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Fターム[5F110AA05]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | 目的 (20,107) | ON/OFF比向上 (3,105)

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【課題】 オンオフ比が改善され、閾値電圧が低い電界効果型有機トランジスタを提供する。
【解決手段】 ソース電極15、ドレイン電極14、ゲート電極12、ゲート絶縁層13及び有機半導体層16を有する電界効果型有機トランジスタであって、該有機半導体層16が有機半導体化合物と、イオンと結合または包接可能な化合物とを含有する電界効果型有機トランジスタ。前記化合物が、クラウンエーテル化合物、アルミナ化合物、ケイ素化合物、チタン化合物である。前記有機半導体化合物は共役高分子化合物である。 (もっと読む)


【課題】 オンオフ比が改善され、閾値電圧が低い、長期的に安定な特性を有する電界効果型有機トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 ソース電極15、ドレイン電極14、ゲート電極12、ゲート絶縁層13及び有機半導体層16を有する電界効果型有機トランジスタの製造方法であって、該有機半導体層16を形成する工程が、350℃以下の融点を有する有機半導体を液相プロセスで成膜した後に室温または室温以上の温度から室温より低い温度T1 に冷却する第1工程、次いで温度T1 から室温まで昇温する第2工程を含む電界効果型有機トランジスタの製造方法。 (もっと読む)


【課題】 オンオフ比が改善され、閾値電圧が低く、有機半導体の高度な精製法を必要としない為に低コストの電界効果型有機トランジスタを提供する。
【解決手段】 ソース電極14、ドレイン電極15、ゲート電極12、ゲート絶縁層13及び有機半導体層16を有する電界効果型有機トランジスタであって、該有機半導体層16にチャネルを形成する領域から不純物を排除する不純物排除部材18が配置される電界効果型有機トランジスタ。不純物排除部材が有機半導体層の中に又は有機半導体層に接して配置されている。不純物排除部材は導電性を有する部材で、ソース電極あるいはドレイン電極と同じ部材であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】優れた特性を有するボトムゲート/ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタは、支持体11上に形成されたゲート電極12、支持体11及びゲート電極12上に形成されたゲート絶縁層13、ソース/ドレイン電極15、並びに、ソース/ドレイン電極15間に位置するゲート絶縁層13の部分の上及びソース/ドレイン電極15の上に形成された半導体層16から成り、ソース/ドレイン電極15は、ゲート絶縁層内13に埋め込まれている。 (もっと読む)


【課題】 p型半導体特性を有するオリゴチオフェンと、電子親和力の大きい、すなわち、n型半導体特性を示す複素芳香族環とを交互に高分子の主鎖に含むことにより、p型とn型の電気的特性を同時に示す有機半導体高分子を提供する。
【解決手段】 式(1)で表わされるポリ(オリゴチオフェン−アリーレン)誘導体。


1は水素、ヒドロキシ基、炭素数1〜20の直鎖状、分枝状または環状アルキル基、炭素数1〜20のアルコキシアルキル基、または炭素数1〜16の直鎖状、分枝状または環状アルコキシ基であり、Arは電子求引性イミン窒素原子を少なくとも1つ以上含む複素芳香族環またはその複素芳香族環を含むチオフェンアリーレンであり、xは3〜12、yは1〜4(但し、x>y)、nは4〜200の整数である。 (もっと読む)


【課題】 パリレンなどの特殊な保護材料を用いず、一般的な有機半導体層やフォトレジストに適用でき、パターニングによる有機半導体層の性能低下を抑制できる、有機半導体層のパターニング方法及び有機半導体装置の製造方法を提供し、更にこの方法に基づいて作製された有機半導体パターン及び有機半導体装置、並びに表示装置を提供すること。
【解決手段】 基板1の上に有機半導体層2を蒸着や塗布によって形成する。その上に、窒化ケイ素などの絶縁性無機化合物又はポリビニルアルコールなどの親水性有機高分子化合物からなる保護層3を、CVD法や水溶液の塗布によって形成する。その上にフォトレジスト層4を塗布によって形成し、これをパターニングしてマスク層5を形成する。マスク層5をマスクとして、保護層3と有機半導体層2をパターニングして、有機半導体パターン7を得る。パターニング終了後もマスク層5は保護層として残す。 (もっと読む)


【課題】 薄膜トランジスタ用途に有用な有機TFT材料を分子設計し、得られた有機TFT材料を用いて、キャリア移動度が高く、且つ高耐久性を併せ持つ有機TFTを提供することであり、更には該有機TFTを用いた電界効果トランジスタ、該有機TFTまたは該電界効果トランジスタを有するスイッチング素子を提供することである。
【解決手段】 4位及び5位に置換基を有するチオフェン環を両末端に有し、それぞれがその2位で複素芳香環を含む共役系をもって結合する化合物を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ材料。 (もっと読む)


【課題】 溶液処理可能でありよい安定性を示す小分子チオフェン化合物を備える装置の提供。
【解決手段】 多くの電極と接触している半導体層を備える電子装置であって、前記半導体層は:少なくとも1個の二価結合;及び、複数のチオフェン単位から成る小分子チオフェン化合物を含み、各チオフェン単位は構造(A):


で表され、チオフェン単位の数は少なくとも6である装置。 (もっと読む)


【課題】従来の技術による諸問題を解決するための薄膜トランジスター構造及び製作方法を提供する。
【解決手段】基板に1個以上の薄膜トランジスターを製作する方法は、(a)水素ガスで希釈されたシランをもって堆積工程を実行してゲート絶縁膜の上にシリコン膜を形成し、(b)水素ガスを反応ガスとしてプラズマエッチング工程を実行し、(c)ステップ(a)とステップ(b)を1回以上繰り返して界面膜を形成し、(d)界面膜に薄膜トランジスターのアモルファス膜、2枚のドープ半導体膜、ソース電極と、ドレイン電極を順次に形成するなどのステップを含む。 (もっと読む)


