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Fターム[5F103NN02]の内容

Fターム[5F103NN02]に分類される特許

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【課題】表面にホワイトスポットがない外観が良好なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】二種以上のホモロガス結晶構造を含む酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。 (もっと読む)


【課題】ポアの発生を抑制することにより良好な特性を持った有機膜を得る。
【解決手段】図1(c)に示されるように、弾性膜20は、積層構造10の間に空隙を形成することなしに密着した状態となる。すなわち、積層構造10がこの弾性膜(封止層)20で封止された状態となる(封止層形成工程)。図1(a)の状態ではパターニングされた有機膜12の端部が露出しているが、この端部も弾性膜20で封止される。次に、図1(d)に示されるように、図1(c)の構成をそのまま冷間静水圧加圧装置50中に入れ、加圧する(加圧工程)。 (もっと読む)


【課題】層状構造の窒化ガリウム膜を汎用的の高められたプロセスで選択的に形成することの可能な窒化ガリウム膜の形成方法、及び該形成方法を用いて窒化ガリウム膜を形成する装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム膜を反応性スパッタにて単結晶の基板S上に形成するときに、真空槽11内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウム膜の成長速度の極大値に対して30%以上90%以下の成長速度となる範囲とする。また、基板温度T(℃)、ガリウムのターゲット14に供給される周波数が13.56MHzである高周波電力をバイアス電力P(W/cm)とするとき、基板温度T及びバイアス電力Pが、600≦T≦1200、0<P≦4.63、T≧0.0083P−4.7、T≦0.0084P−6.6を満たすようにする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、移動度が向上し、コンタクト抵抗が低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11上にゲート電極12、ゲート絶縁膜13、ソース・ドレイン電極14および有機半導体15がこの順に積層された半導体装置において、有機半導体層15は、第1の層15aと第1の層15aよりもグレインサイズの小さい第2の層15bとを備えており、第1の層15aがゲート絶縁膜13側に配置されていることを特徴とする半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】ZnO系半導体単結晶の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体層の製造方法は、(a)MgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶表面を有する下地上に、(MgZn1−y(0≦y≦0.6)単結晶膜を成長させる工程と、(b)(MgZn1−y(0≦y≦0.6)単結晶膜を酸化して、NドープMgZn1−zO(0≦z≦0.6)単結晶膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の上面部及び下面部に、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜を積層され、さらに、金属酸化物膜において酸化物半導体膜と接する面と対向する面には、金属酸化物膜及び酸化物半導体膜とは異なる成分でなる絶縁膜が接して設けられているトランジスタを提供する。また、トランジスタの活性層に用いる酸化物半導体膜は、熱処理によって、水素、水分、水酸基または水素化物などの不純物を酸化物半導体より排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、高純度化及び電気的にi型(真性)化されたものである。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタ用半導体層の材料として、高い正孔移動度を示すp形半導体多結晶薄膜を、かつ、低い成膜温度でのプラスチック基板上への成膜をも行うことのできるp形半導体多結晶薄膜を、提供する。
【解決手段】ガラスまたはプラスチックまたはステンレス基板のような非結晶質または多結晶基板1上に、該基板の温度を300℃以下とし、成長膜へのガリウム(Ga)、アンチモン(Sb)、及びヒ素(As)原子のそれぞれの供給量JGa,JSb,及びJAsを、JSb<JGa<JAs+JSbを満たすような値として、Ga,Sb,及びAs原子を同時供給して真空蒸着により成膜してなる、Sb組成yが0.5<y<1を満たすp形GaSbyAs1-y多結晶薄膜6を形成する製造方法による。 (もっと読む)


