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Fターム[5F103HH04]の内容

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Fターム[5F103HH04]に分類される特許

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【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を
形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って
第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】デバイス品質の良好なInN/GaNヘテロ構造の半導体光素子を提供する。
【解決手段】基板1、n型コンタクト層2、n型クラッド層3、n型ガイド層4、活性層5、p型ガイド層6、p型クラッド層7、p型コンタクト層8を順に積層して構成されている。またn型コンタクト層3上には第一の電極9が、p型コンタクト層9上には第二の電極10が形成されており、第一と第二の電極の間に電圧を印加することで活性層5に正孔及び電子を注入し、発光させることが可能である。 (もっと読む)


【課題】p型ZnO系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体層の製造方法は、(a)下地層上方に、Zn、必要に応じてMg、O、N、及びTeを供給して、NとTeが共ドープされたMgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜を形成する工程と(b)MgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜上に、Zn及びMgの少なくとも一方、Te、及びNを供給して、NがドープされたMgZn1−yTe(0≦y≦1)単結晶膜を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】輝度むらを低減することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、前記酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせた酸化物半導体よりなるターゲットと前記基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、前記継ぎ目に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする表示装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが5nm以下の第1の領域において、シリコンの濃度が1.0原子%以下であり、酸化物半導体膜の第1の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第1の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第1の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いた半導体素子であって、Vthの変化が抑制された、特性の安定化した半導体素子を提供する。
【解決手段】In(インジウム)およびO(酸素)を含む酸化物半導体層と、Si(珪素)、F(フッ素)およびN(窒素)を含む絶縁層と、を有する半導体素子である。 (もっと読む)


【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性(ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと)にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Zn、Sn、およびInと;Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W、およびNbよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と、を含むものである。 (もっと読む)


【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造
可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとす
る。
【解決手段】第1の加熱処理で第1の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第2の酸化
物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第2の加熱処理によ
って表面と略垂直な方向にc軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素
欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第3の加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素
を含む窒化物絶縁層を形成し、第4の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導
体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 (もっと読む)


【課題】成膜レートを落とすことなく成膜可能で、薄膜トランジスタを構成した場合に所望のTFT特性を示すIGZOからなる半導体層を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、成膜対象物上にIGZO膜を形成する方法であって、酸素ガスの分圧が0.1Pa以下の真空中でスパッタリングによって当該成膜対象物上にIGZO膜を形成する成膜工程(P2、P3)と、酸素ガス及び窒素ガスを含む雰囲気中で当該IGZO膜に対してアニール処理を行うアニール処理工程(P5、P6)とを有する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、保護膜と、を有し、該保護膜は金属酸化膜を有し、該金属酸化膜は、膜密度が3.2g/cm以上である。 (もっと読む)


【課題】高品質のGa系半導体素子を提供する。
【解決手段】一実施の形態として、α−Al基板2上に形成されたα−(AlGa1−x単結晶(0≦x<1)からなるp型α−(AlGa1−x単結晶膜3と、p型α−(AlGa1−x単結晶膜3上に形成されたソース電極12及びドレイン電極13と、p型α−(AlGa1−x単結晶膜3中に形成され、ソース電極12及びドレイン電極13にそれぞれ接続されたコンタクト領域14、15と、α−Al基板2のp型α−(AlGa1−x単結晶膜3と反対側の面上の、コンタクト領域14とコンタクト領域15との間に形成されたゲート電極11と、を含むGa系FET10を提供する。 (もっと読む)


【課題】テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮できるテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜において、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが5〜10μmであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの10%以内である。
また、テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法において、基板上にZnTe下地層を10〜200オングストロームの厚さで形成する工程と、前記ZnTe下地層上にZnTe層を5〜10μmの厚さで気相成長させる工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造およびその作製方法を提供する。トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する構成およびその作製方法を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてインジウム、ガリウム、亜鉛、及び酸素の4元素を少なくとも含み、該4元素の組成比を原子百分率で表したとき、インジウムの割合が、ガリウムの割合及び亜鉛の割合の2倍以上である酸化物半導体層を用いる。 (もっと読む)


【課題】400℃以下で作製可能であり、30cm/Vs以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極16と、ゲート電極と接するゲート絶縁膜15と、In(x)Zn(1−x)O(y)(0.4≦x≦0.5,y>0)で表される第1の領域A1及びIn(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(b/(a+b)>0.250,c>0,d>0)で表され、ゲート電極に対して第1の領域よりも遠くに位置する第2の領域A2を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層12と、互いに離間して配置されており、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極13及びドレイン電極14と、を有する薄膜トランジスタ1。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】インジウム、チタン、及び亜鉛を含む酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタ、及び該トランジスタを含む半導体装置を提供する。酸化物半導体層に接するバッファ層としては、チタン、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む金属酸化層を適用することができる。 (もっと読む)


【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてエネルギーギャップの異なる少なくとも2層の酸化物半導体層を含み、かつ積層された酸化物半導体層の間に混合領域を有する酸化物半導体積層を用いる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に含まれる水素、窒素および炭素などの不純物は酸化物半導体膜の半導体特性を低下させる要因となる。例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素および窒素は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのしきい値電圧をマイナス方向へシフトさせてしまう要因となる。また、酸化物半導体膜に含まれる窒素、炭素および希ガスは、酸化物半導体膜中に結晶領域が生成されることを阻害する。そこで、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することで、高い信頼性を有するトランジスタを作製する。 (もっと読む)


【課題】任意の基板上に形成でき良好な結晶性を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記第1層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。前記機能層は、前記第1層の上に形成され、窒化物半導体を含む。 (もっと読む)


【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生
産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向か
って結晶成長する第1の酸化物結晶部材を形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化
物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第1の酸化物結晶部
材と第2の酸化物結晶部材がc軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の
同軸(アキシャル)成長をさせていることである。 (もっと読む)


【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを
目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かっ
て成長させた結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層上の第2
の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層
と、第2の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層上の、第2の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、
第2の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置であ
る。 (もっと読む)


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