【課題】 電界効果トランジスタの製造において、フォトリソグラフィーによって電極を形成するとゲート電極とソース/ドレイン電極間に位置ずれが生じる。
【解決手段】 頂上部のみが分離するように斜面上に活性層と絶縁層を形成する工程と、谷部および前記頂上部に電極を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。 (もっと読む)


【課題】 有用な有機TFT材料を分子設計し、キャリア移動度が高く、ON/OFF特性が良好であり、且つ、高耐久性を併せ持つ有機TFTを提供し、また、それらを用いてスイッチング特性の良好なスイッチング素子を提供する。
【解決手段】 芳香族複素環基を有するアセン誘導体を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ材料。 (もっと読む)


【課題】 移動度の高い新規な有機半導体材料を提供し、該有機半導体材料を用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 分子中に、無置換の芳香族環が連続して5環以上連結した部分構造と、アルキル基又はアルキル基が置換した基を置換基として有する有機基と、を有することを特徴とする有機半導体材料。 (もっと読む)


【課題】 簡便な方法により容易に製造できる電気伝導特性に優れた有機デバイス、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式;Si(A)(A)(A)−B−Si(A)(A)(A)(A〜Aは水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基またはアルキル基であり、脱離反応性についてA〜A>A〜Aの関係を満たす;Bは2価の有機基である)の有機化合物を用いた有機デバイス。上記有機化合物におけるA〜Aを有するシリル基と基板表面とを反応させ、単一単分子膜を形成する工程、未反応の有機化合物を非水系溶媒を用いて洗浄除去する工程、および単分子膜の膜表面側に存在する未反応のシリル基を吸着反応のサイトとして、上記の有機化合物からなる単分子膜を累積させる工程を含む有機デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、容易なプロセスで素子が作製でき、かつ高いトランジスタ特性を示す有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】有機半導体層を有するトランジスタにおいて、前記有機半導体層が、下記一般式(1)で表されるガリウム錯体を含有することを特徴とする有機トランジスタ。
一般式[1]
(L1)nGa(L2)m
(式中L1は、それぞれ独立に、下記一般式[2]で示される配位子を表し、
2は、ハロゲン原子、−OR1(R1は水素原子などである。)または−O−Ga−(L1)nで示される配位子を表し、
nは2もしくは3を表し、nが2の場合mは1、nが3の場合mは0を表す。)
一般式[2]
【化1】


[式中、環A1およびA2は、置換基を有してよい互いに縮合した環構造を表す。] (もっと読む)


【課題】 製造コストをかけることなく、十分な光電流を得ることができる表示装置を提供する。
【解決手段】 表示装置は、各画素TFTごとに2個ずつ設けられる画像取込み用のセンサとを有する。センサ内のフォトダイオードD1,D2を構成するp+領域46とn+領域48の間に、低濃度のp-領域47またはn-領域を形成し、このp-領域47またはn-領域の基板水平方向長さをp+領域46やn+領域48よりも長くするため、p+領域46とn+領域48の間に形成される空乏層53がn-領域に長く伸び、その結果、光電流が増えて光電変換効率がよくなるとともに、S/N比が向上する。 (もっと読む)


本発明は、印刷可能半導体素子を製造するとともに、印刷可能半導体素子を基板表面上に組み立てるための方法及びデバイスを提供する。本発明の方法、デバイス、デバイス部品は、幅広いフレキシブル電子デバイス及び光電子デバイス並びにデバイスの配列を高分子材料を備える基板上に形成することができる。また、本発明は、伸張形態で良好な性能が得られる伸縮可能な半導体構造及び伸縮可能な電子デバイスも提供する。 (もっと読む)


本発明は、有機半導体材料を有する半導体デバイスを形成する方法であって、溶融物を形成するために、有機半導体材料を有する組成物をこの組成物の融点若しくはガラス転移温度に又はそれよりも高い温度に加熱することと、溶融物を組成物の融点又はガラス転移温度よりも低い温度に冷却することとを有し、加熱する前又は加熱中にディウェッティングを抑制及び/又は防止することができる第1の物質若しくは物体が組成物に隣接するか、又は組成物がディウェッティングを抑制及び/又は防止することができる作用物質を更に有する方法を提供する。
(もっと読む)


本発明はトランジスターデバイスのチャネル領域の絶縁基板上に形成される金属薄膜あるいは複合金属層が含まれるデプレッションあるいはエンハンスメントモードの金属トランジスターに関する。

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下記一般式で表される部分構造を持つ化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料、それを用いた有機トランジスタ及び電界効果トランジスタ、及び該有機トランジスタまたは該電界効果トランジスタを用いるスイッチング素子。



(式中、Bはチアゾール環をもつユニットを表し、A,Aはそれぞれ独立にアルキルを置換基として持つユニットを表し、Aは二価の連結基を表し、nは1〜20の整数を表し、n、nはそれぞれ独立に0〜20の整数を表し、nは0〜10の整数を表す。) (もっと読む)


共通のソース電極を共有するアクティブセルとキャパシタとを備える縦型有機電界効果トランジスタ。アクティブセルは、ドレイン電極と共通のソース電極との間に挟まれた半導体層を備える。キャパシタは、ゲート電極と共通のソース電極との間に挟まれた誘電体層を備える。共通のソース電極は、ゲート電極に印加される電位を制御することによってソース電極とドレイン電極との間を流れる電流を制御することを可能にする。

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