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Fターム[5F110AA08]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | 目的 (20,107) | しきい値電圧の制御 (733)

Fターム[5F110AA08]に分類される特許

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【課題】CNTを含有する半導体層を有する電界効果型トランジスタにおいて、高移動度・高オンオフ比を達成し、且つターンオン電圧・ヒステリシスを低減すること。
【解決手段】表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブを含有する半導体層、ポリマーおよび無機酸化物微粒子を含有するゲート絶縁層、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する電界効果型トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】絶縁表面に形成される酸化物半導体膜は、下地界面近傍に非晶質領域が残存してしまい、これがトランジスタなどの特性に影響を与える要因の一つと考えられている。
【解決手段】酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点を、酸化物半導体を構成する材料の融点よりも高くする。これにより、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜との界面近傍まで結晶領域が存在することを可能とする。当該材料として絶縁性の金属酸化物を用いる。金属酸化物として、酸化物半導体膜を構成する材料と同族の材料である酸化アルミニウム、酸化ガリウムなどを用いる。 (もっと読む)


【課題】チャージアップに起因するリーク電流及び閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体層内に、活性領域30を含むFET34、活性領域30からなるスクライブライン36、FET34とスクライブライン36との間に位置する不活性領域32、及び不活性領域32を横断してFET34とスクライブライン36とを電気的に接続する接続領域38を設ける工程と、半導体層上に絶縁膜20を形成する工程と、ドライエッチング法により絶縁膜20に選択的に開口部21を形成する工程と、を有する半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の特性の向上を図る。
【解決手段】本発明の半導体装置は、(a)素子分離領域STIにより囲まれた半導体領域3よりなる活性領域Acに配置されたMISFETと、(b)活性領域Acの下部に配置された絶縁層BOXとを有する。さらに、(c)活性領域Acの下部において、絶縁層BOXを介して配置されたp型の半導体領域1Wと、(d)p型の半導体領域1Wの下部に配置されたp型と逆導電型であるn型の第2半導体領域2Wと、を有する。そして、p型の半導体領域1Wは、絶縁層BOXの下部から延在する接続領域CAを有し、p型の半導体領域1Wと、MISFETのゲート電極Gとは、ゲート電極Gの上部から接続領域CAの上部まで延在する一体の導電性膜であるシェアードプラグSP1により接続されている。 (もっと読む)


【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】GRTA装置を用いて、第1の酸化物半導体膜に熱を加え、熱が加えられた第1の酸化物半導体膜に、酸素を添加して第2の酸化物半導体膜とし、GRTA装置を用いて、酸素が添加された第2の酸化物半導体膜に熱を加える。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置であって、当該GRTA装置を用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧が制御され、動作速度が速く、製造工程が比較的簡単であり、十分な信頼性を有する、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタの作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層に含まれるキャリア濃度に影響する不純物、例えば、水素原子や、HOなど水素原子を含む化合物を排除すればよい。酸化物半導体層に接して未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化物絶縁層を形成し、当該酸化物絶縁層に不純物を拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減すればよい。また、酸化物半導体層、又は酸化物半導体層に接する酸化物絶縁層を、クライオポンプを用いて排気して不純物濃度が低減された成膜室内で成膜すればよい。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】環状エーテル構造を有する繰り返し単位と、酸により脱離しうる有機基を有する繰り返し単位とを含有する高分子化合物(A)を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 (もっと読む)


【課題】 横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む半導体構造体を提供する。
【解決手段】 CMOS構造体などの半導体構造体が、横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、角度傾斜イオン注入法又は逐次積層法を用いて形成することができる。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、非ドープ・チャネルの電界効果トランジスタ・デバイスに向上した電気的性能をもたらす。 (もっと読む)


