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Fターム[5F110AA18]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | 目的 (20,107) | 平坦化 (237)

Fターム[5F110AA18]に分類される特許

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【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。また、微細化された半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜の側面に接して設けられ、かつ酸化物半導体膜よりも膜厚が大きいソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体膜、ソース電極層、及びドレイン電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜の上面と、ソース電極層及びドレイン電極層の上面との間に生じた段差により生じた凹部に設けられたゲート電極層と、を有する構造である。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】チャネル長方向の一方の側面においてソース電極層と接し、チャネル長方向の他方の側面においてドレイン電極層と接する酸化物半導体層を含むトランジスタとすることでソース電極層とドレイン電極層の間の電界を緩和して、短チャネル効果を抑制する。また、ゲート電極層のチャネル長方向の側面に導電性を有する側壁層を設けることで、当該導電性を有する側壁層がゲート絶縁層を介してソース電極層又はドレイン電極層と重畳し、実質的にLov領域を有するトランジスタとする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ(半導体装置)において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層中に埋め込まれ、上面の少なくとも一部が下地絶縁層から露出した電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設け、電極層において、または、酸化物半導体層の低抵抗領域であって電極層と重畳する領域において、酸化物半導体層の上層に設けられる配線層との電気的な接続を行うトランジスタを提供する。 (もっと読む)


【課題】プロセス条件の見直しを最小限に抑制しつつ電気的特性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、半導体構造11の上面領域に形成された島状の絶縁膜20と、絶縁膜20の上面領域に配列された複数の凸状絶縁部23と、これら凸状絶縁部23と絶縁膜20とを被覆する層間絶縁膜26とを備える。 (もっと読む)


【課題】一定のドレイン電圧及びゲート電圧に対して得られるドレイン電流を増大することの出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンネル領域と、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続する合計二つの第1の電極と、前記チャンネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられた第2の電極とを備えた半導体装置の製造に際し、前記ゲート絶縁膜を、酸素の含有量を1ppb以下にした水素添加超純水にIPAを添加した洗浄液を用いて、酸素含有量1ppb以下の窒素雰囲気でしかも遮光した状態で表面の洗浄を行ない、かつ等方性酸化または窒化で形成することにより、前記チャンネル領域と前記ゲート絶縁膜との界面の平坦度を、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向での長さ2nmにおけるピーク・トゥ・バレイ値が0.3nm以下となるようにするとともに、前記第1の電極から前記チャンネル領域までの抵抗率を4Ω・μm以下とした。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜のコンタクトホールの内部にコンタクト用導電膜および埋め込み膜を設けた場合でも、コンタクトホールの外部で画素電極とコンタクト用導電膜とを確実に導通させることができる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100を製造するにあたって、層間絶縁膜45上にコンタクトホール45aの底部45eおよび内壁45fに重なるコンタクト用導電膜90をITO膜により形成した後、コンタクトホール45aの内部を埋める埋め込み膜48をシリコン酸化膜により形成し、その後、埋め込み膜48に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜90を露出させる。また、コンタクトホール45aの内部には埋め込み膜48を残す。その際、埋め込み膜48とコンタクト用導電膜90とのエッチング選択比を利用して埋め込み膜48を選択的に除去してコンタクト用導電膜90を露出させる。 (もっと読む)


【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または
、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶
縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と
、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁
層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根(RMS)
粗さが1nm以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、および絶縁層
表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、5nm以上の半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】パターンの微細化、特に、SRAMのセル面積を縮小するためには、隣接ゲートの端部間距離を縮小することが重要となる。しかし、28nmテクノロジノードにおいては、ArFによる単一回露光でパターンを転写することは、一般に困難である。従って、通常、複数回の露光、エッチング等を繰り返すことによって、微細パターンを形成しているが、ゲートスタック材にHigh−k絶縁膜やメタル電極部材が使用されているため、酸化耐性やウエットエッチ耐性が低い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、メモリ領域におけるhigh−kゲート絶縁膜およびメタル電極膜を有するゲート積層膜のパターニングにおいて、最初に、第1のレジスト膜を用いて、隣接ゲート電極間切断領域のエッチングを実行し不要になった第1のレジスト膜を除去した後、第2のレジスト膜を用いて、ライン&スペースパターンのエッチングを実行するものである。 (もっと読む)


