【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の結晶性を有する酸化物半導体膜及び第２の結晶性を有する酸化物半導体膜が積層された酸化物半導体積層体を有する縦型トランジスタ及び縦型ダイオードである。当該酸化物半導体積層体は、結晶成長の工程において、酸化物半導体積層体に含まれる電子供与体（ドナー）となる不純物が除去されるため、酸化物半導体積層体は、高純度化され、キャリア密度が低く、真性または実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもバンドギャップが大きい。 （もっと読む）

【課題】半導体層にカーボンナノチューブ複合体を含有する電界効果型トランジスタの移動度およびオンオフ比を向上することのできるカーボンナノチューブ複合体を提供すること。
【解決手段】カーボンナノチューブの表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体であって、前記カーボンナノチューブが半導体性カーボンナノチューブを８０重量％以上含有するカーボンナノチューブ複合体。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】変調回路の消費電力を低減する。
【解決手段】変調回路は、負荷と、スイッチとして機能するトランジスタとを有し、前記トランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有し、前記トランジスタのオフ電流は、１×１０^−１３Ａ以下である。または、変調回路は、負荷と、スイッチとして機能するトランジスタと、ダイオードとを有し、前記負荷、前記トランジスタ、及び前記ダイオードは、アンテナの両端間に直列に接続されており、前記トランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有し、前記トランジスタのオフ電流は、１×１０^−１３Ａ以下である。また、前記トランジスタのゲートに入力される信号により、当該トランジスタの導通・非導通が制御される。また、前記負荷は、抵抗、容量、または抵抗及び容量である。 （もっと読む）

【課題】有機高分子化合物からなる基板上にＣＮＴを含有する半導体層を有する電界効果型トランジスタにおいて、高移動度・高オンオフ比を達成すること。
【解決手段】有機高分子化合物からなる基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する電界効果型トランジスタであって、前記半導体層が表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含有する電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】エッチングによりソース・ドレイン電極を形成しても、有機半導体層が損傷を受けることなく、良好なオン／オフ比を示す有機半導体装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１と、前記基板上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２及び基板１上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成されたｐ型有機半導体層４と、有機半導体層４上に形成された保護層５と、保護層５上に形成されたソース電極８及びドレイン電極９と、を有する半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、信号検出感度が高く、ダイナミックレンジの広い半導体装置を得ることを課題の一つとする。
【解決手段】チャネル形成層としての機能を有し、水素濃度が５×１０^１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下であり、電界が発生していない状態においては、実質的に絶縁体として機能する酸化物半導体を有する薄膜トランジスタを用いてアナログ回路を構成することで、信号検出感度が高く、ダイナミックレンジの広い半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＭＺｎＯ系半導体膜を有する薄膜トランジスタ基板のドレイン電流のＯＮ／ＯＦＦ比を大きくすることができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、ゲート電極１３、ゲート絶縁膜１４、ＩｎＭＺｎＯ（ＭはＧａ，Ａｌ，Ｆｅのうち少なくとも１種）系半導体膜１５、ソース電極１６ｓ及びドレイン電極１６ｄが形成された薄膜トランジスタ基板１の製造方法であって、所定パターンのＩｎＭＺｎＯ系半導体膜１５を形成する工程と、ＩｎＭＺｎＯ系半導体膜１５を覆う少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物及び金属酸窒化物のいずれかからなる保護膜１７を設ける工程と、保護膜１７を覆うアルミニウム、チタン及びモリブデンのいずれかからなる金属膜１８を設ける工程と、金属膜１８を設けた後に熱処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】論理回路の誤作動を防止すること又は消費電力を低減すること。
【解決手段】論理回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体によって構成された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタがオフすることによって、一方の端子の電位が浮遊状態となる容量素子とを有する。当該酸化物半導体は、水素濃度が５×１０^１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下であり、電界が発生していない状態においては、実質的に絶縁体として機能する。そのため、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。これにより、容量素子に蓄積された電荷の薄膜トランジスタを介したリークを抑制することができる。その結果、論理回路の誤動作を防止することができる。また、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することにより、論理回路内に流れる無駄な電流を低減することができる。これにより、論理回路の消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 集積回路内のｆｉｎＦＥＴ構造体のゲート・スタック上のスペーサ／側壁材料に対してフィン上のスペーサ／側壁材料を選択的にエッチングするための選択性を達成するための信頼できるプロセスを提供する。
【解決手段】 フィン及びゲート・スタックの両方の上にスペーサ材料を共形に堆積させ、フィン上に堆積されたスペーサ材料のみに対して損傷を選択的にもたらすように、ゲート・スタックにほぼ平行に傾斜不純物注入を実行することによって、基板上に形成された半導体材料のフィンの一部を覆う、ゲート・スタックの長さに沿って実質的に均一のプロファイルをもつスペーサを有するｆｉｎＦＥＴが提供される。傾斜注入によって引き起こされる損傷のために、フィン上のスペーサ材料を、ゲート・スタック上のスペーサ材料に対して高い選択性を有するようにエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】ポリスチレンを塗布プロセスにより形成し不溶化処理を行うことで、半導体層を塗布プロセスで積層可能なポリスチレンからなる絶縁体層を有し、応答速度（駆動速度）が早く、オン／オフ比が大きい、優れたトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する薄膜トランジスタにおいて、前記絶縁体層が、塗布法により積層された層であって、有機溶媒に対して不溶化したポリスチレンからなる薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】より効率的で、より安全で、かつ／または拡張性の高いベンゾジチオフェン、半導体ポリマを製造する方法を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）の４，８−二置換ベンゾジチオフェン：


