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Fターム[5F103LL01]の内容

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【課題】基体上に、低温で、直接、粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成して、該シリコンドットから容易に終端処理されたシリコンドットを得ることができるシリコンドット形成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンドット形成室1内にシリコンスパッタターゲット30を設け、シリコンドット形成対象基体Sを配置し、該室内に導入したスパッタリング用ガス(代表的には水素ガス)をプラズマ化し、該プラズマでターゲット30をケミカルスパッタリングして基体S上にシリコンドットを形成する。或いは水素ガス及びシラン系ガス由来の、プラズマ発光強度比(Si(288nm) /Hβ)が10・0以下のプラズマのもとで基体S上にシリコンドットを形成する。該シリコンドットに酸素ガス等の終端処理用ガス由来のプラズマのもとで終端処理を施す。 (もっと読む)


【課題】比較的低温下で、安価に、安全に結晶性シリコン薄膜を得て、該結晶性シリコン薄膜から容易に終端処理された結晶性シリコン薄膜を得ることができる結晶性シリコン薄膜の形成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲットTと被成膜物品Sを設置した成膜室1内に水素ガスを導入し、高周波電力を印加して、プラズマ発光における波長656nmでの水素原子ラジカルの発光スペクトル強度Hα及び波長414nmでのシランラジカルの発光スペクトル強度SiH* との比(Hα/SiH* )が0.3〜1.3であるプラズマを発生させ、該プラズマにてシリコンスパッタターゲットTをケミカルスパッタリングして被成膜物品S上に結晶性シリコン薄膜を形成し、次いで、終端処理室10において、終端処理用ガスに高周波電力を印加することで発生させた終端処理用プラズマのもとで該結晶性シリコン薄膜の表面を終端処理する。 (もっと読む)


【課題】シリコンドット形成対象基板上に、従来より、低温で、粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成することができるシリコンドット形成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲット(例えばターゲット30)を内部に設けた真空チャンバ1内に基板Sを配置し、チャンバ1内にスパッタリング用ガス(代表的には水素ガス)を導入し、該ガスに高周波電力を印加することでチャンバ1内にプラズマを発生させ、該ターゲットにケミカルスパッタリング制御用バイアス電圧を印加するとともに該プラズマでターゲットをケミカルスパッタリングして基板S上にシリコンドットSiDを形成する。 (もっと読む)


【課題】 新規な構成を有するp型ワイドギャップ半導体を提供する。
【解決手段】 本発明のp型ワイドギャップ半導体は、2.8eV以上の禁制帯幅を有する第1の半導体から成る層11、11’の上に、p型の電気特性を示す第2の半導体から成る層12が整合積層していることを特徴とする。ここで、「整合積層」とは、第1半導体と第2半導体が共にその結晶構造が乱れることなく積層していることを意味する。このp型ワイドギャップ半導体は、第1半導体の禁制帯幅に近いワイドギャップを持ち、且つ、第2半導体により正孔が注入されることにより、1個のp型ワイドギャップ半導体として機能する。第1半導体にはZnO、MgO及びそれらの混晶を用いることができ、第2半導体にはそれら第1半導体と同様の結晶構造を有するCu2O、CuAlO2、CuGaO2、CulnO2、及びCuAlO2、CuGaO2、CulnO2のうちの2種又は3種の混晶を用いることができる。 (もっと読む)


【課題】Gaを供給してAlN(窒化アルミニウム)を成長させることにより、AlNの貫通転位を少なくし、結晶性の良いAlNを得る方法を提供する。
【解決手段】AlN層4の成長は、SiC基板2の基板温度が850℃、Gaの供給量が、0〜1.4×10−4Pa、Alの供給量が4.5×10−5Pa、Nの供給量が電力180ワットで、Nの流量が0.19sccmとされる。この条件において、AlN層4は、500nmの厚さ成長させられる。AlおよびGaの供給には、クヌードセンセルを用いた金属AlおよびGaの昇華、Nの供給には、RFプラズマ銃による窒素プラズマを用いた。また、N/Al比は、1よりわずかに小さい条件とした。なお、Gaの照射は、AlN層4の最初の10nmのみであり、AlN層4が10nm成長した時点で、Gaの供給量はゼロとされる。AlN層4が成長する間、AlおよびNの供給量は一定である。 (もっと読む)


a)分子線エピタキシ法(molecular beam epitaxy:MBE)を用いて、立方晶III-V族基板上にエピタキシャルIII族窒化物材料を成長させるステップと、b)前記III族窒化物基板が立方晶III族窒化物自立基板として残るように、前記III-V族基板を除去するステップと、を含む立方晶III族窒化物自立バルク基板の製造方法。III族窒化物デバイスの製造のための立方晶III族窒化物自立バルク基板。 (もっと読む)


