【課題】デバイス品質の良好なＩｎＮ／ＧａＮヘテロ構造の半導体光素子を提供する。
【解決手段】基板１、ｎ型コンタクト層２、ｎ型クラッド層３、ｎ型ガイド層４、活性層５、ｐ型ガイド層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型コンタクト層８を順に積層して構成されている。またｎ型コンタクト層３上には第一の電極９が、ｐ型コンタクト層９上には第二の電極１０が形成されており、第一と第二の電極の間に電圧を印加することで活性層５に正孔及び電子を注入し、発光させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】酸素欠損を低減したβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法、及びβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、所定の気圧に減圧された真空槽１０内にオゾンを含む酸素ガスを供給すると共に第１のセル１３ａからＧａ蒸気を供給し、基板ホルダ１１に保持されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上にβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を成長させ、結晶積層構造体を製造する。このように、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の成長時に酸素の原料としてオゾンを供給することで、酸素欠損の少ない高品質なβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜が得られると共に、活性酸素のみを供給した場合に比較してβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の成長レートが高まる。 （もっと読む）

【課題】蛍光体や通信素子としての特性に優れたＧａＮ薄膜を得るために、スパッタ法により、低コストで高純度かつ結晶性が良好なＧａＮ薄膜が形成可能なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】蛍光体用薄膜や通信素子用薄膜のＧａＮ薄膜のスパッタ法による形成において、スパッタリングターゲットを、白色ＧａＮ原料粉末の焼結により得られ、酸素濃度が１．５％以下であり、Ｚｎ含有量が０．１％以下である白色ＧａＮ焼結体により構成する。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】搬送中に基板がホルダから外れることを防止することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホルダ１０３ａは、基板２０を保持する一方面Ｓ１と、一方面Ｓ１と反対の他方面Ｓ２とを有する。またホルダ１０３ａには、平面視において基板２０の一部と重複する領域において開口部ＯＰが設けられている。蒸着源１２０はホルダ１０３ａの一方面Ｓ１に対向している。ヒータはホルダの他方面Ｓ２に対向している。固定具６０は、ホルダの一方面Ｓ１上に固定され、一方面Ｓ１との間で基板２０を挟むことによって基板２０を固定している。 （もっと読む）

【課題】層状構造の窒化ガリウム膜を汎用的の高められたプロセスで選択的に形成することの可能な窒化ガリウム膜の形成方法、及び該形成方法を用いて窒化ガリウム膜を形成する装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム膜を反応性スパッタにて単結晶の基板Ｓ上に形成するときに、真空槽１１内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウム膜の成長速度の極大値に対して３０％以上９０％以下の成長速度となる範囲とする。また、基板温度Ｔ（℃）、ガリウムのターゲット１４に供給される周波数が１３．５６ＭＨｚである高周波電力をバイアス電力Ｐ（Ｗ／ｃｍ^２）とするとき、基板温度Ｔ及びバイアス電力Ｐが、６００≦Ｔ≦１２００、０＜Ｐ≦４．６３、Ｔ≧０．００８３Ｐ−４．７、Ｔ≦０．００８４Ｐ−６．６を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第１の層と、該第１の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第２の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第１の層に含まれるシリコン原子の量は、第２の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第１の層と前記第２の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 （もっと読む）

【課題】平滑面で高密度かつ大きな強度を有し、バンドギャップについて、シリコンのナノ結晶によるワイドギャップと、シリサイドナノ結晶によるナローギャップで、広範の波長に対応可能な、半導体材料を、低コストで形成する。
【解決手段】金属（Ｍ）とシリコン（Ｓｉ）の合金を、熱処理によってシリコンナノ結晶と金属シリサイド化合物ナノ結晶に相分離させ、直径１０ｎｍ以下のシリコンナノ結晶と金属シリサイドのナノ結晶が凝集しているシリコンナノ結晶と金属シリサイドナノ結晶凝集半導体材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＮのドープされたＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体層の製造方法は、（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、酸素を含まないガス雰囲気中で昇温する工程と、（ｃ）酸素を含まないガス雰囲気中での昇温の後に、酸素を含むガスを供給し、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜の全体を酸化して、ＮドープＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】特性を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ１ｃは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２０とを備える。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘは、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘよりも低い。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａの不純物濃度は、裏面１１ｂの不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップがより大きく、紫外領域で発光する可能性があるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、所定の抵抗率及びキャリア濃度を有するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶を提供する。
【解決手段】β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、Ｓｉ濃度を１×１０^−５〜１ｍｏｌ％に変化させることにより、抵抗率が２．０×１０^−３〜８×１０^２Ωｃｍ、キャリア濃度が５．５×１０^１５〜２．０×１０^１９／ｃｍ^３の範囲に制御するドーパントの添加濃度に応じて抵抗率を可変することができる。 （もっと読む）

