【課題】 オン特性に優れるとともにオフ電流の上昇を抑制した薄膜トランジスタを実現する。
【解決手段】 基板上に配置された第１ゲート電極と、第１ゲート電極の上に形成された第１ゲート絶縁膜と、第１ゲート絶縁膜の上に一方側が非晶質シリコン層となり他方側が微結晶シリコン層となるように積層されたチャンネル層と、チャンネル層のチャンネル領域を挟んで配置されたソース電極およびドレイン電極と、チャンネル層の上に形成された第２ゲート絶縁膜と、第２ゲート絶縁膜の上に配置された第２ゲート電極とを備え、第１ゲート電極および第２ゲート電極のうち微結晶シリコン層側となる一方のゲート電極はソース電極またはドレイン電極との間にオフセット領域を有し、非晶質シリコン層側となる他方の電極はオフセット領域まで延在する薄膜トランジスタとした。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで製造でき、リーク電流が抑制された電子素子を提供する。
【解決手段】基板１０上に、端部断面のテーパー角度が６０°以下である下部電極２２と、前記下部電極２２上に配置され、水素原子の含有率が３原子％以下であり、波長６５０ｎｍにおける屈折率ｎが１．４７５以下であるＳｉＯ_２膜２４と、前記ＳｉＯ_２膜２４上に配置され、前記下部電極２２と重なり部を有する上部電極２６と、を有する電子素子である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の半導体層に形成された部分空乏型のトランジスタにおいて、高いＯＮ／ＯＦＦ比と、安定動作を同時に実現できるようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】ＢＯＸ層１上のＳＯＩ層２に形成された部分空乏型の第１トランジスタ１０と、第２トランジスタ２０とを備え、第１トランジスタ１０は、ＳＯＩ層２上に絶縁膜１３を介して形成されたゲート電極１４と、ゲート電極１４の両側下のＳＯＩ層２に形成されたＮ型のソース１５ａ又はドレイン１５ｂとを有し、第２トランジスタ２０は、ＳＯＩ層２上に絶縁膜２３を介して形成されたゲート電極２４と、ゲート電極２４の両側下のＳＯＩ層２に形成されたＰ型のソース２５ａ又はドレイン２５ｂとを有し、第１トランジスタ１０のボディ領域にソース２５ａが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】素子面積の増大を抑制しつつ、高いＯＮ／ＯＦＦ比と安定動作を実現できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＢＯＸ層１と、ＢＯＸ層１上に形成されたＳＯＩ層２と、ＳＯＩ層２に形成された部分空乏型のトランジスター１０と、を備え、トランジスター１０は、ＳＯＩ層２上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極１４と、ゲート電極１４の両側下のＳＯＩ層２に形成されたＮ型のソース１５又はドレイン１６と、ソース１５の下部に設けられたＮ型の不純物層１７、とを有し、不純物層１７は、ボディ領域２と接し、且つ、ソース１５よりもＮ型の不純物濃度が低い。 （もっと読む）

集積回路装置が開示され、集積回路装置はＮＭＯＳゲート薄膜スタック（１２２）を覆う張力ストレス層（１４１）を有するデュアルストレスライナーＮＭＯＳデバイス（１１０）と、ＰＭＯＳゲート薄膜スタック（１２３）を覆う圧縮ストレス層（１４２）を有するデュアルストレスライナーＰＭＯＳデバイス（１１１）と、張力ストレス層（１４１）とＮＭＯＳゲート薄膜スタック（１２４）との間に延在するストレス低減層（１３１ａ）を有する低減ストレスのデュアルストレスライナーＮＭＯＳデバイス（１１２）と、圧縮ストレス層（１４２）とＰＭＯＳゲート薄膜スタック（１２５）との間に延在するストレス低減層（１３１ｂ）を有する低減ストレスのデュアルストレスライナーＰＭＯＳデバイス（１１３）とを含む。発明の実施形態において、追加の低減ストレスのデュアルストレスライナーＮＭＯＳデバイス（１１４）と低減ストレスのＰＭＯＳデバイス（１１５）とは、ストレス低減層（１３２ａ，１３２ｂ）の厚みおよび／または材料特性を変更することによって形成される。
（もっと読む）

【課題】雰囲気安定性、高ＯＮ／ＯＦＦ比、高電流密度等の優れた特性を有する実用的な縦型有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を半導体材料として含む、縦型有機半導体デバイス。


（Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立に置換基を有してもよい芳香族基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にフルオレノ［１，９−ｊｋ］フルオランテン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の半導体層に形成された部分空乏型のトランジスターにおいて、高いＯＮ／ＯＦＦ比と、安定動作を同時に実現できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＢＯＸ層１上のＳＯＩ層２に形成された部分空乏型のトランジスター１０と、ダイオード２０とを備え、トランジスター１０は、ＳＯＩ層２上に絶縁膜１３を介して形成されたゲート電極１４と、ゲート電極１４の両側下のＳＯＩ層２に形成されたＮ型のソース１５ａ又はドレイン１５ｂとを有し、ダイオード２０は、ＳＯＩ層２の浅い部分に形成されたＰ型不純物層２１と、ＳＯＩ層２の深い部分に形成されたＮ型不純物層２２と、を有する。Ｐ型不純物層２１と、Ｎ型不純物層２２は深さ方向に積層されており、Ｐ型不純物層２１の側面とＮ型不純物層２２の側面はそれぞれトランジスター１０のボディ領域２に接している。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０または１を表すが、同時に０を表すことはない） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のフェナントレン環を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｒ_１およびＲ_２はそれぞれ独立に、置換エチニル基を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に、０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換の、ベンゼン環、チオフェン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、チエノチオフェン環、あるいはインドール環を表し、環Ｂは置換または未置換の、チオフェン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、チエノチオフェン環、あるいはインドール環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に下式で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、あるいはアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度とオンオフ比を安定して両立させることのできる有機半導体コンポジットおよび有機電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】カーボンナノチューブと複数の分子量３０００以下の有機半導体を含有する有機半導体コンポジットであって、前記複数の分子量３０００以下の有機半導体が、少なくとも分子量Ｍ（Ａ）の有機半導体（Ａ）および該有機半導体（Ａ）の部分構造からなる分子量Ｍ（Ｂ）の有機半導体（Ｂ）を含有し、前記Ｍ（Ａ）と前記Ｍ（Ｂ）が２Ｍ（Ｂ）≧Ｍ（Ａ）の関係を満たす有機半導体コンポジット。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。Ａ_１−Ａ_２（１）［Ａ_１およびＡ_２は、式（ａ）あるいは式（ｂ）で表される基


を表す］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、チオフェン環、あるいはチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にテトラベンゾ［ｂ，ｇ，ｋ，ｐ］クリセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）