Fターム[5F103PP00]の内容
半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | 前処理・後処理 (421)
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Fターム[5F103PP00]に分類される特許
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半導体基板の製造方法
【課題】SiCを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第1および第2の裏面B1、B2の各々が一の方向を向き、かつ第1および第2の側面S1、S2が互いに対向するように、第1および第2の炭化珪素基板11、12が配置される。この配置する工程の後に、第1および第2の裏面B1、B2を互いにつなぎ、かつ第1および第2の側面S1、S2が互いに対向する空間を埋めるように、第1および第2の炭化珪素基板11、12上に炭化珪素層30が分子線エピタキシ法によって形成される。
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