【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を
形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って
第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮
像素子を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いて薄膜トランジスタのオフ電流を1×10−13A以
下とし、該薄膜トランジスタを固体撮像素子のリセットトランジスタ及び転送トランジス
タの両方に用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向
上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリ
コン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】ショートチャネル特性などを向上する。
【解決手段】n型FET111Nの半導体活性層111Cの上面に、バックゲート絶縁膜401を介してバックゲート電極121を金属材料で形成する。ここでは、バックゲート電極121,221について、半導体活性層111Cの上面においてゲート電極111Gおよび一対のソース・ドレイン領域111A,111Bに対応する部分を被覆するように、バックゲート電極121を形成する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において、電子の界面散乱を抑制することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に酸化物半導体以外の半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において、酸化物半導体膜中の酸素原子と半導体膜中の原子とを結合させる。これにより、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において構造を連続させることができる。また、酸化物半導体膜から脱離した酸素が、該半導体膜に拡散することで、該半導体膜は酸化されるため、絶縁膜とすることができる。このようにして形成されたゲート絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において電子の界面散乱が抑制され、電気的特性に優れたトランジスタを作製できる。 (もっと読む)


【課題】しきい電圧の変動を減らした高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体を含む基板上に形成され、二次元電子ガスチャネルとデプリーション領域とを備えるチャネル層と、二次元電子ガスチャネルに対応するように、チャネル層上に形成された第1チャネル供給層と、チャネル層のデプリーション領域及び第1チャネル供給層の一部の領域上に形成されたデプリーション層と、第1チャネル供給層上に形成され、デプリーション領域を挟んで対向するソース及びドレイン電極と、デプリーション層上に形成されたゲート電極と、を備え、第1チャネル供給層より分極率が小さい第2チャネル供給層を、チャネル層のデプリーション領域及び第1チャネル供給層の一部の領域上に備え、デプリーション層が第2チャネル供給層上に備えられる、高電子移動度トランジスタである。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのしきい値電圧の制御を行いながら、ゲート電極の電位は変動させず、バックゲート電極の電位のみを変動させることで、入力信号に応じた信号を出力することが可能な論理回路を有するシフトレジスタ回路を提供する。
【解決手段】同じ導電型の第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有する論理回路、を含むシフトレジスタ回路において、第1のトランジスタの第1のゲート電極を、第1のトランジスタのソース電極またはドレイン電極に接続し、第1のトランジスタの第2のゲート電極に入力信号を供給し、第2のトランジスタのゲート電極にクロック信号を供給し、第1のゲート電極と、ゲート電極とは、同じ層とする。 (もっと読む)


【課題】 光リーク電流を抑制した高い耐光性を有するTFTを、製造工程を簡素化することにより低コストで実現する。
【解決手段】 TFT100は、絶縁基板107としてのガラス基板上に形成された遮光膜113と、遮光膜113上に形成された絶縁膜112と、絶縁膜112上に形成された半導体膜111と、半導体膜111上に形成されたゲート絶縁膜104とを基本的に有する。遮光膜113、絶縁膜112及び半導体膜111の三層から成る積層体100aは、各層が同時にパターニングされている。そして、積層体100aの各層がシリコン又はシリコンを含む材料から成る。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層へ酸素を効率よく供給し、トランジスタ特性を向上することが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の薄膜トランジスタは、基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する酸化物半導体層と、チャネル領域を覆うチャネル保護膜と、チャネル保護膜の両側の酸化物半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、少なくともソース電極およびドレイン電極上に設けられた保護膜と、酸化物半導体層に設けられ、保護膜と同一の構成材料が充填された1または2以上の凹部とを備える。 (もっと読む)


【課題】移動度が高く、S値の低い電界効果型トランジスタの提供を目的とする。また、低温又は短時間の熱履歴でも高い特性の得られる電界効果型トランジスタの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】In元素及びZn元素と、Zr、Hf、Ge、Si、Ti、Mn、W、Mo、V、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Nb、Al、B、Sc、Y及びランタノイド類からなる群より選択される1以上の元素Xを、下記(1)〜(3)の原子比で含む複合酸化物からなる半導体層を有する電界効果型トランジスタ。
In/(In+Zn)=0.2〜0.8 (1)
In/(In+X)=0.29〜0.99 (2)
Zn/(X+Zn)=0.29〜0.99 (3) (もっと読む)


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