【課題】溶液処理可能であり及び／又は周囲環境条件でよい安定性を示す小分子チオフェン化合物を備える装置を提供する。
【解決手段】多くの電極と接触している半導体層を備える電子装置であって、前記半導体層は、少なくとも1個の二価結合、及び、複数のチオフェン単位から成る小分子チオフェン化合物を含む。小分子チオフェン化合物は、化合物が、特定数(平均値でない)のチオフェン単位を持ち、少なくとも約90質量％、又は少なくとも約98質量％の純度を有する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体材料として使用できるアザペリレン化合物の提供。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されるアザペリレン化合物。


（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、Ｈ、非置換又は置換されているアルキル、非置換又は置換されているアルケニル、非置換又は置換されているアルキニル、非置換又は置換されているアリール、ハロゲン、Ｓi（ＲＨ）₃、ＸＲ６から選択されるか、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４の一つ以上が、それらが結合する炭素原子と一緒になって、飽和又は不飽和の、非置換又は置換されている炭素環又は複素環を形成する。） （もっと読む）

【課題】グラフェンシートを使い、大電流をオンオフできる電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は基板と、前記基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたグラフェンシートと、前記グラフェンシートの一端に形成されたソース電極と、前記グラフェンシートの他端に形成されたドレイン電極と、前記グラフェンシートに前記ソース領域とドレイン領域との間でゲート電圧を印加するゲート電極と、前記グラフェンシートに前記ソース電極とドレイン電極の間において、前記ソース電極からドレイン電極へのキャリアの流れを横切って形成された、複数の開口部よりなる開口部列と、を備え、前記各々の開口部では前記グラフェンシートから４個以上の炭素原子が除去されており、前記各々の開口部は、他の炭素原子に結合していない結合手を有する炭素原子を二個以上含む少なくとも５個の炭素原子からなるジグザグ形状の端部により画成されている。 （もっと読む）

【課題】 電荷輸送性や移動度が高く、安定性に優れた有機半導体層、及びＯｎ／Ｏｆｆ比が高い有機電子デバイスを得ること。また、この有機電子デバイスを低コストに製造すること。
【解決手段】 特定構造の有機半導体材料と特定の有機化合物とを含有する有機電子デバイス用組成物を用いる。具体的には、アヌレン構造を有する有機化合物、及び芳香環基とアルキル基がエステル結合、カルボン酸アミド結合、カルボニル結合又はフェニルエステル結合している有機化合物を含有することを特徴とする有機電子デバイス用組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度、空気安定性および良好な溶解性を示す半導体化合物の提供。
【解決手段】下式に代表される化合物：
（もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】低温条件下かつ溶液塗布プロセスにより形成可能であり、薄膜トランジスタにおける電気特性であるヒステリシス、Ｏｎ/Ｏｆｆ比が良好な薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜及び該絶縁膜を備えた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】必須成分として（Ａ）アルケニル基を有する化合物、（Ｂ）ＳｉＨ基を有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒を含有する硬化性組成物を低温条件下によるポストベイクしたゲート絶縁膜を用いることにより、良好なトランジスタ特性が発現する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を示し、高い電流オン／オフ比を示す薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、下式のポリチオフェンとカーボンナノチューブとを含む半導体層を有する。


式中、Ａは、二価の結合であり；各Ｒは、水素、アルキル、アルケニル等から選択され；ｎは、２〜約５，０００である。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物を利用した新規な画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アクティブマトリックス型の画像表示装置において、光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタの活性層１２として、非晶質酸化物を用いる。アクティブマトリックス型の画像表示装置であって、光制御素子と、光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備え、電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満の非晶質酸化物である。 （もっと読む）

