Fターム[5F103PP11]の内容
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オーミックコンタクト (15)
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薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示装置
【課題】酸化物半導体を用いた低温プロセスで形成する信頼性の高い薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ1は、基板100と、前記基板上の一部に設けられたゲート電極110と、前記ゲート電極を覆う第1の絶縁膜120と、前記第1の絶縁膜を介して前記ゲート電極上に設けられた酸化物半導体膜130と、前記酸化物半導体膜上の一部に設けられた第2の絶縁膜150と、前記酸化物半導体膜から露出する酸化物半導体膜の一部と接続されたソース電極140Sおよびドレイン電極140Dと、を備え、前記酸化物半導体膜はInと、Gaと、Znのうち少なくとも一つの元素を含む酸化物半導体を有し、前記第1の絶縁膜中に含有される水素濃度が5×1020atm/cm−3以上であり、かつ、前記第2の絶縁膜中に含有される水素濃度が1019atm/cm−3以下である。
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薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置、イメージセンサー、X線センサー並びにX線デジタル撮影装置
【課題】400℃以下で作製可能であり、20cm2/Vs以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極16と、ゲート絶縁膜15と、In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(a>0,b>0,c>0,a+b+c=1,d>0)で表され、a≦37/60、b≦91a/74−17/40、b≧3a/7−3/14、c≦3/5を満たす第1の領域A1及びIn(p)Ga(q)Zn(r)O(s)(q/(p+q)>0.250,p>0,q>0,r>0,s>0)で表され、ゲート電極に対して第1の領域よりも遠くに位置する第2の領域A2を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層と、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極13及びドレイン電極14と、を有する薄膜トランジスタ1。
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半導体装置、及び半導体装置の作製方法
【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてエネルギーギャップの異なる少なくとも2層の酸化物半導体層を含み、かつ積層された酸化物半導体層の間に混合領域を有する酸化物半導体積層を用いる。
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有機膜を含んだ積層体の製造方法、積層体
【課題】ポアの発生を抑制することにより良好な特性を持った有機膜を得る。
【解決手段】図1(c)に示されるように、弾性膜20は、積層構造10の間に空隙を形成することなしに密着した状態となる。すなわち、積層構造10がこの弾性膜(封止層)20で封止された状態となる(封止層形成工程)。図1(a)の状態ではパターニングされた有機膜12の端部が露出しているが、この端部も弾性膜20で封止される。次に、図1(d)に示されるように、図1(c)の構成をそのまま冷間静水圧加圧装置50中に入れ、加圧する(加圧工程)。
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導電性酸化物およびその製造方法、ならびに酸化物半導体膜
【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質In2O3と、結晶質Ga2ZnO4とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Znの原子濃度比を1とした場合に、Inの原子濃度比が0.4以上1.8以下であり、かつ、Gaの原子濃度比が0.4以上1.8以下の導電性酸化物とし、In−Ga−Zn−O酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。
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成膜装置及び成膜方法
【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。また、酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性は、基板内、基板間及びロット間において、ばらつきが大きい場合があった。そこで、信頼性が高く、電気特性のばらつきの小さい酸化物半導体を用いた半導体装置を作製する。
【解決手段】ロードロック室と、ロードロック室とゲートバルブを介して接続された搬送室と、搬送室とゲートバルブを介して接続された基板加熱室と、搬送室とゲートバルブを介して接続されたリークレートが1×10−10Pa・m3/秒以下である成膜室と、を有する成膜装置である。
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半導体装置
【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。
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半導体装置の作製方法
【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性は、基板内、基板間およびロット間において、ばらつきが大きく、熱、バイアスまたは光などの影響で変動が起こる場合がある。そこで、信頼性が高く、電気特性のばらつきの小さい酸化物半導体を用いた半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、膜中および膜と膜との界面の水素を排除する。膜と膜との界面の水素を排除するためには、成膜と成膜との間で、基板を真空下で搬送する。また、大気暴露された表面を持つ基板は、熱処理またはプラズマ処理によって、表面の水素を除去する。
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酸化物半導体膜および半導体装置
【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、a−b面が膜表面に概略平行であり、c軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
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半導体装置およびその作製方法
【課題】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜(ゲート絶縁層)との界面状態を良好とするために、酸化物半導体層の界面近傍に窒素を添加する。具体的には酸化物半導体層に窒素の濃度勾配を作り、窒素を多く含む領域をゲート絶縁層との界面に設ける。この窒素の添加によって、酸化物半導体層の界面近傍に結晶性の高い領域を形成でき、安定した界面状態を得ることができる。
