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Fターム[5F103LL17]の内容

半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | 適用デバイス・適用構造 (785) | 量子井戸・量子細線・量子箱を用いるもの (18)

Fターム[5F103LL17]に分類される特許

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【課題】デバイス品質の良好なInN/GaNヘテロ構造の半導体光素子を提供する。
【解決手段】基板1、n型コンタクト層2、n型クラッド層3、n型ガイド層4、活性層5、p型ガイド層6、p型クラッド層7、p型コンタクト層8を順に積層して構成されている。またn型コンタクト層3上には第一の電極9が、p型コンタクト層9上には第二の電極10が形成されており、第一と第二の電極の間に電圧を印加することで活性層5に正孔及び電子を注入し、発光させることが可能である。 (もっと読む)


【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口11aを有する坩堝11と、坩堝11の外周及び開口11aの縁を覆う遮蔽部材18と、遮蔽部材18を冷却する冷却部材21と、坩堝11に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材18には、鉛直上方から坩堝11を覆う被覆部19が設けられている。 (もっと読む)


【課題】p型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域15及び窒化ガリウム系半導体領域19は、基板13の主面13a上に設けられる。窒化ガリウム系半導体領域19は、p型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜21を有しており、III族窒化物半導体膜21は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。III族窒化物半導体膜21の酸素濃度は、1.0×1017cm−3以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜21の酸素濃度は、1.5×1018cm−3以下の範囲にある。また、III族窒化物半導体膜21の水素濃度は1.0×1017cm−3以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜21の水素濃度は1.5×1018cm−3以下の範囲にある。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率を向上させることが可能な光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】低温で成長させることにより作製した第1窒化ガリウム層と、該第1窒化ガリウム層の表面に形成された窒化インジウム量子ドットと、を有する光電変換素子、及び、低温で成長させることにより窒化ガリウム層を形成する第1工程と、該第1工程によって形成された窒化ガリウム層の表面に窒化インジウム量子ドットを形成する第2工程と、を有する、光電変換素子の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】
巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。
【解決手段】
本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットDの結晶成長レート及び/もしくは埋め込み層L4の結晶成長速度として1ML/s(モノレイヤー・パー・セカンド)以上によって層形成させる。 (もっと読む)


【課題】
光学的特性に優れたZnO系結晶を提供する。
【解決手段】
(0001)(+C面)を主面とするZnO単結晶基板を準備し、熱処理する工程と、 加熱した前記主面上にII−VI族半導体結晶をII族原子の極性面で成長する工程と、を含み、前記熱処理する温度は、前記II−VI族の半導体結晶の成長工程における結晶成長温度よりも高い温度である半導体結晶の成長方法。 (もっと読む)


【課題】例えば結晶性等の向上が図られたZnO系半導体層を提供する。
【解決手段】
ZnO系半導体層に、1×1017cm−3〜2×1020cm−3の範囲の濃度でMgをドープする。 (もっと読む)


【課題】量子ドットのサイズ制御を可能とし、かつ設計自由度の大きい、量子ドット作製装置及びその生産方法を提供すること。
【解決手段】基板30が搭載される基板ホルダ40と、基板30で形成される複数の量子ドットのサイズを熱放射により制御する当該基板に近接した構造体10と、構造体10の温度を所定の範囲に加熱する加熱器50と、構造体10が搭載される構造体ホルダ20と、を備える量子ドット作製装置。 (もっと読む)


【課題】領域選択成長技術を適用して、均一性のある微細構造を生産できる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板が搭載される試料ホルダ40と、基板30に選択的に結晶を成長させるため基板の温度を所定の範囲に加熱する加熱器50と、基板30に選択的に結晶を成長させるための少なくとも1つ以上の第1の開口部と、当該1つ以上の第1の開口部の外側に複数の第2の開口部を有するマスク10と、マスク10が搭載されるマスクホルダ20と、を備える微細構造素子製造装置。 (もっと読む)


【課題】積層側の主面がC面を有するMgZnO基板上に平坦なZnO系半導体層を成長させることができるZnO系半導体素子を提供する。
【解決手段】主面がC面を有するMgxZn1−xO(0≦x<1)基板を用い、前記主面の法線を基板結晶軸のm軸c軸平面に射影した射影軸がc軸となす角Φmを、0<Φm≦3となるように形成した主面上に、ZnO系半導体層2〜5がエピタキシャル成長されている。そして、ZnO系半導体層5上にはp電極8が、MgxZn1−xO基板1の下側にはn電極9が形成されている。このようにして、MgxZn1−xO基板1の表面に、m軸方向に並ぶ規則的なステップを形成することで、ステップバンチングと呼ばれる現象を防ぎ、基板1上に積層される半導体層の膜の平坦性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】従来にはないナローな発光をする量子ドットを用いて、安定したレーザ発振を可能としたレーザ発振素子を提供する。
【解決手段】レーザ発振素子において、その活性層は、2×1010/cm〜1×1011/cmの密度でGaAs(311)A基板上に量子ドットが形成されている。 (もっと読む)


