【課題】良好な半導体特性を有する酸化物半導体膜の形成方法を提供する。さらに、該酸化物半導体膜を適用し、良好な電気特性を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に接して設けられた水素透過膜を形成し、水素透過膜上に接して設けられた水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行うことで、前記酸化物半導体膜から水素を脱離させる酸化物半導体膜の形成方法である。また、該形成方法を用いて作製する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】より安定した電気的特性の酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜を提供する。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜において、当該酸化物半導体膜は、ａ−ｂ面が酸化物半導体膜表面に概略平行である六方晶の結晶構造と、ａ−ｂ面が該酸化物半導体膜表面に概略平行である菱面体晶の結晶構造と、を有する酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性は、基板内、基板間およびロット間において、ばらつきが大きく、熱、バイアスまたは光などの影響で変動が起こる場合がある。そこで、信頼性が高く、電気特性のばらつきの小さい酸化物半導体を用いた半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、膜中および膜と膜との界面の水素を排除する。膜と膜との界面の水素を排除するためには、成膜と成膜との間で、基板を真空下で搬送する。また、大気暴露された表面を持つ基板は、熱処理またはプラズマ処理によって、表面の水素を除去する。 （もっと読む）

【課題】信頼性および再現性が優れるとともに、歩留まりが高く生産性が優れた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極を覆って基板上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第２の絶縁膜を形成して、第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜からなる積層体を得る工程と、積層体の第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜をパターニングして、それぞれゲート絶縁層、活性層およびチャネル保護層を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有する。第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜は、大気に曝されることなく連続して形成される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属酸化物の焼結体を含み、その金属酸化物の焼結体の含有水素濃度が、たとえば、１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満と低いスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することで、Ｈ_２Ｏに代表される水素原子を含む化合物、もしくは水素原子等の不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を成膜する。また、この酸化物半導体膜をトランジスタの活性層として適用する。 （もっと読む）

【課題】高度の結晶性を有し、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ素子等を得る。
【解決手段】サファイア基板上にシード層としてスパッター法で堆積されたＡｌＮ結晶膜を有し、該シード層上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、該シード層のＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が０．１原子％以上５原子％以下であり、ＡｌＮ結晶膜は結晶粒界の間隔が２００ｎｍ以上であり、かつ最終ｐ型半導体層であるｐ−コンタクト層のロッキングカーブ半値幅が（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ６０arcsec以下および２５０arcsec以下であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造歩留まりを低下させるドロップレットは発生を低減し、同時に良好な結晶性を有する化合物エピタキシャル層の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上に化合物エピタキシャル層を形成する方法であって、（ａ）前記ＺｎＯ基板の成長面が、｛０００１｝面となす角度が１０°以上であり、（ｂ）化合物エピタキシャル層を形成するための元素の全て、または一部を、基板上の成長面に間欠的に供給し、その際に、間欠的な供給シーケンスにおける任意の供給継続時間Ｔｏｎ（ｓｅｃ）と、次の元素供給までの供給休止時間Ｔｏｆｆ（ｓｅｃ）が、
１×１０^−６ ｓｅｃ ≦ Ｔｏｆｆ ≦ １×１０^−２ ｓｅｃ
１×１０^−６ ｓｅｃ ≦ Ｔｏｎ ≦ １×１０^−２ ｓｅｃ
を満たすように供給して結晶成長する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高いシリコン層を形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、シリコンの結晶粒を含むシリコン層を備える基板の製造方法である。この製造方法は、Ｙ₂Ｏ₃の含有率が６モル％以上であるイットリア安定化ジルコニア層１２を基材１１上に形成する第１の工程と、イットリア安定化ジルコニア層１２上に気相堆積法によってシリコン薄膜１６を形成する第２の工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層を形成できる製造装置を提供する。
【解決手段】基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、チャンバ４１と、チャンバ４１内に配置されたＩＩＩ族元素を含有するターゲット４７と、ターゲット４７をスパッタして原料粒子を基板１１に供給する第１プラズマを発生させる第１プラズマ発生手段５１と、窒素元素を含む第２プラズマを発生させる第２プラズマ発生手段５２と、第１プラズマ発生手段５１と第２プラズマ発生手段５２とを制御して、チャンバ４１内に第１プラズマと第２プラズマとを交互に発生させる制御手段とを備えるＩＩＩ族窒化物半導体層の製造装置とする。 （もっと読む）