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半導体装置及びその作製方法
【課題】ノーマリーオフのトランジスタ、或いは当該トランジスタを含んで構成される回路を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域として機能する第1の酸化物半導体層と、当該第1の酸化物半導体層と重なるソース電極層及びドレイン電極層と、当該第1の酸化物半導体層、当該ソース電極層、及び当該ドレイン電極層と接するゲート絶縁層と、当該ゲート絶縁層に接して当該第1の酸化物半導体層と重なる第2の酸化物半導体層と、当該第2の酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層とを有する半導体装置及びその作製に関する。
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半導体装置及び半導体装置の作製方法
【課題】キャリア密度の制御された酸窒化物半導体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層中に、制御された窒素を導入することによって、目的とするキャリア密度及びオン特性を有する酸窒化物半導体をチャネルに用いたトランジスタを作製することができる。さらに、該酸窒化物半導体を用いることによって、酸窒化物半導体層と、ソース電極及びドレイン電極との間に、低抵抗層などを設けなくても、良好なコンタクト特性を示すことができる。
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薄膜トランジスタおよびその製造方法
【課題】信頼性および再現性が優れるとともに、歩留まりが高く生産性が優れた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極を覆って基板上に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第2の絶縁膜を形成して、第1の絶縁膜、酸化物半導体膜および第2の絶縁膜からなる積層体を得る工程と、積層体の第1の絶縁膜、酸化物半導体膜および第2の絶縁膜をパターニングして、それぞれゲート絶縁層、活性層およびチャネル保護層を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有する。第1の絶縁膜、酸化物半導体膜および第2の絶縁膜は、大気に曝されることなく連続して形成される。
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光電変換素子及びその製造方法
【課題】光電変換効率を向上させることが可能な光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】低温で成長させることにより作製した第1窒化ガリウム層と、該第1窒化ガリウム層の表面に形成された窒化インジウム量子ドットと、を有する光電変換素子、及び、低温で成長させることにより窒化ガリウム層を形成する第1工程と、該第1工程によって形成された窒化ガリウム層の表面に窒化インジウム量子ドットを形成する第2工程と、を有する、光電変換素子の製造方法とする。
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電界効果トランジスタ
【課題】キャリア濃度の制御性および安定性に優れ、かつ、低コストである酸化物半導体材料の提供ならびにこれを用いた電界効果トランジスタの提供を目的とする。
【解決手段】インジウムとシリコンと亜鉛を含む酸化物を酸化物半導体材料として用いる。このとき、酸化物半導体膜中におけるシリコンの含有量は、4mol%以上8mol%以下とする。このようなIn−Si−Zn−O膜を用いた電界効果トランジスタは、高温の熱処理に耐えられ、かつ、−BTストレスに対し有効である。
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積層酸化物材料、半導体装置、および半導体装置の作製方法
【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第1の酸化物結晶部材を形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第1の酸化物結晶部材と第2の酸化物結晶部材がc軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の同軸(アキシャル)成長をさせていることである。
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スパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにトランジスタ
【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属酸化物の焼結体を含み、その金属酸化物の焼結体の含有水素濃度が、たとえば、1×1016atoms/cm3未満と低いスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することで、H2Oに代表される水素原子を含む化合物、もしくは水素原子等の不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を成膜する。また、この酸化物半導体膜をトランジスタの活性層として適用する。
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半導体装置及び半導体装置の作製方法
【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型(トップゲート構造)の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高い金属酸化物層をバッファ層として意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。
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薄膜電気デバイスを製造するシステム及び方法
薄膜電気デバイスを基板上に製造するシステムを使用する方法が一実施例により与えられる。本システムはチャンバ及び気体ゲートを含む。チャンバはその中に集積装置を含む。集積装置はチャンバ内にて基板の一部分を集めるべく構成される。気体ゲートは、チャンバの圧力領域と第2圧力領域との流体連通を与える。
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酸化物半導体材料及びその製造方法、電子デバイス及び電界効果トランジスタ
【課題】 実用に耐え得る酸化物半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ等の電子デバイス、及び酸化物半導体材料の製造方法を提供する。
【解決手段】 この酸化物半導体材料の製造方法では、Zn及びSnを含有する酸化物ターゲットを用意し、基板をチャンバ内に配置し、酸化物ターゲットをチャンバ内に配置する。酸化物ターゲットを希ガスでスパッタすることによりターゲット材料を基板上に堆積する。この酸化物半導体材料は、Inを含有せず、且つ、電子キャリア濃度が1×1015/cm3より大きく1×1018/cm3未満となるようにする。スパッタ時においては、酸化物ターゲットと同時にスパッタされる位置に、ドーパント材料を更に配置することが好ましい。
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