【課題】体積抵抗率が低く、しかも、エピタキシャル成長工程等のウエハプロセスにおいて炭化珪素単結晶基板が１０００℃以上に晒されても、積層欠陥が殆ど発生することがない炭化珪素単結晶基板、および、この基板を用いて得た炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】体積抵抗率が０．００１Ωcm以上０．０１２Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であり、表裏面のうち少なくとも片面の表面粗さＲａが１．０ｎｍ以下であると共に、外周側面の表面粗さＲａが１．０ｎｍ以下である炭化珪素単結晶基板、および、前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長してなる炭化珪素エピタキシャルウェハ、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム又はこれらの混晶をエピタキシャル成長してなる薄膜エピタキシャルウェハ。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、結晶成長面を有する単結晶基板１２であって、結晶成長面１２は複数の凸部１２ａと、複数の凸部１２ａ同士の間にそれぞれ設けられ、かつ複数の凸部１２ａから離隔する位置に設けられる凹部１２ｂと、を備える単結晶基板１２と、単結晶基板１２上に設けられ、複数の凸部１２ａのうち、一対の互いに隣接する凸部１２ａと、当該一対の凸部１２ａ同士の間に位置する凹部１２ｂにおいて、凹部１２ｂと一対の凸部１２ａとの間に位置する両結晶成長面から一対の凸部１２ａ同士の間に向かって延びる複数の転位１６を、一対の凸部１２ａ同士の間で結合させた光半導体層１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダの基板以外の領域の表面に成膜材料が付着するのを防止することができ、基板上に成膜される膜の品質及び生産性を向上させることができるスパッタリング装置を提供する
【解決手段】真空排気可能な真空容器１と、真空容器１の内部に配設され、基板８をその処理面を下方へ臨ませて保持する保持機構３０、３１を備えた基板ホルダ４０と、基板ホルダ４０の直下に基板８に対向させて配置され、放電用電力が供給されるカソード電極１０と、カソード電極１０の基板側に支持されたターゲット１６と、を備え、基板ホルダ４０は、基板以外の領域の表面温度を基板８上に成膜する成膜材料の分解または蒸発温度以上に加熱する加熱機構６０、６１を有する。 （もっと読む）

【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの導電性酸化物の熱伝導率を向上させることによって、そのターゲットの厚さの増大を可能にして寿命を増大させ、またそのターゲットを用いることによって、スパッタリング堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にする。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質Ｉｎ_２Ｇａ_{２（１−ｍ）}Ｚｎ_１−ｑＯ_７−ｐ（０≦ｍ＜１、０≦ｑ＜１、０≦ｐ≦３ｍ＋ｑ）と結晶質Ｇａ_２ＺｎＯ_４とを含み、粉末Ｘ線回折法を適用したときに、最大の回折強度を有するａピークの回折角２θが２９．００°以上３０．７５°以下の範囲内にあり、かつ第２位の回折強度を有するｂピークの回折角２θが３３．００°以上３６．００°以下の範囲内にあり、そしてａピークに対するｂピークの回折強度比Ｉｂ／Ｉａが０．１以上１．０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの導電性酸化物の熱伝導率を向上させることによって、そのターゲットの厚さの増大を可能にして寿命を増大させ、またそのターゲットを用いることによって、スパッタリング堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にする。
【解決手段】導電性酸化物は、Ｉｎ、ＺｎおよびＧａを含み、かつ結晶質Ｉｎ_２Ｚｎ_４Ｏ_７を含むことを特徴としている。 （もっと読む）