説明

Fターム[5F103RR05]の内容

Fターム[5F103RR05]に分類される特許

1 - 20 / 192


【課題】酸素欠損の発生を抑制する。
【解決手段】ガリウム(Ga)若しくはスズ(Sn)の一部又は全部の代わりにゲルマニウム(Ge)を用いて酸化物半導体膜を構成する。ゲルマニウム(Ge)原子は、酸素(Ge)原子との結合の少なくとも一つの結合エネルギーがガリウム(Ga)又はスズ(Sn)の場合よりも高い。このため、ゲルマニウム(Ge)を用いて構成される酸化物半導体結晶において、酸素欠損が発生しにくい。このことから、ゲルマニウム(Ge)を用いて酸化物半導体膜を構成することにより、酸素欠損の発生の抑制を図る。 (もっと読む)


【課題】p型ZnO系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体層の製造方法は、(a)下地層上方に、Zn、必要に応じてMg、O、N、及びTeを供給して、NとTeが共ドープされたMgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜を形成する工程と(b)MgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜上に、Zn及びMgの少なくとも一方、Te、及びNを供給して、NがドープされたMgZn1−yTe(0≦y≦1)単結晶膜を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが5nm以下の第1の領域において、シリコンの濃度が1.0原子%以下であり、酸化物半導体膜の第1の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第1の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第1の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物の半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタであって、各種センサに利用して新しいセンサを作製できる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタ1は、非晶質酸化物の半導体薄膜2とドレイン電極3とソース電極4とゲート電極5を備え、ゲート電極5に印加されるゲート電圧に応じて半導体薄膜2にチャネル層が形成されて、ドレイン電極3とソース電極4の間にドレイン・ソース間電流が流れ得るものであって、非晶質酸化物は、弱く結合してバンドギャップ内に欠陥準位を生成する過剰酸素が含まれている。 (もっと読む)


【課題】ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造およびその作製方法を提供する。トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する構成およびその作製方法を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてインジウム、ガリウム、亜鉛、及び酸素の4元素を少なくとも含み、該4元素の組成比を原子百分率で表したとき、インジウムの割合が、ガリウムの割合及び亜鉛の割合の2倍以上である酸化物半導体層を用いる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】インジウム、チタン、及び亜鉛を含む酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタ、及び該トランジスタを含む半導体装置を提供する。酸化物半導体層に接するバッファ層としては、チタン、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む金属酸化層を適用することができる。 (もっと読む)


【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてエネルギーギャップの異なる少なくとも2層の酸化物半導体層を含み、かつ積層された酸化物半導体層の間に混合領域を有する酸化物半導体積層を用いる。 (もっと読む)


【課題】 光電変換効率の高い半導体層およびそれを用いた光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 半導体層の製造方法は、金属元素を含む皮膜を、カルコゲン蒸気を含む第1の雰囲気において加熱した後、カルコゲン化水素を含む第2の雰囲気において加熱することによって、金属カルコゲナイドを含む半導体層にすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】金属薄膜の一部または全部を酸化させた第1の層と酸化物半導体層の積層を
用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導
体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その絶縁層の形成時
に酸化物半導体層の積層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層を形成する。 (もっと読む)


【課題】ポアの発生を抑制することにより良好な特性を持った有機膜を得る。
【解決手段】図1(c)に示されるように、弾性膜20は、積層構造10の間に空隙を形成することなしに密着した状態となる。すなわち、積層構造10がこの弾性膜(封止層)20で封止された状態となる(封止層形成工程)。図1(a)の状態ではパターニングされた有機膜12の端部が露出しているが、この端部も弾性膜20で封止される。次に、図1(d)に示されるように、図1(c)の構成をそのまま冷間静水圧加圧装置50中に入れ、加圧する(加圧工程)。 (もっと読む)


【課題】 ミスフィット転位の発生を抑制しつつ、量子ドットからの発光波長を長波長化することができる半導体装置の製造技術が望まれている。
【解決手段】 チャンバ内に単結晶基板を装填し、単結晶基板上に、分子線エピタキシにより、In及びAsを含む量子ドットを形成する。チャンバ内で、量子ドットに、少なくともAs分子線を照射しながら第1アニールを行う。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質In23と、結晶質Ga2ZnO4とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Znの原子濃度比を1とした場合に、Inの原子濃度比が0.4以上1.8以下であり、かつ、Gaの原子濃度比が0.4以上1.8以下の導電性酸化物とし、In−Ga−Zn−O酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。 (もっと読む)