【課題】赤外光及び可視光に対する感度の高い光電変換素子を提供する。
【解決手段】第１のゲート電極と、第１のゲート電極を覆う第１のゲート絶縁層と、第１のゲート絶縁層上の結晶性半導体層と、結晶性半導体層上の非晶質半導体層と、非晶質半導体層上の不純物半導体層と、不純物半導体層に接するソース電極及びドレイン電極と、少なくともソース電極及びドレイン電極の間を覆う第２のゲート絶縁層と、第２のゲート絶縁層上の第２のゲート電極と、を有し、少なくともソース電極とドレイン電極の間に受光部が設けられ、第１のゲート電極は遮光性材料により結晶性半導体層及び非晶質半導体層のすべてと重畳し、第２のゲート電極は透光性材料により受光部と重畳し、第１のゲート電極は、ソース電極またはドレイン電極に電気的に接続されている光電変換素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性に優れ、電気特性、特にリーク電流の少ない結晶性シリコン薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】 ソース電極およびドレイン電極上に非晶質シリコン層を形成し、その上に微結晶シリコン層、ゲート絶縁層、ゲート電極を形成する薄膜トランジスタであって、前記非晶質シリコン層と前記ソース電極とドレイン電極とが前記微結晶シリコン層を介して接続する領域と、前記非晶質シリコン層と前記ソース電極およびドレイン電極と直接接続する領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率かつ絶縁性に優れた薄膜を与え得る硬化性組成物に関するものであり、さらに当該組成物を用いて形成した薄膜をゲート絶縁膜として適用し、良好な特性を示す薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】Ａ）ポリシロキサン系樹脂、Ｂ）有機金属化合物、Ｃ）有機溶剤を必須成分として含有し、有機金属化合物の含有率がポリシロキサン系樹脂に対して１０〜８０重量％である硬化性組成物により達成でき、該組成物からなる膜をゲート絶縁膜として用いた薄膜トランジスタは良好な特性を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯ_Ｘ膜と、ＳｉＯ_Ｘ膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】電気特性の優れたトランジスタを作製する。
【解決手段】基板上に酸化物絶縁膜を形成し、該酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜に含まれる水素を除去させつつ、酸化物絶縁膜に含まれる酸素の一部を脱離させる温度で加熱した後、該加熱された酸化物半導体膜を所定の形状にエッチングして島状の酸化物半導体膜を形成し、島状の酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、該一対の電極及び島状の酸化物半導膜上にゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、上下をゲート電極で挟んだ酸化物半導体を用いた薄膜トランジス
タで構成する。同一基板上に画素部及び駆動回路を設けることによって製造コストを低減
する。 （もっと読む）

【課題】ナノ分散物を大量に製造することが可能なプロセスを提供する。
【解決手段】液体および溶質を含む組成物を加熱することにより溶質を溶解し、この加熱された溶液を、溶液を受け入れる第１端と、超音波熱交換器を通過する流路と、生成物流を放出する第２端とを備える、連続した管状流路に通し、前記加熱溶液に対して超音波を照射すると同時に冷却する処理を行うことにより、液体中にナノメートルサイズの粒子を含む生成物流を生成させる、ナノ分散物を製造するための、スケールアップが可能な連続プロセス。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に下式等で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。


〔式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｙ_１およびＹ_２はそれぞれ独立に、酸素原子または硫黄原子を表す〕 （もっと読む）

【課題】合成することが容易であって、高い電荷移動度、良好な製造性および酸化安定性を有する、半導体または電荷運搬材料として用いるための改善された材料を提供する。
【解決手段】下式


（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝状の１〜２０の炭素原子を有する、アルキル、アルコキシ、アルケニル、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、アルキルチオ、アルキルチオアルキル、アルコキシアルキル、アルキルスルフィニルまたはアルキルスルホニル、または１〜２０の炭素原子を有するアルキル基を含むアルキルアリールまたはアリールアルキルであり、ｎは、１よりも大きい整数である）で表される、3,3"-二置換ポリ-2,2':5',2''-テルチオフェンの半導体または電荷運搬材料としての使用。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を介在させて基板同士を貼り合わせることで、一方の基板上に形成された半導体層を他方の基板に形成できると共に、この際に当該半導体層の結晶構造を損傷させることなく、高品質な結晶構造を維持したまま簡単に製造できる半導体基板、電界効果トランジスタ、集積回路、及び半導体基板の製造方法を提案する。
【解決手段】MISFET1では、InP基板12上のIII-V族化合物半導体層7に、ALD法を用いて表面が平坦な酸化膜6を形成するようにしたことで、当該酸化膜6とSi基板2とを常温において貼り合わせるだけで、これら酸化膜6とSi基板2とを強固に接合でき、かくして一方のInP基板12上に形成されたIII-V族化合物半導体層7を他方のSi基板2に形成できると共に、III-V族化合物半導体層7の結晶構造を損傷させることなく高品質に維持したまま簡単に製造できる。 （もっと読む）