【課題】窒素フラックスの調整が可能な、III−V族半導体層を作製する方法と、量子井戸構造を作製する方法と、窒素源装置とを提供すること。
【解決手段】アパーチャ26a等のうち開口されたアパーチャを介して窒素フラックスを供給し他の原料フラックスを供給して、第1のIII−V族半導体層を基板上に堆積する第1の工程と、開口されるアパーチャの数を変更する第2の工程と、第2の工程後に開口されているアパーチャを介して窒素フラックスを供給し他の原料フラックスを供給して、第2のIII−V族半導体層を第1のIII−V族半導体層上に堆積する第3の工程とを備え、第1のIII−V族半導体層の窒素組成は第2のIII−V族半導体層の窒素組成と異なる。 (もっと読む)


【課題】 結晶成長方法及び結晶成長装置に関し、基板とエピタキシャル層との格子定数の差を、用いられる物質により一義的決定されることなく一定程度の範囲で任意に設定する。
【解決手段】 湾曲させた基板1上にエピタキシャル成長をさせる。 (もっと読む)


【課題】 高品位の結晶性を有し、且つ精密にサイズ・位置制御がなされ、デバイスへの集積化の自由度の高められた、均質なβ-FeSi2又はFeSi2アモルファスドットアレイ構造体とその効率的な作製方法を提供する。
【解決手段】 β-FeSi2結晶又はFeSi2アモルファスをを含有するドットが基板表面に均質に設けられたFeSi2ドットアレイ構造体。この構造体を、FeSi2膜を有する透明板の膜面側に基板を対向させ、透明板側からパルスレーザー光を照射し、対向基板上にβ-FeSi2結晶又はFeSi2アモルファスを含有するドットを転写することにより作製する。 (もっと読む)


【課題】従来のシリコンドット形成や結晶性シリコン薄膜形成と比べると、比較的低温下で、シリコン物体形成対象基体上に所望のシリコン物体(シリコンドットや結晶性シリコン薄膜)を形成できる方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコン物体形成対象基体Sを第1室1に配置し、第1室1に連設された第2室2にシリコンスパッタターゲットT1を設け、第2室2に水素ガスからケミカルスパッタリング用プラズマを生成させ、該プラズマにてシリコンスパッタターゲットT1をケミカルスパッタリングしてシリコン物体形成寄与粒子を生成させ、第2室2から第1室1へ到来する該シリコン物体形成寄与粒子により基体S上にシリコン物体を形成する。 (もっと読む)


光源はシリコンとフッ化カルシウム(CaF)の組合せをベースとしている。シリコン及びフッ化カルシウムは純粋である必要はなく、それらの電気的特性及び/又は物理的特性を制御するためにドープされてもアロイ化されてもよい。本光源は、例えば多層構造として配置されるシリコンとフッ化カルシウムの交互配置部を使用し、近赤外スペクトル領域の光を放射するように伝導帯のサブバンド間遷移を使用して動作することが好ましい。本光源は、量子カスケードレーザ、リング共振器レーザ、導波路型光増幅器を形成するように構成することができる。
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【課題】 液滴エピタキシー法に基づいて形成した低融点金属の微粒子を金属ナノ粒子として利用する技術を提供する。
【解決手段】 金属ナノ粒子埋込み材料の作製法において、低融点金属の分子線を基板に対して照射し、前記基板の表面に前記低融点金属の微粒子を金属ナノ粒子として形成した後、化合物構成元素の分子線を照射することにより、化合物を成長させて、前記金属ナノ粒子を前記化合物中に埋め込むことを特徴とする。前記低融点金属としてAlなどの化合物半導体を形成する低融点金属、前記基板としてGaAs基板などの化合物半導体基板、前記化合物構成元素としてGaとAsなどを使用することができる。 (もっと読む)


【課題】良質な量子ドットを所望の密度で形成し得る光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地層16上に形成された量子ドット20を有する光半導体装置であって、下地層の少なくとも表層部に、下地層の構成元素とイオン半径が異なる微量元素18が存在しており、微量元素の存在により表層部に生ずる局所的な歪により、量子ドットが形成されている。下地層の表層部に存在させる微量元素の面密度を適宜設定することにより、量子ドットの面密度を制御することができる。しかも、下地層の表層部に存在させる微量元素は微量であるため、下地層の質を損なうこともない。従って、下地層や量子ドットの質を損なうことなく、所望の密度で量子ドットを形成することができる。 (もっと読む)


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