【課題】結晶粒が大きく移動度の高い均一な特性のトランジスタを作製できる半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ内において試料基板上に半導体を蒸着することにより半導体素子を形成する半導体製造装置において、試料基板表面に蒸着源から供給される半導体を遮蔽するマスクを、半導体素子の設計時に設定された電流が流れる向きとなるようにマスクを移動させ、蒸着源から半導体を供給する蒸着速度をvとし、マスク移動機構を用いてマスクを移動させる速度をvとし、半導体の単分子膜厚をt0とし、試料基板表面の結晶成長核の密度をdとしたとき、v /v > t d1/2を満たすように、少なくともマスク移動速度を制御する制御装置を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】優れた結晶性を有する窒化物層をその上方に再現性良く形成することができるアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】DC−continuous方式により電圧を印加するDCマグネトロンスパッタ法によるアルミニウム含有窒化物中間層2の積層時に、(i)ターゲットの表面の中心と基板の成長面との間の最短距離を100mm以上250mm以下とすること、(ii)DCマグネトロンスパッタ装置に供給されるガスに窒素ガスを用いること、(iii)基板の成長面に対してターゲットを傾けて配置することの少なくとも1つの条件を採用しているアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】透明な薄膜を堆積し、パターン構造を直接堆積する方法を提供する。
【解決手段】透明な薄膜を堆積し、パターン構造を直接堆積する方法であって、パルスレーザ源を提供し、前記パルスレーザ源が出射するレーザ1を透明な基板3を介してターゲット5上に集光させて、前記レーザのエネルギーを使用して前記ターゲットの部分を融除又は蒸発させ、前記基板を前記ターゲットに対して並進運動させる、前記融除又は蒸発された前記ターゲットの材料が前記基板上に堆積し、前記基板上にパターン構造を形成できるようにする。 (もっと読む)


【課題】例えば500℃程度以下の低温成長でも、ZnO層の表面平坦性の低下が抑制されたZnO系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、無電極放電管にOとNを含むガスを導入し、放電して第1のビーム3aを発生させる工程と、基板11の上方に、少なくともZnを供給するとともに、無電極放電管から第1のビーム3aを供給して、n型ZnO系半導体層を成長させる工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】a面サファイア基板10の表面10aに、ICPエッチングで長手方向がサファイア基板10のm軸方向に平行なストライプ状に凹部11を形成する(図1(a))。次に、サファイア基板10を、反応性マグネトロンスパッタに導入し、厚さ75〜125ÅのAlN膜12を形成する(図1(b))。次に、サファイア基板10をMOCVD装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、1020〜1060℃まで昇温する。続いて、凹部11の側面11aにGaN結晶13をエピタキシャル成長させる(図1(c))。成長が進むと、サファイア基板10の表面10aはGaN結晶13に覆われていき、平坦なGaN結晶13が形成される(図1(d))。このGaN結晶13の主面はm面である。 (もっと読む)


【課題】良好な特性の多結晶シリコン膜を短時間に形成できる多結晶シリコン膜の形成方法、形成装置及びそれにより形成された多結晶シリコン膜が形成された基板を提供する。
【解決手段】シリコン蒸発源15の加熱によりシリコン微粒子を生成し、次に、シリコン微粒子を移送し、超音速フリージェットJの気流に乗せて真空チャンバー30中に噴出して、真空チャンバー30中に配置された基板33上に物理蒸着させ、シリコン微粒子からなる多結晶シリコン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】良好な熱電特性を発揮することができるBiTe系薄膜の作製方法の提供を課題とする。また良好な熱電特性を持つBiTe系薄膜を用いた赤外線センサの提供を課題とする。
【解決手段】BiTe系薄膜3の作製方法は、少なくともBiとTeを有効成分とするBiTe系薄膜を200℃以下で成膜し、その後、Ar−H雰囲気中で加熱することで薄膜の結晶化を行う。Ar−H雰囲気中での加熱処理温度は300〜500℃とする。またレジストを用いたリフトオフ法により基板1上にBiTe系薄膜のパターンを200℃以下で成膜し、得られたBiTe系薄膜のパターンを基板1と共にAr−H雰囲気中で加熱処理して結晶化を行う。また以上のような作製方法により得たBiTe系薄膜3を用いた赤外線センサを提供する。 (もっと読む)


