【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_１〜Ｘ_４の組み合わせおよび／またはＸ_５〜Ｘ_８の組み合わせより選ばれる隣接する２個の置換基が互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよく、Ｒ_１およびＲ_２はそれぞれ独立して、水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０または１を表すが、同時に０を表すことはない） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａはチエノチオフェン環を表し、環Ｂおよび環Ｃはそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｚ_１およびＺ_２はそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、あるいはＮ−Ｒ（Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す）を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０または１を表す］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａはチエノチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のチオフェン環を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜、特に、前駆体から熱変換され形成される酸化物半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造方法において、半導体特性の向上およびその安定性が向上した生産効率の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基体３１０上に、ゲート電極３０２、ゲート絶縁膜３０３、酸化物半導体薄膜３０６を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜３０３が大気圧プラズマ法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｒ_１およびＲ_２はそれぞれ独立に、置換エチニル基を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】チャネルが形成される第１半導体層とソース電極層及びドレイン電極層が接する界面のコンタクト抵抗が高くなる一因は、ソース電極層及びドレイン電極層となる金属材料の表面がゴミや不純物によって汚染され、電気抵抗が高い皮膜が形成される現象である。そこで、皮膜の形成から表面が保護されたソース電極層及びドレイン電極層と第１半導体層が接する半導体装置及びその作成方法を提供する。
【解決手段】成膜後の導電膜を大気にさらすことなく、導電膜上に連続して第１半導体層以下の導電率を有する第２半導体膜を含む保護膜を積層し、当該積層膜をソース電極層及びドレイン電極層に形成し、ソース電極層及びドレイン電極層が第２半導体膜を介して第１半導体層に接する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を発現し且つ安定性及び溶媒に対する溶解性に優れる有機半導体材料を提供する。また、高い移動度を有する有機半導体薄膜、及び、電子特性の優れた有機半導体素子を提供する。
【解決手段】ソース・ドレイン電極を形成したシリコン基板上に、２−（ジメチルペンチルシリル）ペンタセンのテトラリン溶液を塗布し乾燥することにより、２−（ジメチルペンチルシリル）ペンタセン薄膜を形成し、トランジスタ構造とした。 （もっと読む）

【課題】低温化されたプロセス温度で製造でき、かつ、キャリア移動度や電流オン・オフ比の高い薄膜トランジスタを実現することができる金属酸化物半導体とその製造方法、及び当該金属酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板３０１上に形成された金属酸化物半導体３０６であって、界面活性剤を含有する金属酸化物前駆体の膜３０６’を転化することにより作製されたことを特徴とする金属酸化物半導体３０６。 （もっと読む）

【課題】本発明はフラーレン誘導体及びこれを用いた有機電子デバイスに関する。
【解決手段】本発明は、芳香族縮合環化合物が導入された新規のフラーレン（ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ）誘導体を提供し、これを有機電子デバイスの材料として用いることで、電気的特性に優れた有機電子デバイスを提供する。詳細には、本発明の芳香族縮合環化合物が導入された新規のフラーレン（ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ）誘導体は、有機溶媒に対する溶解度に優れており、電気化学的に電子の移動度が高く、ＬＵＭＯエネルギーレベルが高く、開放電圧（Ｖｏｃ）に優れている。そのため、エネルギー変換効率が改善された有機太陽電池の材料として用いたり有機薄膜トランジスタなどの有機電子デバイス用に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】塗布法や印刷法などによって簡便に成膜することができ、有機トランジスタ用絶縁体材料に求められる低表面エネルギー、高誘電率、良絶縁性、良表面平坦性などの特徴を有する優れた有機絶縁体材料を提供し、これを適用することで、低閾値電圧、高電界効果移動度の有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁体層及び有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタであって、該絶縁体層が、鎖状炭化水素基含有アルコキシシランとテトラアルコキシシランとを共加水分解・縮重合して、あるいは、鎖状炭化水素基含有アルコキシシランを加水分解・縮重合して得られる両親媒性オリゴマーを、薄膜成膜して得られるシリカ系有機無機ハイブリッド膜であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを備える装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体層をゲート電極によって遮光したボトムゲート型薄膜トランジスタのオフ電流を低減する。
【解決手段】ゲート電極層と、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に接して設けられた前記第１の半導体層よりもキャリア移動度が低い第２の半導体層と、前記ゲート電極層と前記第１の半導体層との間に接して設けられたゲート絶縁層と、前記第２の半導体層に接して設けられた第１の不純物半導体層と、前記第１の不純物半導体層及び前記第１及び第２の半導体層に一部が接して設けられた第２の不純物半導体層と、前記第２の不純物半導体層上に全面に接して設けられたソース電極及びドレイン電極層と、を有し、前記第１の半導体層のゲート電極層側は全面が前記ゲート電極層と重畳している薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに用いるのに好適な酸化物半導体の提供を目的の一とする。又は、それを用いた半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層は、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表される非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む構造を有する。 （もっと読む）

【課題】共平面性の高い繰り返し単位を有する可溶性ポリチオフェン誘導体を提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）または式（ＩＩ）で示される構造を有する可溶性ポリチオフェン誘導体（式中、Ｒは水素、アルキル基、ヒドロキシル基、ハロゲン、シアノ基（−ＣＮ）、ニトロ基（−ＮＯ₂）、アミノ基、置換されたまたは置換されていない芳香族基、置換されたまたは置換されていない複素芳香族基である。Ａｒは、置換されたまたは置換されていないチアジアゾロキノキサリン、チエノピラジン、キノキサリン、またはジケトピロロロピロロールジケトピロロピロールから誘導される基である。ｍは２〜１００、ｎは１〜１００である。）。
（もっと読む）

【課題】既知のＴＦＴの性能を改良する。
【解決手段】半導体層が、式（Ｉ）または式（ＩＩ）：


（式中、Ｍは、三価の金属原子でり、ｍは、０〜６の整数であり、Ｒは、独立に、ハロゲン、アルキル、置換アルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、フェノキシ、フェニルチオ、アリール、置換アリール、ヘテロアリール、かつＸは、ハロゲン原子である。） （もっと読む）

【課題】Ｉon／Ｉoffを減少させることなく、有機半導体層とソース・ドレイン電極との接触抵抗を低減することを可能にする。
【解決手段】表面が絶縁性を有する基板１１の表面上に形成されたゲート電極１２と、前記基板１１上に形成されていて前記ゲート電極１２を被覆する有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１３と、前記ゲート絶縁膜１３上に離間して形成されていて少なくとも表面が触媒金属からなるソース・ドレイン電極１４、１５と、前記ソース・ドレイン電極１４、１５の表面に形成された炭素薄膜１６、１７と、前記ゲート絶縁膜１３上に形成されていて前記炭素薄膜１６、１７が形成された前記ソース・ドレイン電極１４、１５を被覆する有機半導体層１８を有する有機半導体装置１である。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_１０とＸ_１１は互いに結合して置換または未置換の１位と８位で縮環したナフタレン環を形成していてもよく、Ｒ_１およびＲ_２はそれぞれ独立に、置換エチニル基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】下式で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_１６は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_１とＸ_２、あるいはＸ_３とＸ_４の少なくとも一方の組み合わせにおいて、互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）