【課題】結晶性の良いIII族窒化物を格子整合基板上に成長させる。
【解決手段】GaN膜を有する窒化物半導体素子10は、表面が平坦化されたZnO基板11の表面上に、GaN層12が形成される。GaN層12は、300℃以下の温度でGaNをエピタキシャル成長させる第1の成膜工程と、上記第1の成膜工程により成膜されたGaN上に、550℃以上の温度でGaNをエピタキシャル成長させる第2の成膜工程とにより成膜される。 (もっと読む)


【課題】電界発光(EL)素子および、希土類元素がドープされたシリコン(Si)/二酸化ケイ素(SiO)格子構造の形成方法の提供。
【解決手段】基板を被うSi層のDCスパッタリングする工程1004と、該Si層へドープするための希土類元素のDCスパッタリングする工程1006と、希土類元素がドープされたSi層を被うSiO層のDCスパッタリングする工程1010と、格子構造を形成する工程1012と、希土類元素がドープされたSi層においてナノ結晶を形成するためのアニール工程1014とを含む。一形態において、希土類元素およびSiは、同時DCスパッタされる。格子構造において、SiO層と希土類元素がドープされたSi層が交互に複数積層されるように、SiのDCスパッタリング、希土類元素のDCスパッタリング、およびSiOのDCスパッタリングする工程は5〜60回繰り返される。 (もっと読む)


【課題】反射板を使用することによってノズルの熱を効果的に高め、ノズルでの蒸着物質の凝縮を防止することができる蒸発源を提供する。
【解決手段】蒸着物質が位置し、一部分が開口された蒸着物質貯蔵部と、前記蒸着物質貯蔵部の開口された部分に連結され、前記蒸着物質を噴射するための開口部を有するノズル部と、前記ノズル部の少なくとも一部の角部を取り囲む反射板と、前記蒸着物質貯蔵部を取り囲むハウジングと、前記ハウジングと前記蒸着物質貯蔵部との間に介在される加熱部と、を含む。 (もっと読む)


【課題】低い温度でシリコン薄膜を形成しつつ、不純物の濃度を低く抑えることのできるシリコン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン薄膜の製造方法は、基板1をチャンバ10内に配置するステップと、イオンビーム蒸着を250℃以下の温度条件で行うことによって前記基板1上にシリコン薄膜を形成するステップと、を含むことを特徴とする。前記イオンビーム蒸着が行われるチャンバ10の基本気圧を10−12Torr以上10−7Torr以下に調節するのがよい。 (もっと読む)


【課題】キャリアガスを被蒸着基板方向に放出するガス流路内にガスを加熱する複数の固体片からなるガス加熱体を設けることで、蒸着装置の外部にキャリアガスを加熱する専用の加熱装置を設けず、被蒸着基板近傍で、キャリアガスを有機原料の沸点もしくは昇華点以上の高温に加熱することを可能とする。
【解決手段】チャンバ内に蒸着源12と被蒸着基板とを対向して設けた蒸着装置であって、蒸着源12は、蒸着材料71を蒸発させるるつぼ13と、るつぼ13の外周側に沿って被蒸着基板方向にガス61を供給するガス流路14と、ガス流路14を通過するガス61を加熱するガス加熱体15とを備えたもので、ガス加熱体15はガス流路14内に配置した複数の固体片151からなる蒸着装置である。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、基板をほぼ垂直で起立した状態で有機物を蒸着して有機薄膜を形成して大型基板に適用可能で、かつ、均一な厚さの有機薄膜を形成することができる有機物蒸着装置を提供するためのものである。
【解決手段】本発明の有機物蒸着装置は胴体を成し、基板を地面に対し、70゜ないし110゜の角度を維持するようにするチャンバと、基板上に蒸着する有機物を受け入れる少なくとも一つの有機物格納所からなる有機物格納部と、基板上に蒸着する有機物を噴射する有機物噴射ノズル部と、有機物噴射ノズル部と有機物格納部とを連結させる連結ラインと、有機物格納部、有機物噴射ノズル部及び連結ライン中の少なくとも有機物噴射ノズルを垂直方向に移動させることができる移送装置を備えてなる。 (もっと読む)


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