【課題】格子定数が広範囲にわたり可変であり、且つ結晶性に優れた基板およびその製造方法を提供する。また上記基板上に形成された半導体素子を提供する。
【解決手段】6回対称軸をを有する結晶からなる第1の層11と、該結晶上に形成される金属酸窒化物結晶からなる第2の層12を有し、第2の層12が、In、Ga、Si、Ge及びAlからなる群から選択される少なくとも1つの元素と、NとOとZnとを主要元素として含み、且つ第2の層12が面内配向性を有する積層構造体を備えたウルツ鉱型結晶成長用基板。 (もっと読む)


【課題】製造歩留まりを低下させるドロップレット発生を低減、かつ良好な結晶性を有する化合物エピタキシャル層製造方法を提供。
【解決手段】ZnO基板上の化合物エピタキシャル層形成方法で、(a)ZnO基板の成長面が、{0001}面で、(b)化合物エピタキシャル層を形成するための元素の全てまたは一部を、基板上の成長面に間欠的に供給し、供給継続時間Ton(sec)と供給休止時間Toff(sec)が、論理式:(B−1)and{(B−2)or(B−3)or(B−4)}、ここで(B−1)1×10−6sec≦Toff≦1×10−2sec、1×10−6sec≦Ton≦1×10−2sec(B−2)2×10−3sec<Toff≦1×10−2sec(B−3)0.01%≦Ton/(Ton+Toff)<5%(B−4)1×10−6sec≦Toff<5×10−5sec、1×10−6sec≦Ton<5×10−5secを満たす。 (もっと読む)


【課題】電子移動度の低下を最小限に抑えつつ、抵抗の温度依存性を低減させ、さらに薄膜製作の再現性や制御性に優れた、n型ドーパントとしてSnを含むInSb薄膜を用いた半導体薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に直接的にまたは有機物接着層もしくはバッファ層を介して間接的に積層されたInSbを含む化合物半導体薄膜層からなる動作層中もしくは該動作層隣接したIII−V族化合物半導体層をMBE法により形成する際に、ドーパントとしてSnを、基板温度380℃〜400℃の範囲、SnのKセル温度500℃以上かつ1000℃以下の範囲でドーピングする。 (もっと読む)


【課題】GaAs層上に形成されるInAs量子ドットのサイズを適切に制御する。
【解決手段】量子ドットの形成方法は、基板(110)上にGaAsを含んでなる第1半導体層(120)を形成する第1形成工程と、基板の基板温度を摂氏480度及び摂氏530度の間の温度にした後に、第1半導体層の上に、In及びAsを夫々照射して、InAsを含んでなる第2半導体層(130)を形成する第2形成工程とを備える。第2形成工程において、第2半導体層の成長速度を0.02ML/s及び0.1ML/sの間の成長速度とし、第2半導体層の成長量を1.2ML及び2.5MLの間の成長量とすることにより、第2半導体層の第1半導体層と対向しない側の面(130a)にInAsを含んでなる量子ドット(131)を形成する。 (もっと読む)


本発明は、(i)単結晶の基板を提供するステップと、(ii)上記基板上に、単結晶の酸化物の層をエピタキシャル成長するステップと、(iii)(a)単結晶の酸化物層の表面から不純物を除去するステップと、(b)遅いエピタキシャル成長によって、半導体のサブ層を蒸着するステップと、を有するステップを用いて、サブ層を形成するステップと、(iv)そのように形成されたサブ層上に、エピタキシャル成長によって、単結晶の半導体層を形成するステップと、を備える固体の半導体構造を製造する方法に関する。本発明は、また、そのように得られた固体の半導体ヘテロ構造に関する。 (もっと読む)


【課題】酸化物薄膜の結晶性を維持しつつ、酸化物薄膜中に気体元素を効率良くドーピングすることができる酸化物薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】
ドーピングを行わない酸化物薄膜形成工程(第1の酸化物薄膜形成工程)における酸素供給量を基準とし、この基準酸素供給量よりも、気体元素のドーピングを行う酸化物薄膜形成工程(第2の酸化物薄膜形成工程)における酸素供給量を小さくしているので、成長温度を結晶性が良くなる温度にまで上げている場合でも、気体元素のドーピングが容易に行われる。 (もっと読む)


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