式（Ｉ）
（式中、Ｒ_１は、独立に直鎖状アルキル、分枝状アルキル、およびアリールから選択される）を製造する方法であって、ベンゾキノン−ジチオフェンを、少なくとも３５のｐＫａを有し、かつ、式Ｍ−Ｒ_１（式中、Ｍは、ＭｇＸまたはＬｉであり、Ｘはハロゲンであり、Ｒ_１は、アルキル、アリール、またはヘテロアリールである）を有する試薬と反応させる段階と、その結果として生じる中間体を還元して、式（Ｉ）の４，８−二置換ベンゾジチオフェンを形成する段階と、を含む、ベンゾジチオフェンを製造する方法である。 （もっと読む）

【課題】オフ特性、スウィング特性、飽和特性に優れた薄膜トランジスタを備える有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】基板１上に薄膜トランジスタを備える有機ＥＬ表示装置であって、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極２、前記ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３、前記ゲート絶縁膜３上に設けられた第１の半導体膜４、前記第１の半導体膜４上に設けられた第２の半導体膜５、前記第２の半導体膜５上に設けられたバックチャンネル保護絶縁膜７、オーミックコンタクト膜８、ソース・ドレイン電極９とを有し、前記第１の半導体膜４は前記第２の半導体膜５より高い結晶性を有し、前記バックチャンネル保護絶縁膜７は有機絶縁膜もしくは有機・無機ハイブリッド絶縁膜により形成される。 （もっと読む）

【課題】ノイズが低減でき、従来よりも遙かに優れた感度を有する試料中の被検出物質の検出方法を提供する。
【解決手段】基板１と、その基板１の上面に形成した絶縁薄膜２上に、所定の間隔をおいて対向して設けたソース電極３およびドレイン電極４を有するチャネルとを少なくとも備えたセンサーで試料中の被検出物質を検出する方法において、前記チャネルが超微細繊維で構成され、そのチャネル上に前記試料溶液を滴下した後、その試料溶液の溶媒を蒸発させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機半導体材料に有用であるフェニレンビニレン化合物、およびそれを含有しているｎ型トランジスタを提供する。
【解決手段】下記化学式（Ｉ）


（式中、Ｘ^１〜Ｘ^４またはＸ^５〜Ｘ^８のうち２つがシアノ基でその残余とＸ^１〜Ｘ^８とが水素原子若しくは炭化水素基であり、Ｒ^１〜Ｒ^１０のうち、少なくとも１つがパーフルオロアルキル基で、残余が水素原子または炭化水素基である）で表されるフェニレンビニレン化合物。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制できる導電性酸化物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質の導電性酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度が７×１０¹⁹（ａｔｏｍ／ｃｃ）以上であることを特徴とする。インジウムの濃度とガリウムの濃度と亜鉛の濃度との合計の濃度に対するインジウムの濃度の比が０．３以上０．６以下であることが好ましい。導電性酸化物は、スパッタリング法のターゲットに用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(１)で表される少なくとも１種の化合物を含有してなる有機トランジスタ。


（式中、環Ａ〜環Ｄは、それぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表す。） （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上させる。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する駆動回路及び第２の薄膜トランジスタを有する画素を有し、前記第１の薄膜トランジスタは、第１のゲート電極層と、ゲート絶縁層と、第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物導電層及び第２の酸化物導電層と、前記第１の酸化物半導体層の一部に接し、且つ前記第１の酸化物導電層及び前記第２の酸化物導電層の周縁及び側面に接する酸化物絶縁層と、第１のソース電極層と、第１のドレイン電極層と、を有し、前記第２の薄膜トランジスタは、第２のゲート電極層と、第２の酸化物半導体層と、透光性を有する材料により構成された第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】目標とする抵抗率を有する結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体の製造方法は、Ｍ^１Ｍ^２Ｏ_３（Ｍ^３Ｏ）_ｍ（Ｍ^１＝Ｓｃ、Ｉｎ、Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ及びＹからなる群より選択される少なくとも１種類の元素、Ｍ^２＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｉｎ及びＡｌからなる群より選択される少なくとも１種類の元素、Ｍ^３＝Ｃｄ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選択される少なくとも１種類の元素、ｍ＝１以上の自然数）で表される結晶性ホモロガス化合物層を形成する工程と、酸素分圧が２×１０^−２Ｐａ以下、及び、温度が１５０℃以上の少なくとも一方の条件を満たす雰囲気下で、前記結晶性ホモロガス化合物層を覆う保護層を形成することにより前記結晶性ホモロガス化合物層の抵抗率を制御する工程と、を有する。 （もっと読む）