【課題】高い電界効果移動度を有する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】希ガス及び水分子を含有する混合気体雰囲気下で酸化物半導体材料を成膜してなるチャネル層を備える薄膜トランジスタであって、前記酸化物半導体材料がIn原子及びZn原子を含む酸化物であり、原子比Zn/(In+Zn)が10原子%以上20原子%未満である薄膜トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】高い光電変換効率を有するCZTS系薄膜太陽電池を製造するための方法を提供する。
【解決手段】CZTS系薄膜太陽電池は、基板(1)上に金属裏面電極層(2)を形成し、金属裏面電極層(2)上に、少なくともCu、Zn、Snを含む金属プリカーサ膜を形成し、金属プリカーサ膜が形成された基板(1)をセレン含有ガスで充填された炉内で熱処理することにより、金属プリカーサ膜をセレン化し、セレン化後炉内に硫黄又は硫化物を含むガスを導入してセレン化された金属プリカーサ膜を硫化することにより、セレンおよび硫黄を含むp型CZTS系光吸収層(3)を形成し、このp型CZTS系光吸収層(3)上にn型透明導電膜(5)を形成することによって、製造される。 (もっと読む)


【課題】任意の基板上に形成でき良好な結晶性を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記第1層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。前記機能層は、前記第1層の上に形成され、窒化物半導体を含む。 (もっと読む)


【課題】高温で動作可能な高電子移動度トランジスタを提供する。
【解決手段】バッファ層16と、バッファ層16上のIII−V族層18と、III−V族層18上のソース接点20およびドレイン接点22と、III−V族層18上で、ソース接点20およびドレイン接点22間の再成長ショットキー層10と、成長ショットキー層10上のゲート接点24、を備える装置、および装置を用いたシステムを含む。さらに、装置とシステムの製造方法も含む。 (もっと読む)


【課題】粉末ターゲットを用いて、酸素の含有率の少ない高品質なシリコン薄膜を高速で成膜することができるスパッタリング方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スパッタ成膜を行う前段階に、ターゲット材料8近傍に設置した高融点金属フィラメント14を加熱することで、真空チャンバ1内に導入したガスを分解し活性種を生成する。この活性種を用いて、ターゲット材料8表面の酸化膜の還元や真空チャンバ壁及び部材についた堆積膜の除去を行うことで、スパッタ成膜中の酸素量を低減させ、高品質なシリコン薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層の表面の酸素欠陥の形成が防止されて、酸素欠陥に起因したキャリアの生成が低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】本明細書に開示する半導体装置は、絶縁体基板11と、絶縁体基板11上に配置されたチャネル層15と、チャネル層15上に間隔をあけて配置されたソース電極16及びドレイン電極17と、ソース電極16とドレイン電極17との間のチャネル層15上に配置されたゲート絶縁体層18と、ゲート絶縁体層18上に配置されたゲート電極19と、を備え、チャネル層15は、亜鉛を含む酸化物半導体層13と、酸化物半導体層13の一方の面に積層された亜鉛を含む酸化物絶縁体層12と、を有する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を備えた配線構造のスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特にストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板上に少なくとも、ゲート絶縁膜、及び酸化物半導体層を有し、前記酸化物半導体層は、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素(Z群元素)から構成される第1の酸化物半導体層、並びに、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と、Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、WおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素(Y群元素)を含む第2の酸化物半導体層を有する積層体であると共に、前記第2の酸化物半導体層は、前記第1の酸化物半導体層と前記ゲート絶縁膜との間に形成されている。 (もっと読む)


【課題】電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供する。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム(In)、ガリウム(Ga)、及び亜鉛(Zn)を含む酸化物半導体膜において、酸化物半導体膜は、酸化物半導体膜の被形成面の法線ベクトルに平行な方向に揃うc軸配向した結晶領域を有し、c軸配向した結晶領域の組成が、In1+δGa1−δ(ZnO)(ただし、0<δ<1、m=1〜3)で表され、c軸配向した結晶領域を含む全体の酸化物半導体膜の組成が、InGa(ZnO)(ただし、0<x<2、0<y<2、m=1〜3)である。 (もっと読む)


1 - 20 / 192