスパッタリング方法。基板１１を複数の複合ターゲット２１，２２，２３の前を移動させることにより基板１１上に薄膜の積層体が成膜される。 （もっと読む）

薄膜電気デバイスを基板上に製造するシステムを使用する方法が一実施例により与えられる。本システムはチャンバ及び気体ゲートを含む。チャンバはその中に集積装置を含む。集積装置はチャンバ内にて基板の一部分を集めるべく構成される。気体ゲートは、チャンバの圧力領域と第２圧力領域との流体連通を与える。
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基板ウェブ上に半導体材料吸収層の薄膜層を形成するための改善された方法および装置を提供する。本発明の教示に従って、半導体層をマルチゾーンプロセスで形成することができ、これにより、さまざまな層が移動する基板ウェブ上に順次蒸着される。
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【課題】 高移動度と対環境安定性を兼ね揃えた半導体および半導体素子を提供する。また可視光領域に受光感度を有する半導体および半導体素子を提供する。
【解決手段】 金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌから選択される少なくとも１つの元素と、Ｚｎと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のＮ／（Ｎ＋Ｏ）で表されるＮの原子組成比率が、７原子％以上８０原子％以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。 （もっと読む）