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Fターム[5F103LL12]の内容

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第1半導体材料の結晶基板と、結晶基板の表面上に配置されるマスク(11)とを含む半導体ヘテロ構造(10)である。マスク(11)は、900nm以下の幅(w)を有する複数の細長い開口部(13,14)を含む開口(12)を有する。細長い開口部の少なくとも第1開口部(13)は、複数の細長い開口部のうちの少なくとも1つの第2開口部(14)に対して非平行に配向される。半導体ヘテロ構造(10)は、開口(12)を充填してマスクをカバーする第2半導体材料のオーバーグロース結晶層をさらに含む。かかる半導体ヘテロ構造の製造方法も提示される。
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