本発明は、例えば電流閉じ込め層として機能する、Ｉｎ含有量量がゼロではないＡｌＩｎＮ層（７）を有するIII−窒化物複合デバイスに関する。ＡｌＩｎＮ層（７）は、その内部に規定される少なくとも１つの開口部を有する。ＡｌＩｎＮ層（７）は、その下にあるＧａＮ層などに対する格子不整合が少ないように成長され、その結果、デバイス内の付加的な結晶ひずみを抑制する。最適化された成長条件を用いて、ＡｌＩｎＮの抵抗率を１０^２Ω．ｃｍよりも高くする。その結果、より小さな抵抗率を有する層を、多層半導体デバイス内の電流ブロック層として用いるときに生じる電流の流れが、抑制される。結果として、ＡｌＩｎＮ層が開口部を有し、レーザーダイオードデバイス内に配置されると、デバイスの抵抗率は相対的に低くなり、デバイスの性能が向上する。
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有機気相堆積を利用した、有機感光デバイス、ヘテロ接合、および膜のためのバルク有機結晶層を成長させる方法と、そのようなヘテロ接合を使用したデバイスとが開示される。また、ヘテロ接合および有機感光デバイスを製造する新しい方法と、それによって製造されたヘテロ接合およびデバイスとが開示される。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系基板中に含まれるＬｉの、基板上方に形成された半導体層中への拡散が抑制されたＺｎＯ系半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、Ｌｉを含むＺｎＯ系基板１と、その上方に形成されＬｉの拡散を抑制するジンクシリケート層３とを有する。このジンクシリケート層を介して、ｎ型ＺｎＯ層１１、ＺｎＯ井戸層とＺｎＭｇＯ障壁層からなる量子井戸構造を有する発光層１２、及びｐ型ＺｎＯ層１３がＺｎＯ系基板に対してエピタキシャル成長される。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記膜および前記基板表面の境界近傍であって、前記膜の周縁部と前記基板表面とが接する部分を含む領域を成長促進領域として、前記基板表面に成長原料を導き、少なくとも前記成長促進領域上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

光源はシリコンとフッ化カルシウム（ＣａＦ_２）の組合せをベースとしている。シリコン及びフッ化カルシウムは純粋である必要はなく、それらの電気的特性及び／又は物理的特性を制御するためにドープされてもアロイ化されてもよい。本光源は、例えば多層構造として配置されるシリコンとフッ化カルシウムの交互配置部を使用し、近赤外スペクトル領域の光を放射するように伝導帯のサブバンド間遷移を使用して動作することが好ましい。本光源は、量子カスケードレーザ、リング共振器レーザ、導波路型光増幅器を形成するように構成することができる。
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【課題】 結晶性の良好なＺｎＯ薄膜を低温で、特に加熱することなく室温で、形成させる方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に４００℃未満の温度で結晶性酸化亜鉛薄膜を形成させる方法であって、該基板上に表面が主に（１１１）格子面となる結晶性緩衝層を設けた後、該緩衝層の上に酸化亜鉛薄膜を気相法により堆積させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】 複雑な工程を必要としない、また、転位を低減するために厚い膜を形成する必要のない窒化物半導体の転位低減方法を提供する。
【解決手段】 オフ角度αが0.5°以上の微傾斜基板１を用い、その上に、分子線エピタキシャル成長（MBE）法、有機金属気相成長（MOCVD）法、ハイドライド気相成長（HVPE）法などを用いてバッファ層となる窒化物半導体膜２を成長させ、その上に窒化物半導体膜３を成長させる。オフ角度αをある程度大きくして、成長する薄膜の表面に多原子層高さのマクロステップが形成されるようにする。 （もっと読む）