【課題】電気特性の変動が生じにくく、且つ電気特性の良好な半導体装置、およびその作製方法を提供することである。
【解決手段】基板上に下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第1の酸化物半導体膜を形成し、第1の酸化物半導体膜を形成した後、第1の加熱処理を行って第2の酸化物半導体膜を形成した後、選択的にエッチングして、第3の酸化物半導体膜を形成し、第1の絶縁膜および第3の酸化物半導体膜上に絶縁膜を形成し、第3の酸化物半導体膜の表面が露出するように絶縁膜の表面を研磨して、少なくとも第3の酸化物半導体膜の側面に接するサイドウォール絶縁膜を形成した後、サイドウォール絶縁膜および第3の酸化物半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成し、ゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】照射された水素イオンの単結晶半導体基板からの脱離を抑制する。
【解決手段】半導体基板中に炭素イオンを照射し、当該炭素イオンが照射された半導体基板中に、水素イオンを照射することにより、当該半導体基板中に脆化領域を形成し、当該半導体基板の表面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、当該半導体基板及び当該ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた当該半導体基板及び当該ベース基板を加熱し、当該脆化領域において分離させることにより、当該ベース基板上に半導体層を形成するSOI基板の作製に関する。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム系半導体のドライエッチングに、塩素系ガスを用いたICP−RIEを用いると、誘電結合型プラズマは、温度が高いので、エッチングされた面に凹凸ができ、半導体にダメージを与え、塩素が残留する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体からなる第1の半導体層を形成する第1半導体層形成工程と、第1の半導体層の一部を、臭素系ガスを用いて、マイクロ波プラズマプロセスでドライエッチングして、リセス部を形成するリセス部形成工程と、を備え、窒化ガリウム系半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】画品位に影響を及ぼす、2層目の平坦化膜のコンタクト部を自由にレイアウトできるようにする。
【解決手段】回路部が形成された基板表面を平坦化するための平坦化膜を、基板上に順に積層された第1,第2の平坦化膜74,77からなる2層構造とする。そして、第1,第2の平坦化膜74,77間に中継配線76を形成し、この中継配線76によって、第1の平坦化膜74に形成され、トランジスタ(TFT)72を含む回路部に接続された第1のコンタクト部75と、第2の平坦化膜77の第1のコンタクト部75と平面視で異なる位置に形成された第2のコンタクト部75とを電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】画素電極表面でのヒロックの発生や、平坦化絶縁膜において凹部を埋める部分での空洞の発生を防止することのできる電気光学装置、該電気光学装置を用いた投射型表示装置、および当該電気光学装置の製造方法を提供すること。
【課題手段】電気光学装置100の素子基板10において、反射性の画素電極9aの上層側に設けられた平坦化絶縁膜17は、画素電極9a上に積層された層がドープトシリコン酸化膜170からなる。ドープトシリコン酸化膜170の熱膨張係数は、画素電極9aを構成するアルミニウム膜の熱膨張係数との差が小さい。このため、加熱した状態で平坦化絶縁膜17を成膜しても、画素電極9aおよび平坦化絶縁膜17に大きな熱応力が発生しないので、画素電極9aの表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい。また、ドープトシリコン酸化膜170は、段差被覆性に優れている。 (もっと読む)


【課題】配線の凹凸差を緩和することが可能な構造の半導体装置を提供することを課題と
する。
【解決手段】第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層及び第2の導電層の間に形
成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第1の導電層及び第2の導電層に接続すると
共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第3の導電層と、を有する半導
体装置である。第2の導電層及び第3の導電層が接続する接続孔付近において、第3の導
電層が第1の絶縁層を介して第2の導電層に重畳せず、第3の導電層の端部が第1の絶縁
層上に形成されない。このため、第3の導電層の凹凸を低減することが可能である。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置において、透過率が高く、スルーホールのテーパ角を所定の範囲に設定できる有機パッシベーション膜を実現する。
【解決手段】有機パッシベーション膜108に形成されたスルーホール120を介して画素電極111とTFTのソース電極106が接続している。有機パッシベーション膜108の材料として分子量が4000から20000のアクリル系樹脂を基材とし、光酸発生剤を1〜6wt%含む化学増幅型感光性樹脂組成物を用い、スルーホールを形成するための露光、現像を行った後、ポスト露光、プリ焼成条件、本焼成条件を適切に行うことによって生産性が高く、透過率が大きく、所定のスルーホールのテーパ角θを有する有機パッシベーション膜を形成することが出来る。 (もっと読む)


【課題】TFTアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明ガラス基板11と、上方に順次ゲート絶縁層13、半導体層14、オーミック接触層15が被覆しているゲートライン12b及びゲートライン12bと一体となるゲート電極12aと、ゲートライン12b及びゲート電極12a、ゲート絶縁層13、半導体層14、オーミック接触層15の両側に形成された絶縁層16と、オーミック接触層15に形成され、半導体層14の中間位置の上方でオーミック接触層15を分断する分断溝15aと、絶縁層16及びオーミック接触層15の上方に形成されたデータライン及び第1、第2のソース・ドレイン電極と、を備えるTFTアレイ基板であり、該TFTアレイ基板はスリットフォトリソグラフィー処理を使用しない4回のフォトリソグラフィー処理により製造できる。 (もっと読む)


【課題】多結晶シリコン層の表面平坦性を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜を結晶化して多結晶シリコン膜を形成する工程と、プラズマドーピング法を用いて、前記多結晶シリコン膜にイオンを注入する工程と、前記イオンを注入した前記多結晶シリコン膜の表面を研磨する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 (もっと読む)


【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 (もっと読む)


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